基于FPGA的多MCU读写NANDFlash的实现方法

    公开(公告)号:CN105955919A

    公开(公告)日:2016-09-21

    申请号:CN201610272689.2

    申请日:2016-04-27

    CPC classification number: G06F15/17

    Abstract: 本发明提供一种基于FPGA的多MCU读写NANDFlash的实现方法,利用FPGA强大的逻辑运算和方便的时序电路设计能力,巧妙地设计控制开关Act_A、Act_B……Act_N寄存器型变量作为MCU_1、MCU_2……MCU_N选通NANDFlash的开关,Act_A、Act_B……Act_N只有高低电平两种状态,彼此互锁,同一时刻只能有一个控制开关为高电平状态,保证同一时刻只有一个MCU读写NANDFlash;利用FPGA作为中间桥梁,不仅简化了硬件电路结构,降低了成本,也解决了越来越多的电子设备以及工业领域中多MCU访问存储设备冲突的问题;同时FPGA又能方便地进行时序电路的设计,使得多MCU读写NANDFlash的控制程序具有广泛的移植性,大大简化了编程的难度。

    基于FPGA的多MCU读写NANDFlash的实现方法

    公开(公告)号:CN105955919B

    公开(公告)日:2019-02-05

    申请号:CN201610272689.2

    申请日:2016-04-27

    Abstract: 本发明提供一种基于FPGA的多MCU读写NANDFlash的实现方法,利用FPGA强大的逻辑运算和方便的时序电路设计能力,巧妙地设计控制开关Act_n(n≤16)寄存器型变量作为MCU_n(n≤16)选通NANDFlash的开关,Act_n只有高低电平两种状态,彼此互锁,同一时刻只能有一个控制开关为高电平状态,保证同一时刻只有一个MCU读写NANDFlash;利用FPGA作为中间桥梁,不仅简化了硬件电路结构,降低了成本,也解决了越来越多的电子设备以及工业领域中多MCU访问存储设备冲突的问题;同时FPGA又能方便地进行时序电路的设计,使得多MCU读写NANDFlash的控制程序具有广泛的移植性,大大简化了编程的难度。

Patent Agency Ranking