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公开(公告)号：CN113504418B
公开(公告)日：2022-10-25
申请号：CN202110714275.1
申请日：2021-06-25
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明基于椭圆单极子贴片天线的导电材料宽带无源互调表征方法，包括：1)校准：将校准铜箔贴片通过焊锡连接到天线馈线上，测试天线电参数和反射PIM，确保回路连接状态和低互调特性；2)待测材料更换：清理天线馈线和铜箔贴片之间的连接材料，取下校准铜箔，清洗干净后装配好待测材料；3)表征MUT互调特性；4)测试完所有待测材料；5)检验：观察是否有超过两种MUT的反射PIM落在接收系统灵敏度以下，如果是，以1dB的步长提高输入功率，直到MUT的PIM幅值落在PIM测试系统测试阈值中；6)归一化：根据3)的测试结果，将所有MUT的测试结果按照PIM测试结果+(43‑测试输入功率)*2.5的公式进行归一化，近似得到所有DUT在43dBm双载波激励下的PIM测试结果。
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公开(公告)号：CN114899310A
公开(公告)日：2022-08-12
申请号：CN202210505146.6
申请日：2022-05-10
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种石墨烯三维霍尔磁传感器的制备方法。该方法通过原子层沉积、光刻、电子束蒸镀、等离子体刻蚀、高温退火与湿法腐蚀工艺相结合的方法实现石墨烯三维霍尔磁传感器的制备。其优点在于通过退火处理和ALD生长Al2O3保护层使得石墨烯材料保持高迁移率和低载流子浓度的状态，获得高灵敏度的磁传感性能，其电流霍尔灵敏度可达2000V/(A·T)；同时引入聚磁结构的设计，使面内磁场转化成垂直磁场，并增强磁场强度，进一步提升磁场探测灵敏度，其电流霍尔灵敏度可达5000V/(A·T)；通过四个霍尔传感单元的组合设计探测和后处理计算实现三维磁场探测。本发明基于石墨烯材料的高灵敏度三维磁传感传感器的制备具有极大的实际意义、研究价值和应用潜力。
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公开(公告)号：CN109781759B
公开(公告)日：2020-07-28
申请号：CN201811629995.2
申请日：2018-12-28
Applicant: 西安交通大学
IPC: G01N23/225 , G01B15/00
Abstract: 本发明公开了一种电子枪束斑尺寸的测量装置及方法，包括样品位移台、放置于样品位移台上的束斑探测器以及测量束斑探测器在不同位置处时的二次电子发射系数的二次电子发射系数测量装置，待测电子枪位于束斑探测器的正上方，且待测电子枪发射电子的方向垂直于束斑探测器的上表面，该装置及方法能够较为准确的测量电子枪束斑的尺寸。
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公开(公告)号：CN106248776B
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：CN201610629253.4
申请日：2016-08-03
Applicant: 西安交通大学
IPC: G01N27/64
Abstract: 本发明为一种可检测多组份混合气体的传感器阵列，由n个不同极间距的金纳米孔薄膜三电极电离式传感器组成。传感器包括三个自下而上依次分布的第一、第二和第三电极，第一电极由内表面附着有分布着金纳米孔的金属膜基底及设有小透气孔的电极构成；第二电极由中心设有小引出孔的引出极构成；第三电极由板面设有槽的收集极构成；三个电极分别通过绝缘支柱相互隔离；n个金纳米孔薄膜三电极电离式传感器第一电极制作在同一极板上；三电极之间的极间距按照透气孔和引出孔的孔径以及槽的边长和槽深设定。本发明不需要分离混合气体，通过改变极间距识别不同组分气体，通过电流检测各组份浓度，与现有技术对比有较大的收集电流和灵敏度。
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公开(公告)号：CN106643587A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201610825264.X
申请日：2016-09-14
Applicant: 西安交通大学
IPC: G01B15/02
CPC classification number: G01B15/02
Abstract: 本发明公开了一种基于微波透射法的金属薄膜厚度测量方法，包括如下步骤：选取与待测样品工艺参数相同的样品作为校准样品；测量校准样品的方块电阻、膜厚、插损；依据校准样品测试数据获得金属薄膜插损‑膜厚关系曲线；测量待测样品的插损；依据插损‑膜厚关系曲线和待测样品的插损计算得到待测样品的金属薄膜厚度。本发明实现无损测量金属膜厚，而且能广泛应用于集成电路、太阳能电池、探测器等领域，具有一定的普适性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106324062A
公开(公告)日：2017-01-11
申请号：CN201610630041.8
申请日：2016-08-03
Applicant: 西安交通大学
IPC: G01N27/407
CPC classification number: G01N27/4075
Abstract: 本发明公开了一种金纳米孔薄膜电离式一氧化碳传感器，包括三个自下而上依次分布的第一、第二和第三电极，第一电极由内表面附着有分布着蒸发沉积法生长金纳米孔薄膜的金属膜基底及设有小透气孔的电极构成；第二电极由中心设有小引出孔的引出极构成；第三电极由板面设有小槽的收集极构成；三电极分别通过绝缘支柱相互隔离；小透气孔的孔径为0.8～5mm、小引出孔的孔径为1.2～7mm，小槽的边长和槽深分别为1.2×1.2～7×9mm和50～220μm；三电极之间的极间距按照小透气孔、小引出孔的孔径和小槽的边长和槽深设定。该金纳米孔薄膜电离式一氧化碳传感器根据电流大小检测气体浓度，工作电压小，收集极电流大，灵敏度高，可检测氮气背景气体中的一氧化碳气体。
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公开(公告)号：CN103794674B
公开(公告)日：2016-06-08
申请号：CN201410014550.9
申请日：2014-01-13
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L31/102 , H01L31/0296 , H01L31/0224 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种基于高阻ZnO单晶的光电导型X射线探测器，包括ZnO单晶基片，ZnO单晶基片的上表面镀有上电极及环形结构的保护环，上电极位于保护环的中部，保护环与上电极之间有均匀间隙，ZnO单晶基片的下表面镀有下电极，上电极及保护环自上到下依次均包括第一Al膜层及第一AZO膜层，下电极自上到下依次包括第二AZO膜层及第二Al膜层；相应的，本发明还提供了一种基于高阻ZnO单晶的光电导型X射线探测器的制备方法，本发明制备的基于高阻ZnO单晶的光电导型X射线探测器耐高压性强，同时具有低噪声的特性，并且成本低。
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公开(公告)号：CN102732931B
公开(公告)日：2015-03-04
申请号：CN201210215782.1
申请日：2012-06-27
Applicant: 西安交通大学 , 西安空间无线电技术研究所
Abstract: 一种利用纳米结构镀层抑制微波部件表面二次电子发射的方法，微波部件经必要清洗后先涂刷保护胶，将不用处理的表面保护起来，然后利用磷酸进行电化学腐蚀处理,使铝合金表面形成孔径为100nm左右、深宽比大于10的多孔氧化铝膜层；反复清洗后去除保护胶，然后立即在氧化膜上蒸发镀一层厚度为50nm左右的银层，最后进行真空热处理。这样的处理一方面可改善镀层与基底的结合力，另一方面利用纳米银熔点显著降低的特性，使纳米银在氧化层表面自组装形成纳米陷阱结构的同时还能很好地保持镀银层连续性，在保证一定导电性的基础上实现了对二次电子发射的抑制。该方法与现行的微波部件处理工艺衔接良好，微波部件表面的二次电子发射系数受到明显抑制。
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公开(公告)号：CN102522282A
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：CN201110384129.3
申请日：2011-11-28
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种光纤波导型光调制场发射纳米阴极及其制备方法。该光调制场发射的纳米阴极是指在光纤表面制作场发射纳米阴极，激光在沿光纤传播的途中将光能传递给场发射阴极，使得处于场发射阈值附近的纳米冷阴极在光场的作用下开启，以实现一种光调制的场发射冷阴极。从而为微波器件以及超快电子衍射系统或超快电子显微技术提供一种新型的微型化高频光脉冲调制场发射冷阴极电子源。
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公开(公告)号：CN101691670B
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：CN200910024218.X
申请日：2009-10-10
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种利用磷酸锌掺杂氧化锌(磷酸锌原子百分比0.5％)的高温烧结(1000℃-1200℃)的陶瓷靶材，使用等离子辅助激光分子束外延设备，高真空条件下(本底真空度为10-7Pa，生长氧气氛分压为10-3Pa，射频功率300W-450W)，采用两步法外延生长磷掺杂P型氧化锌的新工艺：首先，生长Mg0.1Zn0.9O双缓冲层(低温400℃和高温600℃)；然后再在缓冲层上外延生长磷掺杂氧化锌薄膜，成功实现了原生薄膜的P型导电类型转变；并且通过常压氧气气氛下快速退火工艺，改善了磷掺杂P型氧化锌薄膜的光学和电学性质。
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