公开(公告)号：CN112962060A

公开(公告)日：2021-06-15

申请号：CN202110093901.X

申请日：2021-01-23

Applicant: 西安交通大学

Inventor： 张金钰 ,  安邦 ,  王亚强 ,  吴凯 ,  刘刚 ,  孙军

IPC: C23C14/16 ,  C23C14/35 ,  C23C14/02

Abstract: 本发明公开了一种Cr3Al/Zr多层薄膜及其制备方法，通过磁控溅射沉积法在洁净的硅基体上沉积制备Cr3Al/Zr多层薄膜，通过Ar+离子轰击靶材(阴极)与样品(Cr3Al/Zr)原子发生弹性碰撞，进一步产生碰撞级联，样品原子由此被激发并反向沉积到基体。Cr3Al原子和Zr原子依次沉积，交替形成不同调制周期不同界面结构的多层薄膜，而溅射所产生的二次电子等高密度等离子体在相互垂直的电磁场的联合作用下以旋轮线的形式循环运动，不与基体接触。因此电离效率高、沉积速率快。本发明不仅成功制备出不同界面结构的纳米多层薄膜，而且所得薄膜均匀致密，界面结构清晰，综合性能优良。

公开(公告)号：CN112962060B

公开(公告)日：2021-12-28

申请号：CN202110093901.X

申请日：2021-01-23

Applicant: 西安交通大学

Inventor： 张金钰 ,  安邦 ,  王亚强 ,  吴凯 ,  刘刚 ,  孙军

IPC: C23C14/16 ,  C23C14/35 ,  C23C14/02

Abstract: 本发明公开了一种Cr3Al/Zr多层薄膜及其制备方法，通过磁控溅射沉积法在洁净的硅基体上沉积制备Cr3Al/Zr多层薄膜，通过Ar+离子轰击靶材(阴极)与样品(Cr3Al/Zr)原子发生弹性碰撞，进一步产生碰撞级联，样品原子由此被激发并反向沉积到基体。Cr3Al原子和Zr原子依次沉积，交替形成不同调制周期不同界面结构的多层薄膜，而溅射所产生的二次电子等高密度等离子体在相互垂直的电磁场的联合作用下以旋轮线的形式循环运动，不与基体接触。因此电离效率高、沉积速率快。本发明不仅成功制备出不同界面结构的纳米多层薄膜，而且所得薄膜均匀致密，界面结构清晰，综合性能优良。