公开(公告)号：CN118472581A

公开(公告)日：2024-08-09

申请号：CN202410747692.X

申请日：2024-06-11

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 刘晓贤 ,  范晨晖 ,  朱樟明 ,  张蕾 ,  刘诺 ,  张谦

IPC: H01P1/203

Abstract: 本发明公开了一种高选择性宽阻带低损耗基片集成波导带通滤波器，属于基片集成波导技术领域，包括：由第一金属层、介质基板及第二金属层组成的矩形基片集成波导谐振器，其中，第一金属层、介质基板及第二金属层自上而下排布，介质基板中设有多个连接第一金属层与第二金属层的通孔金属柱；矩形基片集成波导谐振器还包括凹槽，凹槽将矩形基片集成波导谐振器分割为多个1/4模基片集成波导谐振器。通过利用凹槽将矩形基片集成波导谐振器分割为多个1/4模基片集成波导谐振器，本发明可以实现较宽的阻带抑制或低插入损耗的效果。

公开(公告)号：CN117117445A

公开(公告)日：2023-11-24

申请号：CN202311322163.7

申请日：2023-10-12

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 刘晓贤 ,  刘诺 ,  朱樟明 ,  范晨晖 ,  张谦 ,  张涛 ,  卢启军

IPC: H01P1/20

Abstract: 本发明公开了一种硅基超宽通带/双通带可调微波滤波器，包括：硅基复合介质层、第一金属层以及第二金属层；第一金属层叠加在硅基复合介质层的上表面，第二金属层叠加在硅基复合介质层的下表面；第一金属层设有第一窗口，第一窗口中设有第一金属图案，第二金属层设有第二窗口，第二窗口中设有第二金属图案；硅基复合介质层设有多个通孔，每个通孔中均设有被二氧化硅包围的金属柱，第一金属层和第二金属层通过金属柱实现电连接，以利用第一金属图案和第二金属图案在硅基超宽通带/双通带可调微波滤波器中形成三维螺旋电感。本发明减小了滤波器面积，更有利于更有利于滤波器与其他硅基器件的集成。

公开(公告)号：CN117497983A

公开(公告)日：2024-02-02

申请号：CN202311369203.3

申请日：2023-10-20

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 刘晓贤 ,  范晨晖 ,  朱樟明 ,  刘诺 ,  张谦 ,  张涛 ,  卢启军

IPC: H01P3/16 ,  H01P1/208

Abstract: 本发明公开了一种基于1/n模的微型低损耗硅基扇形基片集成波导结构，包括从上至下依次设置的上金属层、硅基板和金属底板；硅基板中设有TSV结构，上金属层和金属底板通过TSV结构实现上下连接，形成扇形基片集成波导结构；扇形基片集成波导结构具有m个扇形金属谐振腔；m个扇形金属谐振腔是利用至少一条耦合槽线将扇形基片集成波导结构进行分割得到的；耦合槽线用以实现相邻扇形金属谐振腔间的耦合；其中，m表示滤波器阶数，m≥2，n＝360°/θ，θ为扇形金属谐振腔的圆心角。该结构实现了宽通带和双通带特性的无源器件，在不降低器件性能的同时降低了其面积。