公开(公告)号：CN119797912A

公开(公告)日：2025-04-11

申请号：CN202510203709.X

申请日：2025-02-24

Applicant: 西安交通大学

Inventor： 武海军 ,  杨智博 ,  周相宏 ,  彭古扬 ,  宋彤 ,  张杨

IPC: C04B35/491 ,  C04B35/622 ,  C04B35/64 ,  C23C14/35

Abstract: 一种利用放电等离子体烧结方法制备磁控溅射用PZT靶材的方法，所述磁控溅射用PZT靶材的分子式PbZr(0.48～0.52)Ti(0.48～0.52)，原料的摩尔质量比Pb3O4：ZrO2:TiO2＝685.6：(59.1456～64.0744)：(38.3376～41.5324)；利用热压法制备磁控溅射用BNT靶材的方法，采用放电等离子体烧结SPS技术，能够在真空的环境中进行烧结，起到了减少氧化铅的挥发的作用，具有烧结温度要比传统固相烧结低200～500℃左右的好处；通过脉冲电流在粉末颗粒间产生均匀的焦耳热，使材料内部各个部位均匀受热，避免了传统烧结中常见的温度梯度问题，获得相对密度超过98％的陶瓷；本发明能够在较低的温度下实现材料的快速致密化，有助于保留更细小的晶粒，从而提高材料的性能。