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公开(公告)号：CN107369763B
公开(公告)日：2020-02-18
申请号：CN201710412534.9
申请日：2017-06-05
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种基于Ga2O3/钙钛矿异质结的光电探测器的制备方法，包括：选取半绝缘半透明衬底；在所述衬底表面淀积形成底电极；在所述底电极表面淀积Ga2O3层；在所述Ga2O3层表面旋涂钙钛矿层；在所述钙钛矿层表面淀积形成顶电极，以完成所述光电探测器的制备。本发明提供的基于Ga2O3/钙钛矿异质结的光电探测器，可以探测从深紫外到近红外的宽范围光谱；具有较高的响应度和探测率，同时具有低的暗电流密度和高的外量子效率；该探测器结构简单、效率高、响应快、工作稳定、使用寿命长，生产成本低，无需昂贵的仪器设备等优点。
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公开(公告)号：CN110350088A
公开(公告)日：2019-10-18
申请号：CN201910470603.0
申请日：2019-05-31
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种基于CH3NH3PbI3和Al2O3材料的MOS电容光敏器件及其制备方法。其中，该制备方法包括步骤：在衬底的第一面生长Al2O3材料，形成栅介质层；在所述栅介质层上生长CH3NH3PbI3材料，形成光吸收层；在所述光吸收层上生长第一电极；在所述衬底的第二面生长第二电极。本发明实施例MOS电容光敏器件采用Al2O3材料作为栅介质层，Al2O3材料为高K栅介质材料，高K栅介质材料使器件在暗态条件下几乎不导通，从而暗态下第一电极与第二电极之间的电流极小，大幅度减少了栅泄漏电流，降低了器件的功耗，提高了器件的光敏特性，有利于减小MOS器件的特征尺寸，实现MOS器件的小型化设计。
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公开(公告)号：CN106449993B
公开(公告)日：2019-03-08
申请号：CN201611123700.5
申请日：2016-12-08
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种采用钙钛矿作为光吸收层的N型HEMT器件及其制备方法。该方法包括：选取衬底材料；采用第一掩膜版在所述衬底材料表面形成源漏电极；在所述衬底材料及所述源漏电极表面生长电子传输层；采用第二掩膜版在所述电子传输层表面生长CH3NH3PbI3材料形成光吸收层；采用第三掩膜版在所述光吸收层表面生长形成栅电极材料，以完成所述N型HEMT器件的制备。本发明实施例采用电子传输层传输电子阻挡空穴，并采用CH3NH3PbI3向沟道提供大量的电子，制备出的N型HEMT具有迁移率高，开关速度快，光电转换效率大的优点。
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公开(公告)号：CN108987575A
公开(公告)日：2018-12-11
申请号：CN201810582655.2
申请日：2018-06-07
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种叠层栅钙钛矿场效应晶体管的制备方法，包括以下步骤：选取Si衬底；在Si衬底表面溅射ITO薄膜形成栅电极层；在栅电极层及Si衬底上溅射HfO2材料形成第一绝缘栅介质层；在第一绝缘栅介质层上旋涂PMMA材料形成第二绝缘栅介质层；在第二绝缘栅介质层上旋涂钙钛矿材料形成半导体层；在半导体层上溅射Au材料形成源极层和漏极层，并最终形成叠层栅钙钛矿场效应晶体管。本发明实施例的叠层栅结构，减少了栅极漏电流，扩大了器件的应用范围，改善了器件的功率特性，提高了器件的可靠性；高介电常数材料，如HfO2，能提供高的单位电容值，增强栅电容对沟道电子的控制能力，提高了隧道击穿栅节点的电流和器件的工作电压。
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公开(公告)号：CN107302054A
公开(公告)日：2017-10-27
申请号：CN201710411589.8
申请日：2017-06-05
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种双异质结光探测器的制备方法，包括：(a)对半绝缘半透明衬底进行清洗；(b)在所述衬底上生长底电极层；(c)在所述底电极层上生长第一MoS2层；(d)在所述第一MoS2层上生长杂化钙钛矿层；(e)在所述杂化钙钛矿层上生长第二MoS2层；(f)在所述第二MoS2层上生长顶电极。本发明杂化钙钛矿双异质结可以使二维材料沟道的背景载流子的完全耗尽，显著降低了器件暗电流，提高器件在弱光下的探测性能；制备工艺简单，生产成本低，无需昂贵的仪器设备等优点；制备的光电探测器可在零栅压、低源漏偏压下工作，具有优异的低功耗特性，且结构简单、效率高、响应快、工作稳定、使用寿命长。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106876489A
公开(公告)日：2017-06-20
申请号：CN201710074139.4
申请日：2017-02-10
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L31/0216 , H01L31/0264 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/0264 , H01L31/0216 , H01L31/18
Abstract: 本发明涉及一种基于CH3NH3PbI3材料的P型双向HHET器件及其制备方法。该方法包括：在选取的衬底材料表面制作FTO导电玻璃；在所述FTO导电玻璃表面制作第一光吸收层；在所述第一光吸收层表面制作第一空穴传输层；在所述第一空穴传输层表面制作源漏电极；在整个衬底表面制作第二空穴传输层；在所述第二空穴传输层表面制备第二光吸收层；在所述第二光吸收层表面制作栅电极，最终形成所述双向HHET器件。本发明通过采用对称的光吸收层，能吸收更多的光产生光生载流子，并采用在透明的蓝宝石生长透明的导电玻璃作为底部栅电极，能实现上下光照都能照射到光吸收层，且采用由CH3NH3PbI3向沟道提供大量的空穴，提高迁移率高，增强传输特性和增加光电转换效率。
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公开(公告)号：CN106505149A
公开(公告)日：2017-03-15
申请号：CN201611122943.7
申请日：2016-12-08
Applicant: 西安电子科技大学
CPC classification number: Y02E10/549 , H01L51/428 , H01L51/0077
Abstract: 本发明涉及一种基于CH3NH3PbI3/PCBM材料的衬底反光增强型HHMT及其制备方法。该方法包括：选取Al2O3衬底；在衬底下表面形成反光层；在衬底上表面制作源漏电极；在衬底上表面形成空穴传输层；利用旋涂工艺，在空穴传输层表面旋涂CH3NH3PbI3和PCBM混合材料形成光吸收层；在光吸收层表面制作栅电极以最终形成反光增强型HHMT。本发明采用由CH3NH3PbI3向沟道提供大量的空穴，在衬底下表面镀银形成反射增强型HHMT，具有迁移率高，开关速度快，光吸收以及光利用率增强，光生载流子增多，光电转换效率大的优点。另外，采用在光吸收层加入了PCBM材料形成了异质结，能通过对孔洞和空位的填充改善光吸收层薄膜的质量，从而产生更大的晶粒和更少的晶界，吸收更多的光产生光生载流子，增强器件性能。
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公开(公告)号：CN106410045A
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201611123706.2
申请日：2016-12-08
Applicant: 西安电子科技大学
CPC classification number: Y02E10/549 , Y02P70/521 , H01L51/428 , H01L51/0077
Abstract: 本发明涉及一种基于CH3NH3PbI3材料的P型HHMT晶体管及其制备方法。该方法包括：选取Al2O3材料作为衬底材料；采用第一掩膜版在所述衬底材料表面形成源漏电极；在所述衬底材料及所述源漏电极表面生长空穴传输层；采用第二掩膜版在所述空穴传输层表面生长CH3NH3PbI3材料形成光吸收层；采用第三掩膜版在所述光吸收层表面生长形成栅电极材料，以完成所述P型HHMT晶体管的制备。本发明实施例采用空穴传输层传输空穴阻挡电子，并采用CH3NH3PbI3向沟道提供大量的空穴，制备出的P型HHMT晶体管具有迁移率高，开关速度快，光电转换效率大的优点。
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公开(公告)号：CN105161526A
公开(公告)日：2015-12-16
申请号：CN201510486185.6
申请日：2015-08-07
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/66 , H01L21/04 , H01L29/423
CPC classification number: H01L29/66068 , H01L21/049 , H01L29/42364
Abstract: 本发明实施例涉及一种提高垂直导电结构SiC MOSFET沟道迁移率的方法,包括：在N+SiC衬底上经过外延工艺形成MOSFET的N-漂移区；在N-漂移区内经过注入工艺形成MOSFET的源区；对已形成所述源区的SiC外延片的外延表面在200℃下进行紫外线氧化；RCA清洗，使得在所述外延表面形成Si界面结构；将所述SiC外延片在300℃氧气气氛中进行等离子体增强化学气相淀积PECVD预处理，将所述外延表面的Si界面结构氧化成SiO2界面层；在所述SiO2界面层上进行氧化淀积和退火，形成隔离介质层；制备多晶硅栅极和源、漏金属电极，从而形成所述垂直导电结构SiC MOSFET。
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公开(公告)号：CN105140285A
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201510486184.1
申请日：2015-08-07
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/423
Abstract: 本发明实施例涉及一种垂直导电结构SiC MOSFET功率器件,所述SiCMOSFET功率器件自上而下包括：栅极、SiO2隔离介质层、N+源区、P+欧姆接触区、JFET区域、P阱、N-漂移区、N+SiC衬底和漏极金属；其中，在SiO2隔离介质层与N-漂移区之间的界面具有一层等离子体增强化学气相淀积PECVD SiO2界面层。
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