-
公开(公告)号：CN118981023A
公开(公告)日：2024-11-19
申请号：CN202411066006.9
申请日：2024-08-05
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明属于定位制导技术领域，涉及一种基于单光子探测器的测距方法、系统和装置。本发明方法如下：产生编码数据，根据编码数据产生光脉冲信号，光脉冲信号用于光发射模块发射光脉冲；采用追踪模式获取反射光信号，解调反射光信号得到光脉冲反射电信号，所述反射光信号为光发射模块发射的光脉冲遇到目标物反射后的光信号；采用卷积算法对光脉冲反射电信号进行卷积操作，得到卷积测距结果；根据光脉冲反射电信号获取直方图测距结果；根据卷积测距结果和直方图测距结果得到目标测距结果。本发明通过卷积测距和直方图测距相配合，实现了远距离和高速状态下的高精度测距，抗干扰能力强。
-
公开(公告)号：CN118826646A
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202411007268.8
申请日：2024-07-25
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种带低功耗校准环路的毫米波正交压控振荡器，包括正交压控振荡器的输入端连接输入信号，正交压控振荡器的采样端及输入信号的正极分别与同频采样开关的输入端连接，同频采样开关的输出端与低通滤波器的输入端连接，低通滤波器的输出端与电压电流转换模块的输入端连接，电压电流转换模块的输出端与正交压控振荡器的控制端连接，正交压控振荡器的输出端输出正交信号；正交压控振荡器由两个压控振荡器和一个耦合网络组成，压控振荡器的谐振腔包括交叉耦合管、二极管连接式晶体管和电感变压器，交叉耦合管的栅极和源极通过电感变压器耦合，交叉耦合管的漏极与二极管连接式晶体管相连，耦合网络与交叉耦合管的源极连接。
-
公开(公告)号：CN113114118B
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202110438491.8
申请日：2021-04-22
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种超级差分跨阻放大器结构及光电二极管连接方法。超级差分跨阻放大器结构为：将上方差分子信号通道和下方差分子信号通道在电压域下堆叠，共用偏置电流；通过直流耦合的方式将光电二极管两端分别连接到上方差分子信号通道和下方差分子信号通道的跨阻放大器输入，反相偏置了光电二极管，使光电二极管电流信号变为差分输出。通过上方、下方堆叠的差分子信号通道检测光电二极管的差分输出，得到两路差分输出经过电平移位后，最后在输出缓冲器级合成一路差分信号输出。通过复用光电二极管的输出电流，使跨阻放大器的跨阻增益翻倍，输入参考噪声降低。能更好的抑制偶次谐波，拥有更好的线性度。
-
公开(公告)号：CN118334459A
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202410507069.7
申请日：2024-04-25
Applicant: 西安交通大学
IPC: G06V10/771 , G06V10/72 , G06T7/77 , G06T1/20
Abstract: 本发明公开了基于RANSAC的视频流特征点外点筛选算法硬件实现方法和系统，方法包括缓冲区读取视频流图像的掩膜背景和视频流图像的特征点信息进行数据准备；计算随机数并利用随机数并行产生的索引从特征点信息中选取抽样数据队列；利用抽样数据队列获得系数矩阵并进行重排，对重排后的系数矩阵进行影射变换的求解得到单应矩阵模型；计算单应矩阵模型的推测值与实际值的Chebyshev距离差，比较Chebyshev距离差与预设阈值选取最优模型，对最优模型的特征点进行筛选得到筛选后的特征点，根据响应值的大小排序得到排序后的特征点；对排序后的特征点进行掩膜处理，根据掩膜网格占据率筛除过时特征点，得到后处理的特征点信息和掩膜；将后处理的特征点信息和掩膜通过BRAM接口输出。
-
公开(公告)号：CN118228668A
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202410436506.0
申请日：2024-04-11
Applicant: 西安交通大学
IPC: G06F30/367 , G06F17/11 , G06F119/08
Abstract: 本发明公开了一种考虑物理特性的非分段SiC MOSFET器件温度模型的建立方法，包括如下步骤：根据实际测试的不同温度下的输出特性曲线和电容曲线，通过数学拟合方法得到器件模型中的待定参数，建立SiC MOSFET器件模型用于基于SPICE工具的电路仿真，建立SiC MOSFET器件模型包括：建立器件的等效电路模型，对器件进行整体描述，器件的等效电路模型包括器件的输出电流模型、器件的电容模型及器件的温度模型；根据器件实测的室温下输出特性曲线得到器件的输出电流模型；根据器件实测的电容曲线得到器件的电容模型；根据器件实测的不同温度下的输出特性曲线得到器件的温度模型。本发明提出的模型采用连续的方程，利于模型参数的计算与仿真收敛。
-
Patent Agency Ranking
-
公开(公告)号：CN116781012A
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202310776864.1
申请日：2023-06-28
Applicant: 西安交通大学
IPC: H03B5/04 , H03B5/12 , H03K19/0175
Abstract: 本发明提出了一种基于模式切换共模和差模电感的双核宽调谐毫米波压控振荡器，在头部栅端电感的基础上，增加了头部漏端电感、头部源端电感，从而在小面积下实现较大的共模和差模感值差异，通过模式切换共模和差模电感值来定频以扩宽双核VCO的频率调谐范围并保持低相位噪声。本发明通过调节头部栅端电感、头部漏端电感和两者之间的耦合系数可灵活地改变等效共模电感，有效控制共模的最高频和差模的最低频之间的频率代沟。
-
公开(公告)号：CN111446154B
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN202010374301.6
申请日：2020-05-06
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种基于超临界CO2处理的4H‑SiC/SiO2界面低温改善方法及其应用，将待处理的碳化硅样品进行标准清洗；将清洗后的碳化硅样品干氧氧化生长氧化层；将带有氧化层的碳化硅样品放置到超临界设备内支架上，保证样品垂直；向超临界设备的腔室内放入去离子水，然后将设备密封；控制压强向超临界设备内充入二氧化碳；将超临界设备温度从25℃升到150℃；保持以上超临界状态处理，降压处理并保持；反应结束后将反应釜温度降至室温，停止增压泵，降压至大气压后取出。本发明不仅可以有效降低界面态密度还可以显著降低工艺温度，并且不会将外来原子引入到氧化层中。
-
公开(公告)号：CN111583390B
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202010350966.3
申请日：2020-04-28
Applicant: 西安交通大学
IPC: G06T17/00 , G06T15/00 , G06V10/774 , G06V10/764 , G06V10/82 , G06N3/0464 , G06N3/08
Abstract: 本发明基于深度语义融合的卷积神经网络的三维语义图重建方法，是在单目相机条件下进行算法设计。该方法首先设计一个深度语义融合的卷积神经网络，对一直单目图像的每个像素点估计深度和预测语义。之后将深度估计的矩阵和语义分割的矩阵保存为深度图像和语义图像。然后以图像左上角为坐标原点为每个像素点建立三维坐标，结合每个像素点对应的RGB信息得到点云数据。最后生成三维语义图。相比与分别进行图像的深度估计和语义分割的两个卷积神经网络，基于深度语义融合的卷积神经网络在准确率几乎不变的情况下，参数量分别减少了20倍和40倍，同时网络推理时间缩短了一半。
-
公开(公告)号：CN115856846A
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202211689957.2
申请日：2022-12-27
Applicant: 西安交通大学
IPC: G01S7/497
Abstract: 本发明公开了一种使用相干探测的传感器阵列测试平台，光学镜头组将光源中发射的激光分为信号光和本振光，信号光投射向目标，目标反射后进行扩束，形成近似平行光，本振光经过汇聚、准直后形成近似平行光；两者经过合束、分束后，分别在两个像平面上汇聚，实现信号光和本振光的相干，传感器阵列与运动控制模块连接后，分别放置在两个像平面的位置，传感器阵列将光信号转换为电信号，上位机将电信号转换为测量信息。通过采用运动控制模块移动待测传感器阵列，使得光路更为稳定，在上位机中计算，得到目标速度和距离信息，实现焦平面阵列的相干测速和测距，更接近实际的测试环境，有效测试区域覆盖较大的面积，同时完成全阵列的测试，节约测试时间。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
249
records
(took 0.039 seconds)
