一种低电压驱动的高效能等离子体气动激励器

    公开(公告)号:CN108518391B

    公开(公告)日:2020-01-31

    申请号:CN201810309933.7

    申请日:2018-04-08

    Abstract: 本发明公开了一种低电压驱动的高效能等离子体气动激励器,包括微型放电腔体和低压直流电源驱动电路,放电腔体内设有多组放电电极,每组放电电极均由阳极电极和阴极电极构成,且阳极电极和阴极电极一一对应并形成气体放电间隙;第一组放电电极的气体放电间隙小于其他组放电电极的气体放电间隙;低压直流电源驱动电路包括多组充放电回路,每组充放电回路均对应连接一组放电电极。本发明结构不仅降低了激励器的驱动电压,而且提高了腔体放电的沉积能量,能够产生高动量的合成射流。同时本发明还充分利用微型腔体空间,提高空间利用率,进一步减小激励器系统的体积和重量,有效提高了激励器的效能,相比于本领域的同类型激励器更加符合实际使用。

    基于风洞的磁流体加速系统及加速优化方法

    公开(公告)号:CN111473942A

    公开(公告)日:2020-07-31

    申请号:CN202010288067.5

    申请日:2020-04-13

    Abstract: 公开了基于风洞的磁流体加速系统及加速优化方法,系统中,纳秒脉冲发生器可调节参数,所述参数包括脉冲上升沿、脉宽、幅值和频率,真空腔本体配置成密封结构,加热单元设在所述真空腔本体内部以调节温度,气压控制单元经由设在所述真空腔本体的气孔连通其内部以调节气压,上电极动密封地贯通所述真空腔本体的上表面,下电极密封地贯通所述真空腔本体的下表面,上电极和下电极在所述真空腔本体内部相距预定距离形成放电间隙,所述预定距离经由调节上电极而调整,永磁体设在所述真空腔本体内部以生成可调节的磁场,所述磁场覆盖所述放电间隙以磁流体加速,电参数测量装置配置成测量放电间隙的电压电流特性。

    一种低电压驱动的高效能等离子体气动激励器

    公开(公告)号:CN108518391A

    公开(公告)日:2018-09-11

    申请号:CN201810309933.7

    申请日:2018-04-08

    Abstract: 本发明公开了一种低电压驱动的高效能等离子体气动激励器,包括微型放电腔体和低压直流电源驱动电路,放电腔体内设有多组放电电极,每组放电电极均由阳极电极和阴极电极构成,且阳极电极和阴极电极一一对应并形成气体放电间隙;第一组放电电极的气体放电间隙小于其他组放电电极的气体放电间隙;低压直流电源驱动电路包括多组充放电回路,每组充放电回路均对应连接一组放电电极。本发明结构不仅降低了激励器的驱动电压,而且提高了腔体放电的沉积能量,能够产生高动量的合成射流。同时本发明还充分利用微型腔体空间,提高空间利用率,进一步减小激励器系统的体积和重量,有效提高了激励器的效能,相比于本领域的同类型激励器更加符合实际使用。

    基于风洞的磁流体加速系统及加速优化方法

    公开(公告)号:CN111473942B

    公开(公告)日:2021-05-28

    申请号:CN202010288067.5

    申请日:2020-04-13

    Abstract: 公开了基于风洞的磁流体加速系统及加速优化方法,系统中,纳秒脉冲发生器可调节参数,所述参数包括脉冲上升沿、脉宽、幅值和频率,真空腔本体配置成密封结构,加热单元设在所述真空腔本体内部以调节温度,气压控制单元经由设在所述真空腔本体的气孔连通其内部以调节气压,上电极动密封地贯通所述真空腔本体的上表面,下电极密封地贯通所述真空腔本体的下表面,上电极和下电极在所述真空腔本体内部相距预定距离形成放电间隙,所述预定距离经由调节上电极而调整,永磁体设在所述真空腔本体内部以生成可调节的磁场,所述磁场覆盖所述放电间隙以磁流体加速,电参数测量装置配置成测量放电间隙的电压电流特性。

    一种单外部驱动的MOSFET管串联高压模块

    公开(公告)号:CN109995224A

    公开(公告)日:2019-07-09

    申请号:CN201910230132.6

    申请日:2019-03-25

    Abstract: 本公开揭示了一种单外部驱动的MOSFET管串联高压模块,包括:依次串联的MOSFET管M1~Mn、栅源极并联均压电阻R1,1~Rn,1、储能电容C1、栅极触发电容C2~Cn、漏源极并联均压电阻R1,2~Rn,2、外部驱动电路及负载。本公开还揭示了一种基于单外部驱动的MOSFET管串联高压模块的marx发生器。本公开一方面能较好解决传统半导体器件串联中复杂的驱动隔离问题,实现模块小型化;另一方面通过栅极触发电容交错连接,能够较好改善较多器件串联应用时器件导通的乱序问题。

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