公开(公告)号：CN119644105A

公开(公告)日：2025-03-18

申请号：CN202411656912.4

申请日：2024-11-19

Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 ,  西安电子科技大学

Inventor： 陈燕宁 ,  解尧明 ,  刘芳 ,  邵亚利 ,  李东镁 ,  梁英宗 ,  沈美根 ,  赵扬 ,  李小明

IPC: G01R31/28

Abstract: 本发明涉及集成电路及芯片技术领域，提供一种器件沟道退化监测电路及芯片。该电路包括退化环形振荡器，退化环形振荡器包括奇数个串行连接的退化反相器；退化反相器中第一晶体管为高压功率晶体管，第一晶体管的漏极通过隔离耐压器件与第二晶体管的漏极相连，第二晶体管的栅极连接第二输入端，第二晶体管的漏极与隔离耐压器件之间的节点连接第二输出端。克服了现有监测电路仅适用于监测低压SOC芯片、无法监测高压电路及芯片的缺陷，本发明能够支持高压器件及电路的退化监测和预警，可以内嵌到电源与隔离驱动芯片中，并克服了目前仅对芯片做初始出厂时老化可靠性预测，无法预警高压电源、隔离芯片随着工作时间、实时动态经时老化监测的难题。

公开(公告)号：CN119986315A

公开(公告)日：2025-05-13

申请号：CN202510071357.7

申请日：2025-01-16

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 李小明 ,  宋柏晨 ,  陈燕宁 ,  沈美根 ,  周新杰 ,  常天赐 ,  任文科

IPC: G01R31/28 ,  H03K5/24

Abstract: 本发明公开了一种监测NBTI效应的高精度模拟电路、芯片及IP，属于集成电路技术领域，包括：NBTI效应监测单元、带隙基准电路和新型迟滞比较器；本发明电路结构较简单，采用模拟电路，电路中的电阻值小，具有面积小，成本低的特点；在不同工艺、温度、电源电压下，能通过输出的预警信号非常简便、精准地监测被测芯片的NBTI效应，解决了现有技术方案芯片面积大，设计复杂度高，精度低的问题。