公开(公告)号：CN118868188A

公开(公告)日：2024-10-29

申请号：CN202410855067.7

申请日：2024-06-28

Applicant: 西安理工大学

Inventor： 李宁 ,  杨家林 ,  洪涵卓 ,  卓超然

IPC: H02J3/32 ,  H02M3/335 ,  H02M1/088 ,  G06F17/10 ,  G06Q50/06

Abstract: 本发明公开了应用于双有源桥变换器的扩展移相调制策略及优化方法，具体按照以下步骤实施：步骤1，采集DAB变换器数据；步骤2，将采集到的数据，进行功率和电压比计算；步骤3，根据计算结果及给定的外移相比D2，确定DAB变换器功率传输方向及传输功率方式；步骤4，根据当前DAB变换器正向或者反向功率调制方式，使用遍历法，输出移相值。本发明通过优化调制策略，在反向功率传输阶段能够更有效地控制双有源桥变换器的电流应力，减少因电流应力过大导致的设备损坏；由于优化了调制策略，双有源桥变换器在阶段的电流应力得到控制，降低了对开关器件的性能要求，从而降低了开关器件的成本和选型难度。

公开(公告)号：CN117614283A

公开(公告)日：2024-02-27

申请号：CN202311384940.0

申请日：2023-10-24

Applicant: 西安理工大学

Inventor： 李宁 ,  杨家林 ,  张岩 ,  卓超然 ,  洪涵卓 ,  安邦 ,  张鑫

IPC: H02M3/335 ,  H02M1/00

Abstract: 本发明公开了新型低成本隔离型Semi‑Z变换器，包括Semi‑Z电路、整流电路、辅助电感和高频变压器组成，Semi‑Z电路连接母线电容，整流电路连接滤波电容及负载，Semi‑Z电路与整流电路并联，通过磁耦合方式连接所述Semi‑Z电路与所述高频变压器、辅助电感连接于Semi‑Z电路与高频变压器之间，解决了现有双有源桥变换器中控制器件多带来的成本高、可靠性差的问题；本发明还公开了采用DPS调制新型低成本隔离型Semi‑Z变换器的方法，应用传统的双有源桥的调制策略，并且变换器特性与双有源桥变换器相同，可作为双有源桥变换器的一种低成本、高可靠性的替代方案。

公开(公告)号：CN117595697A

公开(公告)日：2024-02-23

申请号：CN202311594899.X

申请日：2023-11-27

Applicant: 西安理工大学

Inventor： 李宁 ,  杨家林 ,  张岩 ,  卓超然 ,  洪涵卓 ,  魏佳喜

IPC: H02M7/5387

Abstract: 本发明公开了新型三相Semi‑Z源逆变器，包括两个单相Semi‑Z电路，两个单相Semi‑Z电路共用一个直流电压源，两个单相Semi‑Z电路的输出端口作为三相交流电的其中两相分别接两个负载，剩余一相的输出电压根据基尔霍夫定律由其他两相的输出电压构成；降低了使用功率开关器件带来的较高成本，并且有效降低了电路复杂度和提高变换器的可靠性；本发明还公开了新型三相Semi‑Z源逆变器的控制方法，可以直接利用单电压闭环进行控制，所以较易于设计闭环控制系统，可以很好的提高系统动态性能。

公开(公告)号：CN119483285A

公开(公告)日：2025-02-18

申请号：CN202411608055.0

申请日：2024-11-12

Applicant: 西安理工大学 ,  乐清市雁荡山电气研究院

Inventor： 李宁 ,  杨家林 ,  洪涵卓 ,  丁乐 ,  任壮志

IPC: H02M3/335 ,  H02M3/28 ,  H02M1/00

Abstract: 本发明公开了应用于双有源桥变换器的高自由度调制策略及优化方法，具体按照以下步骤实施：步骤1，基于DAB变换器中开关的导通顺序及时长确定DAB变换器的工作模式；步骤2，求解各工作模式的稳态特征；步骤3，以电感电流峰值最小为优化目标，利用粒子群算法求出各工作模式下的最小峰值电流；步骤4，将步骤3求得的最优移相值输入到数字信号处理器中。本发明通过创新的DAB变换器调制策略，显著降低了电感电流有效值，大幅拓宽了DAB变换器的软开关工作范围，实现了导通损耗及开关损耗的双重降低，从而在提升电路能效、稳定性和促进技术产业化方面取得了显著成效。

公开(公告)号：CN117498695A

公开(公告)日：2024-02-02

申请号：CN202311264978.4

申请日：2023-09-28

Applicant: 西安理工大学

Inventor： 李宁 ,  柳明 ,  张常杰 ,  杨家林 ,  申盼盼 ,  胡佳乐 ,  王茹月

IPC: H02M3/335 ,  H02M1/08 ,  H02M1/00

Abstract: 本发明公开了混合对称三电平双有源桥直流变换器，包括依次连接的一个前级三电平混合全桥模块H1、一个功率交换模块、一个后级三电平混合全桥模块H2，前级三电平混合全桥模块H1和后级三电平混合全桥模块H2结构完全相同，均由三电平中点钳位半桥和两电平半桥并联组成，功率交换模块由辅助电感Lr和高频变压器T串联组成；本发明还公开了该直流变换器的调制方法为PWM加单移向调制方式，包括划分变换器运行模式，根据KKT算法优化得到优化后的移相比D1和占空比D2，比较不同模式在各自功率调节范围内的电流应力的最小值，确定变换器具体工作模式，根据不同模式下各开关管对应移相比D1和占空比D2控制变换器运行。

公开(公告)号：CN117614282A

公开(公告)日：2024-02-27

申请号：CN202311381499.0

申请日：2023-10-24

Applicant: 西安理工大学

Inventor： 李宁 ,  杨家林 ,  卓超然 ,  张岩 ,  安邦 ,  洪涵卓 ,  张鑫

IPC: H02M3/335 ,  H02M1/00

Abstract: 本发明公开了新型低成本隔离型Semi‑Z变换器，包括Semi‑Z电路、整流电路、辅助电感和高频变压器组成，Semi‑Z电路连接母线电容，整流电路连接滤波电容及负载，Semi‑Z电路与整流电路并联，通过磁耦合方式连接所述Semi‑Z电路与所述高频变压器、辅助电感连接于Semi‑Z电路与高频变压器之间，解决了现有双有源桥变换器中控制器件多带来的成本高、可靠性差的问题；本发明还公开了采用SPS调制新型低成本隔离型Semi‑Z变换器的方法，应用传统的双有源桥的调制策略并且变换器特性与双有源桥变换器相同，可作为双有源桥变换器的一种低成本、高可靠性的替代方案。