公开(公告)号：CN103021445B

公开(公告)日：2015-10-28

申请号：CN201210500359.6

申请日：2012-11-28

Applicant: 西安交通大学

Inventor： 张国和 ,  李剑雄 ,  赵晨 ,  姚思远 ,  顾亦熹

IPC: G11C7/06

Abstract: 本发明公开了一种抗单粒子翻转的敏感放大器，包括预充电电路、输入控制结构和锁存电路；预充电电路的输入端口分别连接预充电信号线和两条互补数据输入线，预充电电路分别将两条互补数据输入线与电源相连，并将两条互补数据输入线相连接，使互补数据输入线预充电平衡。与传统敏感放大器相比，本发明提供的一种抗单粒子翻转的敏感放大器，在实现敏感放大器功能的同时，具有抗单粒子翻转加固能力；根据TSMC 0.18um工艺模拟结果，本发明可以实现翻转阈值大于500MeV·cm2·mg-1。

公开(公告)号：CN102723109B

公开(公告)日：2015-03-04

申请号：CN201210222441.7

申请日：2012-06-29

Applicant: 西安交通大学

Inventor： 张国和 ,  姚思远 ,  李剑雄 ,  赵晨 ,  顾亦熹

IPC: G11C11/413

Abstract: 一种新型的抗单粒子翻转的SRAM存储单元，包括依次串联的第一输入输出端口、第一电位翻转恢复驱动电路、电压保持电路、第二电位翻转恢复驱动电路、第二输入输出端口。本发明可以实现敏感节点遭受高能粒子轰击，发生电压翻转时的自动恢复功能。根据TSMC 0.18um工艺模拟结果，本发明可以实现翻转阈值LETth大于500MeV/(mg·cm2)；与现有的抗单粒子翻转存储单元比较，具有写入速度快的特点；能够有效缩短了恢复时间；采用单向时钟和小时钟摆幅，时钟网络比较简单，可靠性较高；时钟只与读写晶体管栅极连接，时钟负载比较小；敏感节点对分别位于P型管与N型管的漏极对单粒子引起的多节点翻转有一定的加固作用。

公开(公告)号：CN102723109A

公开(公告)日：2012-10-10

申请号：CN201210222441.7

申请日：2012-06-29

Applicant: 西安交通大学

Inventor： 张国和 ,  姚思远 ,  李剑雄 ,  赵晨 ,  顾亦熹

IPC: G11C11/413

Abstract: 一种新型的抗单粒子翻转的SRAM存储单元，包括依次串联的第一输入输出端口、第一电位翻转恢复驱动电路、电压保持电路、第二电位翻转恢复驱动电路、第二输入输出端口。本发明可以实现敏感节点遭受高能粒子轰击，发生电压翻转时的自动恢复功能。根据TSMC 0.18um工艺模拟结果，本发明可以实现翻转阈值LETth大于500MeV/(mg·cm2)；与现有的抗单粒子翻转存储单元比较，具有写入速度快的特点；能够有效缩短了恢复时间；采用单向时钟和小时钟摆幅，时钟网络比较简单，可靠性较高；时钟只与读写晶体管栅极连接，时钟负载比较小；敏感节点对分别位于P型管与N型管的漏极对单粒子引起的多节点翻转有一定的加固作用。

公开(公告)号：CN103021445A

公开(公告)日：2013-04-03

申请号：CN201210500359.6

申请日：2012-11-28

Applicant: 西安交通大学

Inventor： 张国和 ,  李剑雄 ,  赵晨 ,  姚思远 ,  顾亦熹

IPC: G11C7/06

Abstract: 本发明公开了一种抗单粒子翻转的敏感放大器，包括预充电电路、输入控制结构和锁存电路；预充电电路的输入端口分别连接预充电信号线和两条互补数据输入线，预充电电路分别将两条互补数据输入线与电源相连，并将两条互补数据输入线相连接，使互补数据输入线预充电平衡。与传统敏感放大器相比，本发明提供的一种抗单粒子翻转的敏感放大器，在实现敏感放大器功能的同时，具有抗单粒子翻转加固能力；根据TSMC 0.18um工艺模拟结果，本发明可以实现翻转阈值大于500MeV·cm2·mg-1。