公开(公告)号：CN115508594A

公开(公告)日：2022-12-23

申请号：CN202211213693.3

申请日：2022-09-30

Applicant: 西安交通大学 ,  渭南木王智能科技股份有限公司

Inventor： 方续东 ,  吴俊侠 ,  吴晨 ,  梁鹏程 ,  孙昊 ,  方子艳 ,  邓武彬 ,  高博楠 ,  丁崇亮 ,  申啸

IPC: G01R1/067 ,  G01R31/28

Abstract: 本发明公开了一种晶圆级测试用MEMS探针制备方法，采用微铸造工艺制备探针本体，之后在探针本体表面沉积绝缘隔离层，在绝缘隔离层表面制备屏蔽金属层来完成探针的制备。由于MEMS技术的良好微细加工能力，采用本技术方案可制备一致性好、精度高、抗干扰能力强的，适用于高针数并列测试的探针。

公开(公告)号：CN115508594B

公开(公告)日：2024-11-15

申请号：CN202211213693.3

申请日：2022-09-30

Applicant: 西安交通大学 ,  渭南木王智能科技股份有限公司

Inventor： 方续东 ,  吴俊侠 ,  吴晨 ,  梁鹏程 ,  孙昊 ,  方子艳 ,  邓武彬 ,  高博楠 ,  丁崇亮 ,  申啸

IPC: G01R1/067 ,  G01R31/28

Abstract: 本发明公开了一种晶圆级测试用MEMS探针制备方法，采用微铸造工艺制备探针本体，之后在探针本体表面沉积绝缘隔离层，在绝缘隔离层表面制备屏蔽金属层来完成探针的制备。由于MEMS技术的良好微细加工能力，采用本技术方案可制备一致性好、精度高、抗干扰能力强的，适用于高针数并列测试的探针。

公开(公告)号：CN114199306A

公开(公告)日：2022-03-18

申请号：CN202111482103.2

申请日：2021-12-06

Applicant: 西安交通大学

Inventor： 方续东 ,  梁鹏程 ,  方子艳 ,  赵立波 ,  田边 ,  吴晨 ,  孙昊 ,  邓武彬 ,  高博楠 ,  吴俊侠 ,  王淞立 ,  朱楠 ,  孙林 ,  蒋庄德

IPC: G01D21/02 ,  G01L1/14 ,  G01K7/02

Abstract: 本发明公开了一种测量热流密度以及压力的复合式薄膜传感器及制备方法，包括电容式薄膜压力传感部分和热流密度传感部分；电容式薄膜压力传感部分包括掺杂硅基底，掺杂硅基底下方自上至下依次设置有介质绝缘层、多晶硅层和压感基底，压感基底与掺杂硅基底之间具有真空密封腔，压感基底上设置有电容下极板，电容下极板位于真空密封腔中，真空密封腔正上方的掺杂硅基底为电容上极板；热流密度传感部分包括热电堆层基底、热电堆层和热阻层；热电阻层包括热电阻冷端和热电阻层热端，热电堆层包括依次连接且间隔设置的第一热电偶和第二热电偶。采用铜和康铜作为热电偶电极材料，材料易得，生产成本低，适合于大规模工业生产。