一种Ti合金表面纳米化辅助制备的Si-Co-Y共渗层及其制备方法

    公开(公告)号:CN110438441B

    公开(公告)日:2021-07-27

    申请号:CN201910864277.1

    申请日:2019-09-12

    Inventor: 张聪惠 田进 田伟

    Abstract: 本发明还公开了一种Ti合金表面纳米化辅助制备的Si‑Co‑Y共渗层及其制备方法,本发明利用表面纳米化与扩散共渗工艺相结合的方式,通过高能喷丸在基体合金表面制备出纳米化组织,增加晶界数量和晶界缺陷,提高基体合金的表面活性,促进共渗过程中被渗原子在基体合金表面的吸附,并且喷丸引入的大量空位和位错能够促进被渗原子在基体合金中的扩散,进而促进Si、Co和Y的共渗,获得耐磨性能和高温抗氧化性能优良的Ti合金表面防护涂层体系,对于促进和拓展Ti合金的实际应用,具有重要意义和工程价值。

    一种Ti合金表面纳米化辅助制备的Si-Co-Y共渗层及其制备方法

    公开(公告)号:CN110438441A

    公开(公告)日:2019-11-12

    申请号:CN201910864277.1

    申请日:2019-09-12

    Inventor: 张聪惠 田进 田伟

    Abstract: 本发明还公开了一种Ti合金表面纳米化辅助制备的Si-Co-Y共渗层及其制备方法,本发明利用表面纳米化与扩散共渗工艺相结合的方式,通过高能喷丸在基体合金表面制备出纳米化组织,增加晶界数量和晶界缺陷,提高基体合金的表面活性,促进共渗过程中被渗原子在基体合金表面的吸附,并且喷丸引入的大量空位和位错能够促进被渗原子在基体合金中的扩散,进而促进Si、Co和Y的共渗,获得耐磨性能和高温抗氧化性能优良的Ti合金表面防护涂层体系,对于促进和拓展Ti合金的实际应用,具有重要意义和工程价值。

    一种淋浴房用相变余热回收通风供暖系统

    公开(公告)号:CN113405149A

    公开(公告)日:2021-09-17

    申请号:CN202110832927.1

    申请日:2021-07-22

    Abstract: 本发明公开了一种淋浴房用相变余热回收通风供暖系统,供暖水管网栅嵌入设置在淋浴房的底部区域和周侧墙板靠近底部的2/3区域内;供暖水管网栅的热水循环管道入口通过第一连接管道与淋浴房的内排水口连接;第一连接管道通过第二连接管道与淋浴房进水口的供淋浴热水管道连接,第一连接管道和第二连接管道均与供暖水管网栅内的蛇形盘管的初始端连接,蛇形盘管的末端通过第三连接管道与淋浴房的外排水口连接;第一连接管道、第二连接管道和蛇形盘管分别连接微型智能分析控制器,能够实现管道内热水的温度和流程控制;相变余热回收通风墙板嵌入设置在淋浴房的周侧墙板靠近顶部的1/3区域内。本发明能够实现淋浴房内节能、舒适的通风供暖效果。

    一种天车定位装置及其方法
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN110921509A

    公开(公告)日:2020-03-27

    申请号:CN201911348822.8

    申请日:2019-12-24

    Abstract: 本发明公开了一种天车定位装置及其方法,包括大车运行机构底座,大车运行机构底座的顶端与天车的大车运行机构连接,大车运行机构底座的底端与一次定位装置连接,一次定位装置用于控制重型工件的摆动,一次定位装置两侧的大车运行机构底座上分别设置有动力滑轮,动力滑轮的滑轮钢绳穿过二次定位臂中心与H形快装挂钩连接,H形快装挂钩通过电机驱动动力滑轮升降完成H形快装挂钩与U形臂的悬挂与脱钩,动力滑轮连接控制系统用于实现一次定位装置升降及自动化控制。本发明自动化程度高、可靠性高、效率高,实现执行机构的精准定位。

    一种垂直结构LED蓝光外延的制备方法

    公开(公告)号:CN106206881B

    公开(公告)日:2019-02-12

    申请号:CN201610794752.9

    申请日:2016-08-31

    Abstract: 本发明公开了一种垂直结构LED蓝光外延的制备方法,分别以氨气、高纯三甲基铟(TMIn)、TMAl、TEGa、以及高纯三甲基镓(TMGa)为源,分别以SiH4和Cp2Mg作为n和p型掺杂剂,以氢气或氮气为载气,通入反应室与氨气在900~1100℃发生化学反应,生成Ⅲ—Ⅴ族化合物半导体,在蓝宝石、硅片、碳化硅片或石英玻璃片上按一定的晶格次序沉积,制成所述外延结构。本发明通过工艺参数优化和调整将外延材料晶体质量(缺陷密度)控制在合理范围,晶体质量对产品的光电参数都存在一定的影响,采用修复层及基底技术提高衬底转移良品率,修复层及基底技术可以良好的释放衬底与外延层之间应力。

    一种垂直结构LED蓝光外延的制备方法

    公开(公告)号:CN106206881A

    公开(公告)日:2016-12-07

    申请号:CN201610794752.9

    申请日:2016-08-31

    CPC classification number: H01L33/0075 H01L33/12 H01L33/32

    Abstract: 本发明公开了一种垂直结构LED蓝光外延的制备方法,分别以氨气、高纯三甲基铟(TMIn)、TMAl、TEGa、以及高纯三甲基镓(TMGa)为源,分别以SiH4和Cp2Mg作为n和p型掺杂剂,以氢气或氮气为载气,通入反应室与氨气在900~1100℃发生化学反应,生成Ⅲ—Ⅴ族化合物半导体,在蓝宝石、硅片、碳化硅片或石英玻璃片上按一定的晶格次序沉积,制成所述外延结构。本发明通过工艺参数优化和调整将外延材料晶体质量(缺陷密度)控制在合理范围,晶体质量对产品的光电参数都存在一定的影响,采用修复层及基底技术提高衬底转移良品率,修复层及基底技术可以良好的释放衬底与外延层之间应力。

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