公开(公告)号：CN119615064A

公开(公告)日：2025-03-14

申请号：CN202510110028.9

申请日：2025-01-23

Applicant: 西安交通大学

Inventor： 张金钰 ,  王子路 ,  王亚强 ,  吴凯 ,  刘刚 ,  孙军

IPC: C23C14/16 ,  C23C14/35 ,  C23C14/58 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C22C45/02 ,  C22F1/02 ,  C22F1/08 ,  C23F17/00

Abstract: 本发明公开了一种三维界面的纯金属/高熵非晶合金纳米多层薄膜及制备方法，属于金属表面改性领域，该纳米多层薄膜包括交替层叠设置的晶体层和非晶层，晶体层为单相面心立方结构，晶粒为沿沉积方向生长贯穿组元层的柱状晶，非晶层保持长程无序结构，晶体层和非晶层之间的界面为三维结构；不同于二维尖锐界面，三维界面具有一定的强度，位错在此区域的运动会受到应力的作用，继而改变了位错完成滑移即湮灭的现状。使得位错有序排列在三维界面附近，进而发生塞积，长程有序的位错排列显著增强了异质变形应力，有效提高了材料的强度。