公开(公告)号：CN111537116A

公开(公告)日：2020-08-14

申请号：CN202010383731.4

申请日：2020-05-08

Applicant: 西安交通大学

Inventor： 赵立波 ,  李真 ,  罗国希 ,  李磊 ,  罗运运 ,  杨萍 ,  卢德江 ,  王永录 ,  王久洪 ,  蒋庄德

IPC: G01L1/18 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种石墨烯压力传感器及其制备方法，所述石墨烯压力传感器包括：聚二甲基硅氧烷基底、主电极对、辅电极对和石墨烯薄膜；所述聚二甲基硅氧烷基底上加工有空腔；所述主电极对和所述辅电极对设置于所述聚二甲基硅氧烷基底上，分别处于所述空腔的两侧；所述主电极对和所述辅电极对均设置有引线；所述石墨烯薄膜覆盖在所述空腔以及主电极对和辅电极对的引线上；其中，所述石墨烯薄膜通过所述聚二甲基硅氧烷基底的恢复势能实现张紧。本发明中，通过弯曲聚二甲基硅氧烷基底恢复平坦的势能，能够对聚二甲基硅氧烷基底空腔上方区域的石墨烯敏感薄膜进行预应力调节，使其张紧。

公开(公告)号：CN111537116B

公开(公告)日：2021-01-29

申请号：CN202010383731.4

申请日：2020-05-08

Applicant: 西安交通大学

Inventor： 赵立波 ,  李真 ,  罗国希 ,  李磊 ,  罗运运 ,  杨萍 ,  卢德江 ,  王永录 ,  王久洪 ,  蒋庄德

IPC: G01L1/18 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种石墨烯压力传感器及其制备方法，所述石墨烯压力传感器包括：聚二甲基硅氧烷基底、主电极对、辅电极对和石墨烯薄膜；所述聚二甲基硅氧烷基底上加工有空腔；所述主电极对和所述辅电极对设置于所述聚二甲基硅氧烷基底上，分别处于所述空腔的两侧；所述主电极对和所述辅电极对均设置有引线；所述石墨烯薄膜覆盖在所述空腔以及主电极对和辅电极对的引线上；其中，所述石墨烯薄膜通过所述聚二甲基硅氧烷基底的恢复势能实现张紧。本发明中，通过弯曲聚二甲基硅氧烷基底恢复平坦的势能，能够对聚二甲基硅氧烷基底空腔上方区域的石墨烯敏感薄膜进行预应力调节，使其张紧。

公开(公告)号：CN111422861A

公开(公告)日：2020-07-17

申请号：CN202010382893.6

申请日：2020-05-08

Applicant: 西安交通大学

Inventor： 赵立波 ,  李真 ,  李支康 ,  李磊 ,  罗运运 ,  杨萍 ,  卢德江 ,  王永录 ,  王久洪 ,  蒋庄德

IPC: C01B32/194 ,  H01L21/04 ,  H01L21/027 ,  G01L9/00 ,  G01L1/00

Abstract: 本发明公开了一种悬浮式石墨烯薄膜结构的制备方法，包括以下步骤：步骤1，在铜基石墨烯薄膜表面涂PMMA，获得铜基/石墨烯/PMMA结构；步骤2，将步骤1获得的铜基/石墨烯/PMMA结构置入铜腐蚀液中，刻蚀去掉铜基底，获得PMMA/石墨烯结构；步骤3，将步骤2获得的PMMA/石墨烯结构转移到硅基空腔结构上，获得PMMA/石墨烯/硅结构；步骤4，在步骤3获得的PMMA/石墨烯/硅结构的PMMA表面旋涂光刻胶，光刻显影，氧等离子体图形化石墨烯结构，用丙酮去除光刻胶，获得悬浮式石墨烯薄膜结构。本发明能够低悬浮式石墨烯的加工制作难度，保证悬浮式石墨烯薄膜结构的覆盖完整性，成功率较高。