公开(公告)号：CN117973281A

公开(公告)日：2024-05-03

申请号：CN202410151149.3

申请日：2024-02-02

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 吴振宇 ,  刘孟龙 ,  刘滨洋 ,  柴臻 ,  彭超群

IPC: G06F30/3308 ,  G06F30/367 ,  G06F119/02 ,  G06F119/14

Abstract: 本发明公开了一种针对集成电路NBTI失效的SPICE电路仿真方法，方法包括：先建立NBTI失效模型，再将NBTI失效模型转换为NBTI模块，并结合压控电压源构建等效电压源模块，利用等效电压源模块搭建工作电路，对未经失效注入的工作电路进行SPICE电路仿真，基于SPICE电路仿真结果提取反相器输出电压，根据反相器输出电压提取PMOS管NBTI应力剖面，最后将NBTI应力剖面加载到工作电路的等效电压源模块输入端，对经过失效注入的工作电路进行SPICE电路失效仿真，提取工作电路失效数据进行失效分析；本发明通过使用等效电压源模块，将阈值电压退化量加载到工作电路的PMOS管的栅极中，实现集成电路的NBTI失效仿真，具有仿真速度快，兼容性高的优点。

公开(公告)号：CN119918475A

公开(公告)日：2025-05-02

申请号：CN202411968829.0

申请日：2024-12-30

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 吴振宇 ,  刘滨洋 ,  柴臻 ,  刘孟龙

IPC: G06F30/3308 ,  G06N3/0442 ,  G06N3/084 ,  G06F119/14

Abstract: 本发明具体涉及一种基于神经网络的集成电路耦合失效分析方法，包括：构建环形振荡器电路；将预设应力条件输入基于神经网络的失效分析模型，获取模型输出的阈值电压退化量预测数据；其中，所述失效分析模型用于对PMOS器件的阈值电压退化进行预测；所述应力条件数据与所述环形振荡器电路相匹配；将所述阈值电压退化量预测数据配置到环形振荡器电路中的关键晶体管的栅极，获取对应的电路频率退化数据；将所述电路频率退化数据与预设验证数据进行数据比对获取第一数据比对结果，并基于第一数据比对结果生成耦合失效分析数据。本方法通过建立针对PMOS晶体管NBTI和HCD耦合失效的分析模型，减少了数据分析的误差，并提高了应用范围。

公开(公告)号：CN119918476A

公开(公告)日：2025-05-02

申请号：CN202411969224.3

申请日：2024-12-30

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 吴振宇 ,  刘孟龙 ,  柴臻 ,  刘滨洋

IPC: G06F30/3308 ,  G06N20/00 ,  G06F119/14

Abstract: 本发明具体涉及一种针对集成电路耦合失效的分析方法，包括：构建环形振荡器电路；基于预设电源参数执行所述环形振荡器电路，获取对应的初始状态下的输出电压数据；将所述初始状态输出电压数据输入耦合失效模型，获取模型输出的耦合失效状态下的输出电压数据；其中，所述耦合失效模型基于NBTI效应的反应扩散模型和HCD效应的能量驱动模型构建；获取所述初始初始状态下的输出电压数据、耦合失效状态下的输出电压数据对应的第一振荡频率数据、第二振荡频率数据，并基于所述第一振荡频率数据、第二振荡频率数据确定电路频率性能的退化分析数据。本方法实现了对NBTI效应和HCD效应的失效机制进行联合分析。

公开(公告)号：CN117952052A

公开(公告)日：2024-04-30

申请号：CN202410136393.2

申请日：2024-01-31

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 吴振宇 ,  刘滨洋 ,  刘孟龙 ,  柴臻 ,  彭超群

IPC: G06F30/367 ,  G06F17/10 ,  G06F119/14 ,  G06F119/02

Abstract: 本发明公开一种集成电路耦合失效SPICE仿真方法，基于界面陷阱浓度Nit构建NBTI和HCD效应作用的耦合失效物理模型，将耦合失效物理模型转化为Symbol模块并与压控电压源构建等效电压源模块；搭建SPICE电路，将电压应力剖面解耦加载到等效电压源的电压接口，输出端接入到PMOS晶体管，仿真得到PMOS晶体管阈值电压退化数据，并根据PMOS晶体管阈值电压退化数据生成耦合退化曲线外推至不同失效时间对应的退化量，最后再通过等效电压源将阈值电压的退化数据加载到环形振荡器电路中的PMOS晶体管栅极，进行SPICE电路仿真，得到电路的退化数据；具有提高准确性和提高仿真效率的特点。