一种夹层结构的探针式薄膜温度传感器及其制备方法

    公开(公告)号:CN116858394A

    公开(公告)日:2023-10-10

    申请号:CN202310840505.8

    申请日:2023-07-10

    Abstract: 本发明公开了一种夹层结构的探针式薄膜温度传感器及其制备方法,属于温度测量技术领域,传感器包括第一基底与第二基底,设置于第一基底与第二基底之间的正极热电偶薄膜、负极热电偶薄膜、冷端热电偶及金属导线,以及基底端面的端面热电偶薄膜;利用基底及耐高温胶将正极热电偶薄膜与负极热电偶薄膜保护起来,只有形成热接点的端面热电偶薄膜直接暴露在高温环境中,避免正负极热电偶薄膜受高温环境及气流冲刷而导致失效,也保证了薄膜热接点的快速响应;正负极热电偶薄膜及端面热电偶薄膜的制备采用丝网印刷技术,制备工艺简单,成本低,仪器设备要求低,经济性好。

    一种基于氧化铟复合材料的薄膜热电偶及其制备方法

    公开(公告)号:CN113959574B

    公开(公告)日:2022-12-09

    申请号:CN202111131729.9

    申请日:2021-09-26

    Abstract: 本发明公开了一种基于氧化铟复合材料的薄膜热电偶及其制备方法,陶瓷基底上对称设置并相互接触的氧化铟复合材料薄膜和氧化铟薄膜,氧化铟复合材料薄膜和氧化铟薄膜一侧的陶瓷基底上设置有热电极连接区域,另一侧的陶瓷基底上对应设置引线连接区域构成基于氧化铟复合材料的薄膜热电偶,薄膜热电偶的工作温度为1000~1500℃。本发明结合氧化铟和氧化锌、氧化锶、氧化镁等高熔点材料的高温稳定性和优异热电特性,通过丝网印刷技术制备一种基于氧化铟复合材料的薄膜热电偶,可用于极端环境下的高温测量,在1000~1500℃下长期稳定工作。

    一种基于表面微柱阵列的气膜复合钨铼合金薄膜热电偶

    公开(公告)号:CN113739945A

    公开(公告)日:2021-12-03

    申请号:CN202110831747.1

    申请日:2021-07-22

    Abstract: 本发明公开了一种基于表面微柱阵列的气膜复合钨铼合金薄膜热电偶,钨铼合金薄膜热电偶设置在平面氧化铝陶瓷基底的表面,钨铼合金薄膜热电偶的尾部分别连接对应的金属引线;钨铼合金薄膜热电偶的表面阵列排布若干微米微柱形成氧化铝微柱阵列,微米微柱的中间填充空气形成气膜孔,平面氧化铝陶瓷基底、钨铼合金薄膜热电偶和氧化铝微柱阵列形成三层叠层结构。本发明方案合理,结构简单,容易实现,能充分发挥微结构气膜孔定向流动的优势。

    一种层叠状高温柔性热电能量收集器件及制备方法

    公开(公告)号:CN116568116A

    公开(公告)日:2023-08-08

    申请号:CN202310784133.1

    申请日:2023-06-29

    Abstract: 一种层叠状高温柔性热电能量收集器件及制备方法,在柔性云母片基底上印刷有连接金属银薄膜和氧化铟敏感薄膜;氧化铟敏感薄膜和连接金属银薄膜为多个且在同一平面内排列串接而成,按照“热电臂‑“Z”型连接电极”的连接顺序依次串联实现电气连通;本发明通过利用耐高温热电材料,同时通过切割技术对热性基底沿热电器件阵列模具切割,形成冷端分离的结构设计,制备方法简单,具有可观的功率密度,可以实现对高温余热的回收利用,同时对环境友好,具有较高的功率密度,且易于安装,对工业生产中的高温再利用由广阔的应用前景。

    一种双面屏蔽结构的抗电磁干扰薄膜热电偶及其制备方法

    公开(公告)号:CN115371829A

    公开(公告)日:2022-11-22

    申请号:CN202211064218.4

    申请日:2022-08-31

    Abstract: 本发明公开了一种双面屏蔽结构的抗电磁干扰薄膜热电偶及其制备方法,采用双面屏蔽的结构解决现有薄膜热电偶输出信号受电磁干扰而导致信号精度低的技术问题,包括陶瓷基底以及陶瓷基底上的正极敏感层薄膜、负极敏感层薄膜、敏感层薄膜上的绝缘层薄膜、陶瓷基底背面的屏蔽层薄膜、绝缘层薄膜上的屏蔽层薄膜。采用磁控溅射技术、电子束蒸发技术及丝网印刷技术等,在陶瓷基底上制备两种不同的热电极敏感层薄膜及绝缘层薄膜、屏蔽层薄膜。制备的双面屏蔽薄膜热电偶可用于电磁环境中的温度测量,减小干扰引入,提高薄膜热电偶输出信号的精度。

    一种基于氧化铟复合材料的薄膜热电偶及其制备方法

    公开(公告)号:CN113959574A

    公开(公告)日:2022-01-21

    申请号:CN202111131729.9

    申请日:2021-09-26

    Abstract: 本发明公开了一种基于氧化铟复合材料的薄膜热电偶及其制备方法,陶瓷基底上对称设置并相互接触的氧化铟复合材料薄膜和氧化铟薄膜,氧化铟复合材料薄膜和氧化铟薄膜一侧的陶瓷基底上设置有热电极连接区域,另一侧的陶瓷基底上对应设置引线连接区域构成基于氧化铟复合材料的薄膜热电偶,薄膜热电偶的工作温度为1000~1500℃。本发明结合氧化铟和氧化锌、氧化锶、氧化镁等高熔点材料的高温稳定性和优异热电特性,通过丝网印刷技术制备一种基于氧化铟复合材料的薄膜热电偶,可用于极端环境下的高温测量,在1000~1500℃下长期稳定工作。

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