公开(公告)号：CN106783862A

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：CN201611201099.7

申请日：2016-12-22

Applicant: 西安交通大学

Inventor： 王真 ,  何岳巍 ,  胡少杰 ,  闵泰

IPC: H01L27/115

Abstract: 本发明公开一种STT‑MRAM存储单元，包括晶体管和MTJ单元；晶体管建立在基底上，晶体管的漏极与MTJ单元通过金属线达到漏接触；MTJ单元包括内电极和包裹在内电极外周的种子层、铁磁性钉扎层、非磁性势垒层、铁磁性自由层和外电极；金属线与内电极连接；种子层、铁磁性钉扎层、非磁性势垒层、铁磁性自由层和外电极均与基底所在平面不平行；种子层、铁磁性钉扎层、非磁性势垒层、铁磁性自由层和外电极与金属线间隔设置。本发明中MTJ单元的设置形式将热稳定系数Δ随原本的平面结构尺寸的平方变化关系减弱为线性变化，可以用高度补偿，有利于MTJ小型化。本发明可有效的利用空间，保证良好的热稳定性，提高存储密度，提供多种存储模式，对20nm技术节点以下的存储器具有应用前景。

公开(公告)号：CN106783862B

公开(公告)日：2020-11-10

申请号：CN201611201099.7

申请日：2016-12-22

Applicant: 西安交通大学

Inventor： 王真 ,  何岳巍 ,  胡少杰 ,  闵泰

IPC: H01L27/22

Abstract: 本发明公开一种STT‑MRAM存储单元，包括晶体管和MTJ单元；晶体管建立在基底上，晶体管的漏极与MTJ单元通过金属线达到漏接触；MTJ单元包括内电极和包裹在内电极外周的种子层、铁磁性钉扎层、非磁性势垒层、铁磁性自由层和外电极；金属线与内电极连接；种子层、铁磁性钉扎层、非磁性势垒层、铁磁性自由层和外电极均与基底所在平面不平行；种子层、铁磁性钉扎层、非磁性势垒层、铁磁性自由层和外电极与金属线间隔设置。本发明中MTJ单元的设置形式将热稳定系数Δ随原本的平面结构尺寸的平方变化关系减弱为线性变化，可以用高度补偿，有利于MTJ小型化。本发明可有效的利用空间，保证良好的热稳定性，提高存储密度，提供多种存储模式，对20nm技术节点以下的存储器具有应用前景。

公开(公告)号：CN115656580A

公开(公告)日：2023-01-31

申请号：CN202211273872.6

申请日：2022-10-18

Applicant: 西安交通大学

Inventor： 郭诚 ,  吴文萱 ,  杨皓东 ,  温潇竹 ,  刘丙凯 ,  王真 ,  张安学

IPC: G01R1/067

Abstract: 本发明公开了一种基于铜镍复合增材制造工艺的微同轴射频探针，属于微波射频技术领域，包括GSG针尖、矩形微同轴线和微同轴线‑矩形波导转换结构，矩形微同轴线包括外导体、内导体和1/4波长短路枝节支撑结构，内导体设置在外导体中，矩形微同轴线沿外导体中心线设置在外导体内，矩形微同轴线的后端接微同轴线‑矩形波导转换结构，微同轴线‑矩形波导转换结构处设置矩形波导接口，矩形微同轴线中内导体上伸出1/4波长短路枝节支撑结构，GSG针尖用于将TEM模转化为共面波导TEM模式，微同轴线‑矩形波导转换结构用于实现TEM模和TE10模的转换；GSG针尖的内导体厚度大于外导体厚度10μm。本发明给出了三种不同的设计，工作频段分别为W波段(75‑110GHz)、D波段(110‑170GHz)和G波段(140‑220GHz)。