公开(公告)号：CN112311463A

公开(公告)日：2021-02-02

申请号：CN202011173826.X

申请日：2020-10-28

Applicant: 西安微电子技术研究所

Inventor： 高苏芳 ,  朱骏 ,  牛士敏 ,  陈龙飞 ,  徐鑫 ,  郑东飞 ,  王云

IPC: H04B10/40

Abstract: 本发明属于混合集成光收发设计领域，公开了一种光收发电路及光收发装置，光收发电路包括驱动器、激光器阵列、检测器阵列、TIA放大器、MT‑FA跳纤和控制电路；驱动器依次连接激光器阵列、MT‑FA跳纤、检测器阵列和TIA放大器，MT‑FA跳纤上设置光接收端和光发射端，控制电路与驱动器和放大器均连接；光收发装置包括光收发电路、高速差分线以及由下至上依次连接的底板、基板、边框和盖板。采用的器件结构简单，能够较好地的兼容现代微电子工艺与混合集成工艺，器件及组装成本低，体积小，能够有效替代现有电传输方式并应用于雷达、航天航空系统中的宽带数据和图像传输，继而解决系统中信号容量大、数据传输损耗大等瓶颈问题。

公开(公告)号：CN112311463B

公开(公告)日：2022-06-14

申请号：CN202011173826.X

申请日：2020-10-28

Applicant: 西安微电子技术研究所

Inventor： 高苏芳 ,  朱骏 ,  牛士敏 ,  陈龙飞 ,  徐鑫 ,  郑东飞 ,  王云

IPC: H04B10/40

Abstract: 本发明属于混合集成光收发设计领域，公开了一种光收发电路及光收发装置，光收发电路包括驱动器、激光器阵列、检测器阵列、TIA放大器、MT‑FA跳纤和控制电路；驱动器依次连接激光器阵列、MT‑FA跳纤、检测器阵列和TIA放大器，MT‑FA跳纤上设置光接收端和光发射端，控制电路与驱动器和放大器均连接；光收发装置包括光收发电路、高速差分线以及由下至上依次连接的底板、基板、边框和盖板。采用的器件结构简单，能够较好地的兼容现代微电子工艺与混合集成工艺，器件及组装成本低，体积小，能够有效替代现有电传输方式并应用于雷达、航天航空系统中的宽带数据和图像传输，继而解决系统中信号容量大、数据传输损耗大等瓶颈问题。

公开(公告)号：CN112987198A

公开(公告)日：2021-06-18

申请号：CN202110217366.4

申请日：2021-02-26

Applicant: 西安微电子技术研究所

Inventor： 苏妍妍 ,  牛士敏 ,  孙程程 ,  高苏芳 ,  郑东飞

IPC: G02B6/42

Abstract: 本发明公开了一种高可靠光收发一体化电路，属于混合集成光收发设计领域。本发明的高可靠光收发一体化电路，基于高温共烧陶瓷(HTCC)工艺，具有开放式的直通腔体与金属底板的阶梯式散热凸台相结合的结构，解决了光电收发电路模块内散热问题；金属底板的阶梯式散热凸台提供了光线耦合的共面基准，能够实现高速信号通道键合丝的水平键合，解决了由高速信号损耗和反射带来的信号质量差的问题。同时，该电路结构将多路高速差分线与壳体引出端键合，并通过差分引脚间地网络的设计，减少了内部芯片与外部引脚的键合带来的反射与损耗，减小了差分线组间串绕，提高了高速差分线信号质量。

公开(公告)号：CN209401621U

公开(公告)日：2019-09-17

申请号：CN201920180502.5

申请日：2019-01-31

Applicant: 西安微电子技术研究所

Inventor： 牛士敏 ,  余欢

IPC: H01L25/065 ,  H01L23/31 ,  H01L23/495

Abstract: 本实用新型公开了一种容量为4G×8bit的非气密三维封装NAND FLASH存储器，四片NAND FLASH芯片依次堆叠设置于引线框架上，上端三层NAND FLASH芯片表层设有接NAND FLASH芯片引脚的铜箔电引层，相邻两个NAND FLASH芯片之间通过固态胶膜粘接，四片NAND FLASH芯片四周外侧设有灌封胶层和外部金属镀化层引线，上端三层NAND FLASH芯片上的铜箔电引层与外部金属镀化层引线连通，最下端的NAND FLASH芯片的引脚直接与外部金属镀化层引线连通，引线框架上设有外引线，外引线连通至外部金属镀化层引线，结构上采用三维堆叠结构，将芯片与互连铜箔在高度方向交替堆叠，形成堆叠体，在与单层芯片所占面积接近的情况下实现了存储器容量的扩充，显著减少存储器器件占用PCB板的平面空间，利于系统的小型化。