公开(公告)号：CN110217785A

公开(公告)日：2019-09-10

申请号：CN201910477145.3

申请日：2019-06-03

Applicant: 西安交通大学

Inventor： 牛刚 ,  武和平 ,  任巍 ,  姜陆月 ,  梁欧文 ,  赵金燕 ,  刘杨杨 ,  谢亚宏

IPC: C01B32/194

Abstract: 本发明公开了一种CVD生长的石墨烯的转移操作方法，包括：对CVD生长的石墨烯进行预处理，然后平置于目标基底上，使石墨烯侧与目标基底接触；将生长基底与目标基底固定在一起，将生长基底和目标基底用胶黏剂黏结，获得黏结后的生长基底-石墨烯-目标基底复合结构并置于真空环境中，去除石墨稀与目标基底之间的空气；保持预设时间使胶黏剂在真空状态下完全固化，获得胶黏剂固化后的生长基底-石墨烯-目标基底复合结构并通过腐蚀性溶液将生长基底去除，获得残留腐蚀性溶液的石墨烯-目标基底复合结构；清洗，干燥，获得目标基底与石墨烯薄膜结合体，完成转移。本发明的操作方法无需使用PMMA，可将CVD石墨烯薄膜清洁地转移到目标基底上。

公开(公告)号：CN110217785B

公开(公告)日：2020-10-09

申请号：CN201910477145.3

申请日：2019-06-03

Applicant: 西安交通大学

Inventor： 牛刚 ,  武和平 ,  任巍 ,  姜陆月 ,  梁欧文 ,  赵金燕 ,  刘杨杨 ,  谢亚宏

IPC: C01B32/194

Abstract: 本发明公开了一种CVD生长的石墨烯的转移操作方法，包括：对CVD生长的石墨烯进行预处理，然后平置于目标基底上，使石墨烯侧与目标基底接触；将生长基底与目标基底固定在一起，将生长基底和目标基底用胶黏剂黏结，获得黏结后的生长基底‑石墨烯‑目标基底复合结构并置于真空环境中，去除石墨稀与目标基底之间的空气；保持预设时间使胶黏剂在真空状态下完全固化，获得胶黏剂固化后的生长基底‑石墨烯‑目标基底复合结构并通过腐蚀性溶液将生长基底去除，获得残留腐蚀性溶液的石墨烯‑目标基底复合结构；清洗，干燥，获得目标基底与石墨烯薄膜结合体，完成转移。本发明的操作方法无需使用PMMA，可将CVD石墨烯薄膜清洁地转移到目标基底上。