公开(公告)号：CN104062485B

公开(公告)日：2016-08-17

申请号：CN201410319025.8

申请日：2014-07-04

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 郑雪峰 ,  范爽 ,  孙伟伟 ,  张建坤 ,  康迪 ,  王冲 ,  杜鸣 ,  曹艳荣 ,  马晓华 ,  郝跃

IPC: G01R19/00

Abstract: 本发明公开了一种HEMT器件栅泄漏电流中台面泄漏电流的测试方法，主要解决现有技术不能对HEMT器件的栅泄漏电流中台面泄漏电流分离的问题。其实现方案是：制作与被测HEMT器件结构相同，栅电极和源漏电极宽度均为被测HEMT器件α倍的测试辅助器件，α>0且α≠1；利用半导体参数测试设备分别测试被测HEMT器件和HEMT测试辅助器件的栅泄漏电流；将被测HEMT器件的栅泄漏电流乘以α倍与HEMT测试辅助器件栅泄漏电流作差，将结果除以(α?1)项，得到被测HEMT器件的台面泄漏电流。本发明测试方法快速简便，结果准确可靠，能够为后续分析栅泄漏电流中台面泄漏电流产生机理和提高HEMT器件的可靠性提供依据。

公开(公告)号：CN103646968A

公开(公告)日：2014-03-19

申请号：CN201310627799.2

申请日：2013-11-27

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 郑雪峰 ,  范爽 ,  郝跃 ,  王冲 ,  孙伟伟

IPC: H01L29/92 ,  H01L23/544 ,  G01R19/00 ,  G01R31/26

CPC classification number: H01L29/92 ,  G01R31/2621 ,  H01L23/544

Abstract: 本发明公开了一种基于电容结构的HEMT栅泄漏电流分离结构与方法，结构包括具有不同面积的两个环形肖特基栅电容；每个电容为两端结构，包含一个栅电极和一个欧姆电极；第一个电容的栅电极半径为R1；第二个电容的肖特基栅为环形，栅的外环半径为R1，内环半径为0.707R1；两个肖特基电容的栅极-欧姆电极之间的距离相同，均为（R2-R1）。方法：使用常规的半导体参数测试设备进行测量，通过分别对两个电容进行一次电学测试，就可以实现HEMT器件栅泄漏电流中体泄漏电流与表面泄漏电流的定量分离。本发明具有结构和方法简单、结果可靠的特点，能广泛应用于HEMT器件的材料生长与器件工艺优化及后续的可靠性评估等工作中。

公开(公告)号：CN103646968B

公开(公告)日：2017-01-11

申请号：CN201310627799.2

申请日：2013-11-27

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 郑雪峰 ,  范爽 ,  郝跃 ,  王冲 ,  孙伟伟

IPC: H01L29/92 ,  H01L23/544 ,  G01R19/00 ,  G01R31/26

Abstract: 本发明公开了一种基于电容结构的HEMT栅泄漏电流分离结构与方法，结构包括具有不同面积的两个环形肖特基栅电容；每个电容为两端结构，包含一个栅电极和一个欧姆电极；第一个电容的栅电极半径为R1；第二个电容的肖特基栅为环形，栅的外环半径为R1，内环半径为0.707R1；两个肖特基电容的栅极-欧姆电极之间的距离相同，均为（R2-R1）。方法：使用常规的半导体参数测试设备进行测量，通过分别对两个电容进行一次电学测试，就可以实现HEMT器件栅泄漏电流中体泄漏电流与表面泄漏电流的定量分离。本发明具有结构和方法简单、结果可靠的特点，能广泛应用于HEMT器件的材料生长与器件工艺优化及后续的可靠性评估等工作中。

公开(公告)号：CN104062485A

公开(公告)日：2014-09-24

申请号：CN201410319025.8

申请日：2014-07-04

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 郑雪峰 ,  范爽 ,  孙伟伟 ,  张建坤 ,  康迪 ,  王冲 ,  杜鸣 ,  曹艳荣 ,  马晓华 ,  郝跃

IPC: G01R19/00

Abstract: 本发明公开了一种HEMT器件栅泄漏电流中台面泄漏电流的测试方法，主要解决现有技术不能对HEMT器件的栅泄漏电流中台面泄漏电流分离的问题。其实现方案是：制作与被测HEMT器件结构相同，栅电极和源漏电极宽度均为被测HEMT器件α倍的测试辅助器件，α>0且α≠1；利用半导体参数测试设备分别测试被测HEMT器件和HEMT测试辅助器件的栅泄漏电流；将被测HEMT器件的栅泄漏电流乘以α倍与HEMT测试辅助器件栅泄漏电流作差，将结果除以(α-1)项，得到被测HEMT器件的台面泄漏电流。本发明测试方法快速简便，结果准确可靠，能够为后续分析栅泄漏电流中台面泄漏电流产生机理和提高HEMT器件的可靠性提供依据。

公开(公告)号：CN203733810U

公开(公告)日：2014-07-23

申请号：CN201320766525.7

申请日：2013-11-27

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 郑雪峰 ,  范爽 ,  郝跃 ,  王冲 ,  孙伟伟

IPC: H01L29/92 ,  H01L23/544 ,  G01R19/00 ,  G01R31/26

Abstract: 本实用新型公开了一种基于电容结构的HEMT栅泄漏电流分离结构，包括具有不同面积的两个环形肖特基栅电容：第一个肖特基电容和第二个肖特基电容；每个电容为两端结构，包含一个括栅电极和一个欧姆电极；第二个肖特基电容，其肖特基栅为中间部分没有淀积栅金属的环形，栅的外环半径与第一个肖特基电容的半径相等，内环半径为第一个肖特基电容的半径的0.707倍；两个肖特基电容的栅极-欧姆电极之间的距离相同。本实用新型具有结构简单、结果可靠的特点，能广泛应用于HEMT器件的材料生长与器件工艺优化及后续的可靠性评估等工作中。