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公开(公告)号：CN111661842A
公开(公告)日：2020-09-15
申请号：CN202010415172.0
申请日：2020-05-15
Applicant: 西安交通大学
IPC: C01B32/194
Abstract: 本发明公开了一种转移石墨烯的操作方法，包括以下步骤：在生长基底/石墨烯的石墨烯一侧旋涂熔融的石蜡，在石蜡层上旋涂保护层材料，获得生长基底/石墨烯/石蜡/保护层复合结构；使用腐蚀性溶液将生长基底去除，获得石墨烯/石蜡/保护层复合结构；借助石蜡的高热膨胀系数减少石墨烯的褶皱，然后将将石墨烯/石蜡/保护层复合结构由水面转移到目标衬底，获得目标衬底/石墨烯/石蜡/保护层复合结构；溶解掉目标衬底/石墨烯/石蜡/保护层复合结构中的保护层和石蜡层，获得目标衬底/石墨烯结合体，清洗干燥完成转移。本发明的操作方法在石蜡层上旋涂了保护层，能够实现石墨烯薄膜大面积清洁地转移到目标基底上。
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公开(公告)号：CN111455466A
公开(公告)日：2020-07-28
申请号：CN202010292130.2
申请日：2020-04-14
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种基于LB膜法的胶体晶体制备方法，包括：将胶体颗粒分散于水和有机溶剂的混合系统中；借助于斜坡式引导片将胶体颗粒分散在LB设备的液面上；通过滑杖压缩以及表面膜压的设置控制胶体颗粒在水面上的密度以及自组装；最后通过选用恰当的拉膜速度、滑杖速度以及表面膜压实现胶体颗粒阵列转移到衬底上。本发明的方法通过控制相关的制备参数实现制备胶体晶体的可控性、重复性与高质量，可以使得转移到衬底上的胶体晶体大范围内排列均匀、致密。
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公开(公告)号：CN111661842B
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202010415172.0
申请日：2020-05-15
Applicant: 西安交通大学
IPC: C01B32/194
Abstract: 本发明公开了一种转移石墨烯的操作方法，包括以下步骤：在生长基底/石墨烯的石墨烯一侧旋涂熔融的石蜡，在石蜡层上旋涂保护层材料，获得生长基底/石墨烯/石蜡/保护层复合结构；使用腐蚀性溶液将生长基底去除，获得石墨烯/石蜡/保护层复合结构；借助石蜡的高热膨胀系数减少石墨烯的褶皱，然后将将石墨烯/石蜡/保护层复合结构由水面转移到目标衬底，获得目标衬底/石墨烯/石蜡/保护层复合结构；溶解掉目标衬底/石墨烯/石蜡/保护层复合结构中的保护层和石蜡层，获得目标衬底/石墨烯结合体，清洗干燥完成转移。本发明的操作方法在石蜡层上旋涂了保护层，能够实现石墨烯薄膜大面积清洁地转移到目标基底上。
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公开(公告)号：CN111455466B
公开(公告)日：2021-07-13
申请号：CN202010292130.2
申请日：2020-04-14
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种基于LB膜法的胶体晶体制备方法，包括：将胶体颗粒分散于水和有机溶剂的混合系统中；借助于斜坡式引导片将胶体颗粒分散在LB设备的液面上；通过滑杖压缩以及表面膜压的设置控制胶体颗粒在水面上的密度以及自组装；最后通过选用恰当的拉膜速度、滑杖速度以及表面膜压实现胶体颗粒阵列转移到衬底上。本发明的方法通过控制相关的制备参数实现制备胶体晶体的可控性、重复性与高质量，可以使得转移到衬底上的胶体晶体大范围内排列均匀、致密。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110217785B
公开(公告)日：2020-10-09
申请号：CN201910477145.3
申请日：2019-06-03
Applicant: 西安交通大学
IPC: C01B32/194
Abstract: 本发明公开了一种CVD生长的石墨烯的转移操作方法，包括：对CVD生长的石墨烯进行预处理，然后平置于目标基底上，使石墨烯侧与目标基底接触；将生长基底与目标基底固定在一起，将生长基底和目标基底用胶黏剂黏结，获得黏结后的生长基底‑石墨烯‑目标基底复合结构并置于真空环境中，去除石墨稀与目标基底之间的空气；保持预设时间使胶黏剂在真空状态下完全固化，获得胶黏剂固化后的生长基底‑石墨烯‑目标基底复合结构并通过腐蚀性溶液将生长基底去除，获得残留腐蚀性溶液的石墨烯‑目标基底复合结构；清洗，干燥，获得目标基底与石墨烯薄膜结合体，完成转移。本发明的操作方法无需使用PMMA，可将CVD石墨烯薄膜清洁地转移到目标基底上。
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公开(公告)号：CN112499581B
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202011266405.1
申请日：2020-11-12
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种表面增强拉曼散射衬底的制备方法，包括：在SiO2/Si(001)衬底上制备密排单层纳米微球二维胶体晶体层；减小纳米微球的直径；在样品表面沉积一层金属薄膜；剥离微球二维胶体晶体层；采用干法刻蚀SiO2层；采用湿法刻蚀Si(001)衬底，形成倒金字塔结构；使用腐蚀溶液剥离SiO2和金属掩模层，得到带倒金字塔结构的Si模板；在Si模板上制备贵金属薄膜；使用胶黏剂将贵金属薄膜转移到新衬底上，金字塔结构外露；在贵金属金字塔表面转移一层石墨烯。本发明的方法使用了胶体光刻和微纳加工两种方法，成功制备了金字塔型SERS衬底；所制备的衬底在大尺度范围内纳米金字塔结构分布均匀，同时具有高灵敏性和通用性。
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公开(公告)号：CN112499581A
公开(公告)日：2021-03-16
申请号：CN202011266405.1
申请日：2020-11-12
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种表面增强拉曼散射衬底的制备方法，包括：在SiO2/Si(001)衬底上制备密排单层纳米微球二维胶体晶体层；减小纳米微球的直径；在样品表面沉积一层金属薄膜；剥离微球二维胶体晶体层；采用干法刻蚀SiO2层；采用湿法刻蚀Si(001)衬底，形成倒金字塔结构；使用腐蚀溶液剥离SiO2和金属掩模层，得到带倒金字塔结构的Si模板；在Si模板上制备贵金属薄膜；使用胶黏剂将贵金属薄膜转移到新衬底上，金字塔结构外露；在贵金属金字塔表面转移一层石墨烯。本发明的方法使用了胶体光刻和微纳加工两种方法，成功制备了金字塔型SERS衬底；所制备的衬底在大尺度范围内纳米金字塔结构分布均匀，同时具有高灵敏性和通用性。
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公开(公告)号：CN110217785A
公开(公告)日：2019-09-10
申请号：CN201910477145.3
申请日：2019-06-03
Applicant: 西安交通大学
IPC: C01B32/194
Abstract: 本发明公开了一种CVD生长的石墨烯的转移操作方法，包括：对CVD生长的石墨烯进行预处理，然后平置于目标基底上，使石墨烯侧与目标基底接触；将生长基底与目标基底固定在一起，将生长基底和目标基底用胶黏剂黏结，获得黏结后的生长基底-石墨烯-目标基底复合结构并置于真空环境中，去除石墨稀与目标基底之间的空气；保持预设时间使胶黏剂在真空状态下完全固化，获得胶黏剂固化后的生长基底-石墨烯-目标基底复合结构并通过腐蚀性溶液将生长基底去除，获得残留腐蚀性溶液的石墨烯-目标基底复合结构；清洗，干燥，获得目标基底与石墨烯薄膜结合体，完成转移。本发明的操作方法无需使用PMMA，可将CVD石墨烯薄膜清洁地转移到目标基底上。
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公开(公告)号：CN220912988U
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202322096810.9
申请日：2023-08-04
Applicant: 西安交通大学医学院第一附属医院
Abstract: 本实用新型公开一种高通量高灵敏共聚焦拉曼增强平台，包括具有拉曼增强效应的复合孔板，以及用于搭载复合孔板的自动定位位移台。所述复合孔板为拉曼增强基底，将微量待测液体样本滴于每个独立孔内，干燥后依次采集拉曼散射光谱，即可实现测定微量液体样本中目标物。所述自动定位位移台与复合孔板相适配，由编程控制，由电机驱动，可搭载复合孔板在x、y、z方向上移动，精准定位孔内的待测样品，进而实现高通量自动检测以及定位检测等功能。本实用新型所设计的拉曼增强平台制作简单、成本低廉、操作方便，可与商用共聚焦拉曼显微镜相适配进行微量样本高通量高灵敏快速测定，具有广阔的应用场景。
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