公开(公告)号：CN104062484B

公开(公告)日：2016-08-17

申请号：CN201410317290.2

申请日：2014-07-04

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 郑雪峰 ,  范爽 ,  康迪 ,  王冲 ,  张建坤 ,  杜鸣 ,  毛维 ,  曹艳荣 ,  马晓华 ,  郝跃

IPC: G01R19/00

Abstract: 本发明公开了一种测试HEMT器件体泄漏电流和表面泄漏电流的方法，主要解决现有技术不能对常规HEMT器件的栅泄漏电流进行体泄漏电流与表面泄漏电流分离测试的问题。其实现方案是：制作两个与被测HEMT器件结构相同，栅电极尺寸各不相同的测试辅助器件；利用半导体参数测试设备分别测试被测HEMT器件和这两个测试辅助器件的栅泄漏电流；将两个测试辅助器件的栅泄漏电流作差得到被测HEMT器件的体泄漏电流；用被测HEMT器件的栅泄漏电流与其体泄漏电流作差，得到被测HEMT器件的表面泄漏电流。本发明测试方法快速简便，结果准确可靠，能够为后续分析体泄漏电流和表面泄漏电流产生机理和提高HEMT器件的可靠性提供依据。

公开(公告)号：CN104062485A

公开(公告)日：2014-09-24

申请号：CN201410319025.8

申请日：2014-07-04

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 郑雪峰 ,  范爽 ,  孙伟伟 ,  张建坤 ,  康迪 ,  王冲 ,  杜鸣 ,  曹艳荣 ,  马晓华 ,  郝跃

IPC: G01R19/00

Abstract: 本发明公开了一种HEMT器件栅泄漏电流中台面泄漏电流的测试方法，主要解决现有技术不能对HEMT器件的栅泄漏电流中台面泄漏电流分离的问题。其实现方案是：制作与被测HEMT器件结构相同，栅电极和源漏电极宽度均为被测HEMT器件α倍的测试辅助器件，α>0且α≠1；利用半导体参数测试设备分别测试被测HEMT器件和HEMT测试辅助器件的栅泄漏电流；将被测HEMT器件的栅泄漏电流乘以α倍与HEMT测试辅助器件栅泄漏电流作差，将结果除以(α-1)项，得到被测HEMT器件的台面泄漏电流。本发明测试方法快速简便，结果准确可靠，能够为后续分析栅泄漏电流中台面泄漏电流产生机理和提高HEMT器件的可靠性提供依据。

公开(公告)号：CN104062484A

公开(公告)日：2014-09-24

申请号：CN201410317290.2

申请日：2014-07-04

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 郑雪峰 ,  范爽 ,  康迪 ,  王冲 ,  张建坤 ,  杜鸣 ,  毛维 ,  曹艳荣 ,  马晓华 ,  郝跃

IPC: G01R19/00

Abstract: 本发明公开了一种测试HEMT器件体泄漏电流和表面泄漏电流的方法，主要解决现有技术不能对常规HEMT器件的栅泄漏电流进行体泄漏电流与表面泄漏电流分离测试的问题。其实现方案是：制作两个与被测HEMT器件结构相同，栅电极尺寸各不相同的测试辅助器件；利用半导体参数测试设备分别测试被测HEMT器件和这两个测试辅助器件的栅泄漏电流；将两个测试辅助器件的栅泄漏电流作差得到被测HEMT器件的体泄漏电流；用被测HEMT器件的栅泄漏电流与其体泄漏电流作差，得到被测HEMT器件的表面泄漏电流。本发明测试方法快速简便，结果准确可靠，能够为后续分析体泄漏电流和表面泄漏电流产生机理和提高HEMT器件的可靠性提供依据。

公开(公告)号：CN104062485B

公开(公告)日：2016-08-17

申请号：CN201410319025.8

申请日：2014-07-04

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 郑雪峰 ,  范爽 ,  孙伟伟 ,  张建坤 ,  康迪 ,  王冲 ,  杜鸣 ,  曹艳荣 ,  马晓华 ,  郝跃

IPC: G01R19/00

Abstract: 本发明公开了一种HEMT器件栅泄漏电流中台面泄漏电流的测试方法，主要解决现有技术不能对HEMT器件的栅泄漏电流中台面泄漏电流分离的问题。其实现方案是：制作与被测HEMT器件结构相同，栅电极和源漏电极宽度均为被测HEMT器件α倍的测试辅助器件，α>0且α≠1；利用半导体参数测试设备分别测试被测HEMT器件和HEMT测试辅助器件的栅泄漏电流；将被测HEMT器件的栅泄漏电流乘以α倍与HEMT测试辅助器件栅泄漏电流作差，将结果除以(α?1)项，得到被测HEMT器件的台面泄漏电流。本发明测试方法快速简便，结果准确可靠，能够为后续分析栅泄漏电流中台面泄漏电流产生机理和提高HEMT器件的可靠性提供依据。