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公开(公告)号：CN113516236A
公开(公告)日：2021-10-19
申请号：CN202110807193.1
申请日：2021-07-16
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明属于人工智能和FPGA设计技术领域，具体公开了一种基于ZYNQ平台的VGG16网络并行加速处理方法，本发明通过数据的定点量化，减小输入输出数据、权重数据及偏置所带来的巨大计算量，从而降低功耗、减小计算量并解决片上资源受限问题；通过采用资源并行方式，一方面避开卷积神经网络层与层之间数据相关性的并行计算问题，另一方面减少对硬件电路资源的需求。本发明通过ZYNQ平台设计一种可以实现VGG16网络高度并行的硬件加速架构，从而在实现较小的资源消耗与较低功耗的基础上，提升加速性能与加速效率。
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公开(公告)号：CN111736367A
公开(公告)日：2020-10-02
申请号：CN202010484876.3
申请日：2020-06-01
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了提供一种基于石墨烯的相位调制器、调制方法及制备方法，该相位调制器，包括：自下而上设置于基板上的衬底层、夹层结构和金属层，其中，所述夹层结构自下而上依次包含下约束层、石墨烯层和上约束层；所述石墨烯层的部分表面具有金属薄膜，用于作为外加电压的接地端。衬底层为二氧化硅层；上约束层和下约束层分别为硅层。金属层为铝层。本发明利用石墨烯的电光可调特性，在入射光波长为1550nm时实现对相位的调节，且相位调制器的尺寸较小，有利于实现光电器件小尺寸，高集成的目标。
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公开(公告)号：CN105896013A
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201610273865.4
申请日：2016-04-28
Applicant: 西安电子科技大学
CPC classification number: H01P3/084 , H01P11/003
Abstract: 本发明公开了一种硅基悬置微带线结构及其制作方法，主要解决现有技术中太赫兹波传输损耗大以及太赫兹悬置微带线加工精度低的问题。该悬置微带线结构包括悬置的微带线(1),硅基片(4)，空气腔(5)以及金属地板层(6)其中硅片(4)，包括上硅基片(41)和下硅基片(42)；金属地板层(6)位于上硅基片(41)与下硅基片(42)之间；微带线(1)制备在苯并环丁烯(BCB)光刻胶层(2)上，该BCB光刻胶层(2)与上硅基片(41)之间生长有氮化硅层(3)；空气腔(5)刻蚀在上硅基片(41)之中,并处于微带线(1)的正下方。本发明具有低损耗，结构简单，易于加工的优点，可用于太赫兹波段的有源和无源电路。
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公开(公告)号：CN106684515B
公开(公告)日：2019-04-30
申请号：CN201611185444.2
申请日：2016-12-20
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种硅基倒置微带线结构及其制作方法，主要解决标准微带线和传统倒置微带线在传输毫米波亚毫米波是损耗大以及加工精度低的问题。该硅基倒置微带线结构包括微带线，悬置层，硅基片，腔体，金属接地层，其中硅基片层包括上硅基片和下硅基片；倒置层位于上硅基片的上表面；微带线包括下金属层和上金属层，上金属层固定在倒置层中，下金属层制备在上金属层的下表面，并暴露在腔体中；腔体刻蚀在上硅基片之内，位于微带线正下方，并将微带线悬空；金属接地层位于腔体的下方，并嵌入在上硅基片和下硅基片之间。本发明制作方法的加工精度高，实现了一种低损耗，加工简单的毫米波传输线结构。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111443504B
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN202010176198.4
申请日：2020-03-13
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种中红外电压可调节滤波器及其制备方法、滤波方法，该中红外电压可调节滤波器包括衬底层；夹层结构层，位于所述衬底层上，其中，所述夹层结构层自下而上依次包括第一石墨烯层、六方氮化硼层和第二石墨烯层，所述第一石墨烯层的一端具有第一延伸部，所述第一延伸部表面镀有第一金属膜，所述第二石墨烯层的一端具有第二延伸部，所述第二延伸部的表面镀有第二金属膜；包层，位于所述夹层结构层上。该中红外电压可调节滤波器可以在中红外波段进行滤波，滤除空间中的噪声信号等干扰信号，允许中红外波段中的一部分波通过，避免了干扰信号对信息传递产生不利影响。
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公开(公告)号：CN106684515A
公开(公告)日：2017-05-17
申请号：CN201611185444.2
申请日：2016-12-20
Applicant: 西安电子科技大学
CPC classification number: H01P3/08 , B81B7/02 , B81C1/00015 , H01P3/081
Abstract: 本发明公开了一种硅基倒置微带线结构及其制作方法，主要解决标准微带线和传统倒置微带线在传输毫米波亚毫米波是损耗大以及加工精度低的问题。该硅基倒置微带线结构包括微带线，悬置层，硅基片，腔体，金属接地层，其中硅基片层包括上硅基片和下硅基片；倒置层位于上硅基片的上表面；微带线包括下金属层和上金属层，上金属层固定在倒置层中，下金属层制备在上金属层的下表面，并暴露在腔体中；腔体刻蚀在上硅基片之内，位于微带线正下方，并将微带线悬空；金属接地层位于腔体的下方，并嵌入在上硅基片和下硅基片之间。本发明制作方法的加工精度高，实现了一种低损耗，加工简单的毫米波传输线结构。
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公开(公告)号：CN111736367B
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202010484876.3
申请日：2020-06-01
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了提供一种基于石墨烯的相位调制器、调制方法及制备方法，该相位调制器，包括：自下而上设置于基板上的衬底层、夹层结构和金属层，其中，所述夹层结构自下而上依次包含下约束层、石墨烯层和上约束层；所述石墨烯层的部分表面具有金属薄膜，用于作为外加电压的接地端。衬底层为二氧化硅层；上约束层和下约束层分别为硅层。金属层为铝层。本发明利用石墨烯的电光可调特性，在入射光波长为1550nm时实现对相位的调节，且相位调制器的尺寸较小，有利于实现光电器件小尺寸，高集成的目标。
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公开(公告)号：CN113506286A
公开(公告)日：2021-10-15
申请号：CN202110852074.8
申请日：2021-07-27
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G06T7/00 , G01N21/88 , G01N21/956 , G01R31/308 , G06K9/62 , G06N3/04 , G06N3/08 , G06T5/00
Abstract: 本发明属于人工智能和微波芯片技术领域，公开了一种基于YOLOv5算法小样本数据集实现微波芯片缺陷检测方法，对作为数据集的微波芯片进行图像预处理，具体预处理包括灰度转换、图像旋转矫正和去除背景噪声等操作。采集图像经过预处理后，再进行缺陷分类标注，将缺陷分类标注后的数据集分为训练集以及测试集。搭建YOLOv5网络结构，使用经过缺陷分类标注后的训练集对YOLOv5网络结构进行训练，通过反向传播算法调整网络模型权重参数，使用测试集对最终网络进行测试分析，结果表明经过放大处理的微波芯片表面，实现自动快速的缺陷检测以及定位，并达到了较高的准确率、召回率和mAP值。
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公开(公告)号：CN111443504A
公开(公告)日：2020-07-24
申请号：CN202010176198.4
申请日：2020-03-13
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种中红外电压可调节滤波器及其制备方法、滤波方法，该中红外电压可调节滤波器包括衬底层；夹层结构层，位于所述衬底层上，其中，所述夹层结构层自下而上依次包括第一石墨烯层、六方氮化硼层和第二石墨烯层，所述第一石墨烯层的一端具有第一延伸部，所述第一延伸部表面镀有第一金属膜，所述第二石墨烯层的一端具有第二延伸部，所述第二延伸部的表面镀有第二金属膜；包层，位于所述夹层结构层上。该中红外电压可调节滤波器可以在中红外波段进行滤波，滤除空间中的噪声信号等干扰信号，允许中红外波段中的一部分波通过，避免了干扰信号对信息传递产生不利影响。
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