公开(公告)号：CN102708219B

公开(公告)日：2014-03-12

申请号：CN201110417640.9

申请日：2011-12-13

Applicant: 西安交通大学

Inventor： 韦素芬 ,  邵志标 ,  耿莉

IPC: G06F17/50

Abstract: 本发明公开了一种预测深亚微米集成电路互连线全开路缺陷电压值的方法，该方法在芯片设计阶段准确而高效地确定互连线全开路缺陷点的电压。包括以下步骤：首先建立第一个电压预测模型。在此基础上建立第二个电压预测模型。然后，对疑似存在开路缺陷的金属线，提取它周围信号线的耦合电容值，利用第二个电压预测模型计算出电压逻辑。在可测性设计的自动测试向量生成步骤中，加载与计算出的电压逻辑相反的测试向量，若观测到的开路电压逻辑等于由第二个电压预测模型得到的计算值，则说明此处有全开路缺陷。本发明的有益效果是：建立准确而且在工程上有可行性意义的两个电压模型；并且提出将两个模型结合使用的完整方法。

公开(公告)号：CN102708219A

公开(公告)日：2012-10-03

申请号：CN201110417640.9

申请日：2011-12-13

Applicant: 西安交通大学

Inventor： 韦素芬 ,  邵志标 ,  耿莉

IPC: G06F17/50

Abstract: 本发明公开了一种预测深亚微米集成电路互连线全开路缺陷电压值的方法，该方法在芯片设计阶段准确而高效地确定互连线全开路缺陷点的电压。包括以下步骤：首先建立第一个电压预测模型。在此基础上建立第二个电压预测模型。然后，对疑似存在开路缺陷的金属线，提取它周围信号线的耦合电容值，利用第二个电压预测模型计算出电压逻辑。在可测性设计的自动测试向量生成步骤中，加载与计算出的电压逻辑相反的测试向量，若观测到的开路电压逻辑等于由第二个电压预测模型得到的计算值，则说明此处有全开路缺陷。本发明的有益效果是：建立准确而且在工程上有可行性意义的两个电压模型；并且提出将两个模型结合使用的完整方法。