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公开(公告)号：CN114875347B
公开(公告)日：2022-12-06
申请号：CN202210281325.6
申请日：2022-03-21
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本公开揭示了一种叶片榫头低速升温回复热处理方法，包括如下步骤：对服役后的叶片榫头切片制样；观察叶片榫头样品的微观组织结构，以确定叶片榫头的低速升温回复热处理参数；对叶片榫头样品由起始加热温度开始加热升温至所述终止加热温度；将加热升温至终止加热温度的叶片榫头样品冷却至室温后，沿平行于枝晶生长方向线切割获得样品横截面，对样品横截面的氧化层沿垂直于枝晶生长方向打磨，并观察打磨后的叶片榫头样品中每个榫齿的微观组织结构；根据打磨后的叶片榫头样品中每个榫齿的微观组织结构对低速升温回复热处理参数进行优化，获得优化后的低速升温回复热处理参数；根据优化后的低速升温回复热处理参数对叶片榫头样品重复执行步骤3。
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公开(公告)号：CN112276086B
公开(公告)日：2021-08-27
申请号：CN202011250277.1
申请日：2020-11-10
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 公开了一种叶片榫头的增材/等材制备方法，方法中，测量叶片榫头的磨痕的横截面积和磨痕长度，横截面积乘以磨痕长度得到磨痕体积；当磨痕体积大于判定值时执行步骤S02‑1；当出现的磨痕且体积小于判定值时执行S02‑2；对于未磨损的新叶片执行S02‑3，步骤S02‑1：将叶片榫头切除打磨后以叶片底部作为基材进行榫头部分增材修复，利用改变离焦量后的激光对基材进行原位预热，步骤S02‑2：将叶片榫头表面打磨后对其进行性能恢复热处理并放置于夹具中以保持预定温度梯度，利用增材修复在所述叶片榫头表面制备外延强化层，步骤S02‑3：对于未磨损的新叶片，机械打磨，将表面氧化层去除并放置于夹具中进行重熔或打印。
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公开(公告)号：CN110760769B
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：CN201911048535.5
申请日：2019-10-30
Applicant: 西安交通大学
IPC: C22F1/10
Abstract: 本发明公开了一种单晶镍基高温合金冷变形回复方法，方法包括以下步骤：确定冷变形后单晶镍基高温合金的滑移带组织形貌并标记位置，其中，沿着特定方向的变形集中带中的镍基高温合金的强化相γ′相的形貌特征变为受挤压和受位错切割，位错切割方向为沿着方块状γ′相的对角线方向，回复温度确定为单晶镍基高温合金的第一步时效温度，基于标记位置的滑移带组织在所述回复温度下保温时间确定安全保温时间，制备经过冷变形的单晶镍基高温合金样品，一半样品进行回复和标准固溶热处理，以及另一半样品只进行标准固溶热处理，确定单晶镍基高温合金经过热处理的可回复塑性变形量范围。
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公开(公告)号：CN110760770B
公开(公告)日：2020-10-23
申请号：CN201911050932.6
申请日：2019-10-30
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种单晶镍基高温合金冷变形后的热处理方法，方法包括以下步骤：制备单晶镍基高温合金的圆柱状样品，其中，在室温下压缩样品，其塑性变形量在6.5％以内，确定单晶镍基高温合金低速升温回复热处理的起始温度为标准固溶温度之下150‑180度，终止温度为单晶镍基高温合金的标准固溶温度，在起始温度和终止温度之间分为低温区间和高温区间，高温区间温度差值是低温度区间温度差值的预定倍数，按照升温速率对所述样品进行回复热处理，在温度到达终止温度后，保温标准固溶热处理所需时间后将样品空冷至室温取出，利用扫描电子显微镜对取出的样品进行微观组织形貌表征以检测样品中析出强化相γ′相的尺寸和形状且确定无再结晶组织出现。
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公开(公告)号：CN111266580A
公开(公告)日：2020-06-12
申请号：CN202010184490.0
申请日：2020-03-16
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种基于电子束增材制造的高熵或中熵合金微柱状晶的制备方法，方法包括以下步骤：打磨基材平整后，将基材放置于电子束增材制造装置的加工仓中且抽真空，电压55-70kV及束流2-6mA的电子束对基材的预加工区域预热15s，将高熵或中熵合金材料通过增材的方式制备于基材之上以制成高熵或中熵合金试样，然后泄真空，取出高熵或中熵合金试样，其中，电子束电压55-70kV，束流5-15mA，移动速度为500-1000mm/min，表征高熵或中熵合金试样微观结构，调整工艺参数直至制备出微柱状晶，使用调整后的工艺参数生产高熵或中熵合金微柱状晶。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110609047A
公开(公告)日：2019-12-24
申请号：CN201910891247.X
申请日：2019-09-19
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种基于单色X射线衍射的单晶应力检测方法，方法包括以下步骤：获得待检测单晶的晶向，基于所述晶向建立晶体坐标系，基于承载单晶的样品台建立样品坐标系，获取所述晶体坐标系相对于样品坐标系的旋转矩阵；布置单色X射线的入射方向和用于获得衍射信号的探测器与单晶样品相对位置使得单晶样品的晶面满足衍射条件，计算各衍射峰在空间上的位置，根据探测器可探测范围选取衍射峰，通过转动和倾转单晶样品，探测器采集第二步骤中所选取的衍射峰；通过旋转和倾转样品重构衍射峰以获得所述衍射峰实际2θ值；重复第三步骤至第四步骤，获取单晶样品其他晶面的衍射峰实际2θ值，基于所述衍射峰实际2θ值获得所述单晶的应力张量。
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公开(公告)号：CN106950237B
公开(公告)日：2019-10-15
申请号：CN201710142576.5
申请日：2017-03-10
Applicant: 西安交通大学
IPC: G01N23/207
Abstract: 本发明公开了一种基于峰间夹角比对的扫描式劳厄衍射图谱分析方法，包括以下步骤：步骤一：对实验所得所有衍射图谱进行寻峰操作，得到衍射峰的位置和积分强度。步骤二：定义计算指标化点的标准峰角度差序列DS,i的方法。步骤三：定义比较两点是否为同一晶粒的方法。步骤四：选择一种遍历方法，对实验区域内所有点进行遍历，完成对实验区域内所有点对应衍射图谱的峰的标定，并得到实验区域内的晶/相界分布；具有计算量小，耗时短的特点。
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公开(公告)号：CN110057684A
公开(公告)日：2019-07-26
申请号：CN201910158396.5
申请日：2019-03-01
Applicant: 西安交通大学
IPC: G01N3/18
Abstract: 本发明公开了一种能够通入气氛、适用于原位观察实验的热电及力电耦合气氛样品台，具体涉及原位观察实验装置领域，包括：密闭气室；置于密闭气室内部的样品仓；穿过密闭气室短边两侧相对设置的控制螺母，密闭气室长边一侧设置有进气口和排气口和加热组件；其中，样品仓包括可替换式电极、内盒以及连杆；连杆的一端与所述可替换式电极相连接，另一端与控制螺母相连接；加热组件穿过内盒和密闭气室与外接温度控制器相连接。本发明的样品台可以适配在多种光源如可见光和X射线等平台上的原位观测并可以适应多种样品的测试要求，可方便更换加热/力电极的样式，实现热电、力电耦合等多场耦合实验。
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公开(公告)号：CN108281353B
公开(公告)日：2019-04-23
申请号：CN201810037474.1
申请日：2018-01-15
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L21/268
Abstract: 本发明公开了一种扫描式高能微束X射线制备应变硅的方法，涉及集成电路制造领域；该方法包括以下步骤：合成出一个Si/SiO2双层复合结构体系，其结构为上表面覆盖有二氧化硅层的硅薄膜，使用高能微束X射线按照一定先后顺序依次照射Si/SiO2双层复合结构体系中预期产生应变的区域以制备局部应变的应变硅；本发明首次使用了高能微束X射线的方法，利用微束X射线束斑面积极小的特点，实现精准选择与控制应变硅应变区域，并在不同应变区域产生大小可控的应变量的目的；该方法具有应变区域和大小精准可控，工作温度低，无引入中杂质，工艺简单，应变量范围大，对硅无损伤等优点，有望在半导体集成电路、微纳电子器件等领域广泛应用。
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公开(公告)号：CN111354009B
公开(公告)日：2022-10-28
申请号：CN202010125857.1
申请日：2020-02-27
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种激光增材制造熔池形状的提取方法，方法包括以下步骤：对输入的熔池图像进行灰度化处理生成灰度图像，对所述灰度图像进行滤波处理，对滤波后的每一帧灰度图像进行二值化处理得到二值化图像，当输入的熔池图像不是与激光同轴采集时，识别并去除二值化图像中的反射斑，提取二值化图像中的熔池图像轮廓，获取所述熔池图像轮廓的外接最小矩形，其中，外接最小矩形的长与宽为熔池的长与宽。
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