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公开(公告)号：CN113960158A
公开(公告)日：2022-01-21
申请号：CN202111223301.7
申请日：2021-10-20
Applicant: 西安交通大学
IPC: G01N27/9013
Abstract: 一种基于TMR传感器的高精度磁成像系统及方法，包括二维移动平台、传感模块、数据采集模块和自动控制模块；传感模块位于二维移动平台上方，自动控制模块通过数据采集模块连接传感模块；二维移动平台带动样品沿二维方向扫描移动，传感模块进行涡流激励及磁信号获取，数据采集模块对信号进行预处理并发送至自动控制模块，自动控制模块对磁信号进行进一步计算处理及向交互界面输出磁场图像，同时控制扫描平台及数据采集组件工作。本发明补充了TMR在二维磁成像领域的应用，完善了涡流探测技术，使其灵敏度、可探测深度进一步提高。同时可以完成非涡流条件下的高精度弱磁信号的二维成像。本发明灵敏度高、精度高、功耗低、结构简单、成本可控。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110212085B
公开(公告)日：2020-11-10
申请号：CN201910477142.X
申请日：2019-06-03
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 测量范围可调的巨磁电阻传感器，包括基底、巨磁电阻结构和导电层；巨磁电阻结构和导电层均设置在基底上表面，且导电层设置在巨磁电阻结构的周围；巨磁电阻结构包括第一缓冲层、第二缓冲层、钉扎层、隔离层和两个铁磁层，两个铁磁层分别为被钉扎层和自由层；第一缓冲层设置在基底上表面，第一缓冲层上自下而上依次设置钉扎层、被钉扎层、隔离层、自由层和第二缓冲层，形成巨磁电阻结构。本发明利用磁电复合材料中磁各向异性场的电场调控效应，首次实现了使用电场对巨磁电阻结构中自由层的磁化方向的调节，具有灵敏度较高、体积小、功耗低、可靠性高、温度特性好、可集成化等优点。并首次将此原理应用于巨磁电阻传感器中，实现了巨磁电阻传感器线性输出范围的大幅提高和连续调节。测量范围可调的巨磁电阻传感器可用于车载电子、物联网和可穿戴设备等微型磁传感器芯片。
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公开(公告)号：CN109888088B
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN201910155838.0
申请日：2019-03-01
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 一种磁阻传感器结构及其制造方法，包括基底、缓冲层、相变结构、绝缘层和导电材料电极；缓冲层设置在基底的上表面，缓冲层上设置有相变结构和绝缘层，绝缘层设置在相变结构的两侧，且绝缘层高于相变结构；两个绝缘层顶部之间设置有导电材料电极；相变结构包括铁磁层、相变材料和非磁层。本发明将使用相变材料作为非磁性隔离层，由于室温下绝缘的相变材料在电流作用下可转变为导电材料，使磁阻传感器可在GMR与TMR两种效应间可控翻转，实现对磁阻传感器线性测量范围的动态调控。
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公开(公告)号：CN110212085A
公开(公告)日：2019-09-06
申请号：CN201910477142.X
申请日：2019-06-03
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 测量范围可调的巨磁电阻传感器，包括基底、巨磁电阻结构和导电层；巨磁电阻结构和导电层均设置在基底上表面，且导电层设置在巨磁电阻结构的周围；巨磁电阻结构包括第一缓冲层、第二缓冲层、钉扎层、隔离层和两个铁磁层，两个铁磁层分别为被钉扎层和自由层；第一缓冲层设置在基底上表面，第一缓冲层上自下而上依次设置钉扎层、被钉扎层、隔离层、自由层和第二缓冲层，形成巨磁电阻结构。本发明利用磁电复合材料中磁各向异性场的电场调控效应，首次实现了使用电场对巨磁电阻结构中自由层的磁化方向的调节，具有灵敏度较高、体积小、功耗低、可靠性高、温度特性好、可集成化等优点。并首次将此原理应用于巨磁电阻传感器中，实现了巨磁电阻传感器线性输出范围的大幅提高和连续调节。测量范围可调的巨磁电阻传感器可用于车载电子、物联网和可穿戴设备等微型磁传感器芯片。
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公开(公告)号：CN111312891A
公开(公告)日：2020-06-19
申请号：CN202010113228.7
申请日：2020-02-24
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 一种柔性GMR磁场传感器及其制备方法，包括柔性基底、巨磁电阻结构和导电层；巨磁电阻结构和导电层均设置在柔性基底上表面，且导电层设置在巨磁电阻结构的周围；巨磁电阻结构包括第一缓冲层、第二缓冲层、钉扎层、隔离层和两个铁磁层，两个铁磁层分别为被钉扎层和自由层；第一缓冲层设置在柔性基底上表面，第一缓冲层上自下而上依次设置钉扎层、被钉扎层、隔离层、自由层和第二缓冲层，形成巨磁电阻结构。本发明实现了使用超薄柔性基底对巨磁电阻结构的多层磁性传感器薄膜能够实现曲率半径为微米级的弯折上万次而不产生疲劳，同时可以减小器件面积来实现高密度的芯片集成，具有灵敏度较高、体积小、功耗低、可靠性高、温度特性好、可集成化优点。
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公开(公告)号：CN109888088A
公开(公告)日：2019-06-14
申请号：CN201910155838.0
申请日：2019-03-01
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 一种磁阻传感器结构及其制造方法，包括基底、缓冲层、相变结构、绝缘层和导电材料电极；缓冲层设置在基底的上表面，缓冲层上设置有相变结构和绝缘层，绝缘层设置在相变结构的两侧，且绝缘层高于相变结构；两个绝缘层顶部之间设置有导电材料电极；相变结构包括铁磁层、相变材料和非磁层。本发明将使用相变材料作为非磁性隔离层，由于室温下绝缘的相变材料在电流作用下可转变为导电材料，使磁阻传感器可在GMR与TMR两种效应间可控翻转，实现对磁阻传感器线性测量范围的动态调控。
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