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公开(公告)号：CN116246880A
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN202310405214.6
申请日：2023-04-14
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: H01F41/06
Abstract: 本发明公开了一种极低漏感的反激变压器绕组方法，原边绕组同层同侧出线，副边绕组同侧不同层出线，大大减小了出线端的回路面积，线圈回路更加完整，原副边耦合程度增强，可将变压器漏感减小到极低的数值，原边绕组和副边绕组以交错层叠的方式绕制在磁芯上，减少了变压器漏感，减少了磁性损耗，同时不会增加铜损和匝间寄生电容。
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