公开(公告)号：CN103441063B

公开(公告)日：2016-06-08

申请号：CN201310214526.5

申请日：2013-05-31

Applicant: 西安交通大学

Inventor： 司金海 ,  马云灿 ,  陈涛 ,  屈文成 ,  陈烽 ,  侯洵

IPC: H01L21/268 ,  H01L21/306 ,  B81C1/00

Abstract: 本发明专利公开了一种碳化硅微结构的制备方法就，该方法是在气体环境中，利用飞秒激光辐照，通过扫描的方式，在碳化硅基片上诱导产生折射率变化区域，再通过氢氟酸和硝酸的混合液，腐蚀去除折射变化区域，从而制备碳化硅微结构。该方法工艺流程简单，微结构的分布不需要掩模板定义；与当前常用的湿法和干法刻蚀相比，腐蚀选择性好，刻蚀区域完全由激光辐照区域决定。利用该方法，通过调控激光辐照参数，可以在碳化硅基片上制备没有杂质元素污染的高纵横比狭槽。该方法可以应用于半导体器件领域和微机械电子系统。

公开(公告)号：CN103441063A

公开(公告)日：2013-12-11

申请号：CN201310214526.5

申请日：2013-05-31

Applicant: 西安交通大学

Inventor： 司金海 ,  马云灿 ,  陈涛 ,  屈文成 ,  陈烽 ,  侯洵

IPC: H01L21/268 ,  H01L21/306 ,  B81C1/00

Abstract: 本发明公开了一种碳化硅微结构的制备方法，该方法是在气体环境中，利用飞秒激光辐照，通过扫描的方式，在碳化硅基片上诱导产生折射率变化区域，再通过氢氟酸和硝酸的混合液，腐蚀去除折射变化区域，从而制备碳化硅微结构。该方法工艺流程简单，微结构的分布不需要掩模板定义；与当前常用的湿法和干法刻蚀相比，腐蚀选择性好，刻蚀区域完全由激光辐照区域决定。利用该方法，通过调控激光辐照参数，可以在碳化硅基片上制备没有杂质元素污染的高纵横比狭槽。该方法可以应用于半导体器件领域和微机械电子系统。