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公开(公告)号：CN119956296A
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202510236496.0
申请日：2025-02-28
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种具有异质共格界面的Cr/TaWMoCrZr纳米多层涂层及制备方法，属于材料表面改性领域，该纳米多层涂层包括交替叠层设置的Cr层和TaWMoCrZr难熔高熵合金层；所述Cr层和TaWMoCrZr难熔高熵合金层的晶体相组织结构均为BCC，所述Cr层和TaWMoCrZr难熔高熵合金层间的界面为异质共格界面；采用磁控溅射沉积法在基体上制备Cr/TaWMoCrZr纳米多层涂层，由于Cr的模板效应，使得原先非晶态的TaWMoCrZr通过外延生长形成了BCC的晶体结构，与Cr有着相同的择优取向，极大的调控了微观结构，形成了异质共格界面，该具有异质共格界面的Cr/TaWMoCrZr纳米多层涂层具有均匀的微观组织、良好的抗腐蚀氧化性能、耐辐照性能以及优异高温组织稳定性和力学性能。
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公开(公告)号：CN119956295A
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202510236495.6
申请日：2025-02-28
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种高熵晶体/非晶的纳米金属多层膜及其制备方法，属于纳米金属多层膜涂层材料领域，该纳米金属多层膜包括交替层叠设置的TaWMoCrZr层和CrMoY层；所述TaWMoCrZr层的厚度为5‑100 nm，CrMoY层的厚度为1.25‑25nm；所述TaWMoCrZr层为纳米晶形态，CrMoY层为非晶形态；该纳米金属多层膜采用磁控溅射方法进行制备，通过控制溅射时间来调控组元层层厚，制备得到的TaWMoCrZr/CrMoY涂层为纳米多层结构，层界面清晰平直，成分均匀，组织致密，力学性能优异，且通过混合焓设计，实现自调控成分偏聚，具有良好的热稳定性，扩展了多层膜涂层的应用范围。
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公开(公告)号：CN119737851A
公开(公告)日：2025-04-01
申请号：CN202411843786.3
申请日：2024-12-14
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种裂纹基柔性应变传感器及其制备方法，属于应变传感器技术领域，自下往上依次包括柔性基体、敏感层以及柔性封装层；所述柔性基体靠近敏感层的表面，沿柔性基体拉伸方向的垂直方向在该表面依次形成多个形貌区域，多个形貌区域形成多种组织形貌，各组织形貌的粗糙度不相同，并且多种组织形貌对应的形貌区域的厚度不相同；所述敏感层沿柔性基体的拉伸方向，敏感层的厚度自中部向两端逐步递增；本发明的柔性应变传感器在150％应变范围内的灵敏度为256.92，其线性拟合度高达0.983，表明了本发明的柔性应变传感器实现了灵敏度与线性应变范围的协同优化。
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公开(公告)号：CN119506805A
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202411654451.7
申请日：2024-11-19
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种高延展性和抗疲劳性的Ag‑Mo/Ag薄膜及制备方法，属于材料表面改性领域，该Ag‑Mo/Ag薄膜包括单质Ag层和微合金化Ag‑Mo层，微合金化Ag‑Mo层附着在单质Ag层表面；所述微合金化Ag‑Mo层和单质Ag层的厚度比例为（1:9）‑（1:1）；所述单质Ag层和微合金化Ag‑Mo层的晶粒形貌为柱状晶；该Ag‑Mo/Ag薄膜通过共溅射的方式在单质Ag表面引入高密度纳米孪晶的微合金化Ag‑Mo层，制备出了均匀致密、膜基结合力强的具有高延展性和抗疲劳性的Ag‑Mo/Ag薄膜；该薄膜的应用有望显著提升柔性电子设备的性能和可靠性，为柔性电子技术的发展开辟了新的可能性。
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公开(公告)号：CN118996194A
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202411115401.1
申请日：2024-08-14
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种Ag‑Cu‑Zn抗菌合金薄膜及其制备方法，属于金属材料表面改性领域，该薄膜中合金元素(Cu‑Zn)的原子百分数为2.7％～46.1％，其余为Ag。所述薄膜为纳米晶组织，合金元素Cu‑Zn在薄膜中完全均匀分布。该Ag‑Cu‑Zn抗菌合金薄膜的抗菌效果与合金元素(Cu‑Zn)含量呈非线性关系。该抗菌合金薄膜采用双直流电源磁控溅射共溅射的方法，在基体上制备Ag‑Cu‑Zn合金薄膜，冷却至室温得到Ag‑Cu‑Zn抗菌合金薄膜；该方法简单、高效、镀层厚度可根据溅射时间的长短控制、镀层结合强度高，非常适合大规模工业生产。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117467939A
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202311435761.5
申请日：2023-10-31
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 发明公开了一种Ag‑Cu‑Al合金薄膜及其制备方法，按原子含量百分比计，Cu为4‑28％，Al为3‑18.3％，其余为Ag；采用磁控溅射共溅射的方法制备Ag‑Cu‑Al合金薄膜，所得薄膜成分均匀，组织致密，在磁控溅射共溅射通过控制沉积功率来调整Ag‑Cu‑Al合金薄膜中Cu和Al的含量，使合金薄膜的微观组织形成纳米晶、超细纳米晶或晶体‑非晶双相纳米结构，Cu和Al的合金化可以有效提高Ag合金薄膜的力学性能，其强化效果随着Cu和Al的含量的升高而提升。
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公开(公告)号：CN113913751B
公开(公告)日：2022-12-09
申请号：CN202111155888.2
申请日：2021-09-29
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开一种Cu‑高熵合金薄膜及其制备方法，Cu‑高熵合金薄膜的化学成分为Cu‑TaNbHfZr，其原子百分比为：不低于94.4的铜，其余元素为钽铌铪锆高熵合金，其中，钽铌铪锆高熵合金中原子百分比为钽：铌：铪：锆＝1：1：1：1；微观结构为完全纳米晶，晶粒尺寸为35.4±2nm；包含纳米孪晶的晶粒百分数不低于90％，孪晶片层厚度为2.4～3.5nm，利用磁控溅射技术的优势，沉积过程中温度较低，有利于形成纳米晶及纳米孪晶结构，且不同靶材共溅射使得合金元素宏观分布均匀，从而获得多组元合金化Cu薄膜，薄膜致密，与基体结合良好；晶粒尺寸稳定在纳米晶范畴，晶粒中镶嵌有大量的纳米孪晶；合金组成、成分可调控；强度高、高热稳定性好。
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公开(公告)号：CN114807880A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210327869.1
申请日：2022-03-30
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种TaWMoCrZr难熔高熵合金涂层及其制备方法，Zr的原子百分比小于15.8at.％，其余为近等原子比的TaWMoCr。在抛光的钢基体和单晶硅基体上采用磁控溅射共溅射的方法制备TaWMoCrZr难熔高熵合金涂层，其中TaWMoCr合金靶采用2个直流电源，Zr靶采用1个射频电源。高真空磁控溅射共溅射制备得到的TaWMoCrZr难熔高熵合金涂层为单相BCC固溶体，具有纳米柱状晶结构，表面形貌为针片状，成分均匀，组织致密，厚度为2.1～2.7μm。Zr的适量加入可以有效提高TaWMoCr高熵合金涂层的力学性能、膜基结合性能以及抗氧化性能，扩展了高熵合金涂层的应用范围。
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公开(公告)号：CN112962060B
公开(公告)日：2021-12-28
申请号：CN202110093901.X
申请日：2021-01-23
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种Cr3Al/Zr多层薄膜及其制备方法，通过磁控溅射沉积法在洁净的硅基体上沉积制备Cr3Al/Zr多层薄膜，通过Ar+离子轰击靶材(阴极)与样品(Cr3Al/Zr)原子发生弹性碰撞，进一步产生碰撞级联，样品原子由此被激发并反向沉积到基体。Cr3Al原子和Zr原子依次沉积，交替形成不同调制周期不同界面结构的多层薄膜，而溅射所产生的二次电子等高密度等离子体在相互垂直的电磁场的联合作用下以旋轮线的形式循环运动，不与基体接触。因此电离效率高、沉积速率快。本发明不仅成功制备出不同界面结构的纳米多层薄膜，而且所得薄膜均匀致密，界面结构清晰，综合性能优良。
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公开(公告)号：CN113088904A
公开(公告)日：2021-07-09
申请号：CN202110227118.8
申请日：2021-03-01
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种具有纳米多级结构的金属Cr涂层及其制备方法，通过磁控溅射在洁净的硅基体上沉积制备具有纳米多级结构的金属Cr涂层，其原理是Ar气经辉光放电后产生高密度Ar+，Ar+在电场的作用下被强烈吸引到负电极并以高速率轰击两个金属Cr直流靶，形成碰撞级联过程溅射出靶原子和二次电子，Cr原子最终反向运动至阳极的硅基体上沉积，而二次电子在正交电磁场的运动方向与电场、磁场垂直，以旋轮线的形式循环运动，提高了Ar的电离率，增加了离子密度和能量，从而实现高速率溅射。最终本发明在不同的沉积气压下制备出具有纳米多级结构的金属Cr涂层。
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