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公开(公告)号:CN102623079A
公开(公告)日:2012-08-01
申请号:CN201210095154.4
申请日:2012-03-31
Applicant: 西南科技大学
IPC: G21F9/34
Abstract: 本发明公开了一种含锶放射性石墨的高温自蔓延固化方法,它是首先对含锶放射性石墨的组成及含量进行分析,以石墨、钛和含锶放射性石墨为原料进行固化体配方设计,再对原料进行混合、细化及预压处理,再在1500~3000℃条件下对成型后的样品引燃,样品自行燃烧后获得含锶放射性石墨固化体实现固化。本发明技术操作简单,生产效率高,重复性好,可广泛用于核电站等相关领域所排放出含锶放射性核石墨的大规模处置。
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公开(公告)号:CN100488916C
公开(公告)日:2009-05-20
申请号:CN200710048600.5
申请日:2007-03-09
Applicant: 西南科技大学
IPC: C04B35/515 , C04B35/584 , C04B35/58 , C04B35/581 , C04B35/565 , C04B35/10 , C04B35/48 , C04B35/5831 , C04B35/622
Abstract: 一种含立方氮化硅粉体的陶瓷,其特征是该陶瓷的重量百分组成为:γ-Si3N45%~100%,Al2O3、ZrO2、α或β相Si3N4、SiC、BN、AlN中至少一种0~95%,以及烧结助剂Y2O3、Al2O3、La2O中至少一种0~10%。该陶瓷的制备方法包括:配料研磨、干燥、冷等静压造粒、干压成型、烧结腔体的装配、超高压烧结等步骤。本发明提供的制备方法简单、实用,易于操作,烧结温度低,烧结时间及生产周期短,成本低;陶瓷烧结体的致密度高、显微结构均匀、力学性能优异,可以用于机械、化工、航空航天、光电子等技术领域。
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公开(公告)号:CN101345095A
公开(公告)日:2009-01-14
申请号:CN200810045882.8
申请日:2008-08-23
Applicant: 西南科技大学
IPC: G21F9/00
Abstract: 一种放射性核废物模拟物质的固化方法,其特征是包括:以SiO2、ZrO2和Eu2O3或CeO2为原料,经配料、研磨、干燥、在1400℃~1600℃的温度下煅烧反应20~25h,制得以锆英石为基质的固化体。本发明制备方法简单,易于操作,生产周期短,生产效率高;固化体显微结构均匀、具有较高的结晶度;本发明为放射性核废物的处置提供一种新的有效固化方法,可广泛用于核工业等相关领域所排放出的放射性核废物的处置。
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公开(公告)号:CN102643089A
公开(公告)日:2012-08-22
申请号:CN201210091401.3
申请日:2012-03-31
Applicant: 西南科技大学
IPC: C04B35/48 , C04B35/622 , C04B35/645
Abstract: 本发明公开了一种Gd2Zr2O7烧绿石基陶瓷的高温高压快速合成方法,包括配料、研磨、干燥、干压成型和高温高压合成五个步骤。本发明在很宽的压力与温度范围内,以多元氧化物混合物为原料,同时实现了具有烧绿石结构的Gd2-xAxZr2-yByO7(0≤x≤2,0≤y≤2)化合物的合成与陶瓷的致密烧结,所需时间仅为15~30min,大大缩短了烧绿石陶瓷的制备时间,比传统技术所用的时间至少缩短100倍,提高了效率,实用性强。
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公开(公告)号:CN102592695A
公开(公告)日:2012-07-18
申请号:CN201210095168.6
申请日:2012-03-31
Applicant: 西南科技大学
Abstract: 本发明公开了一种放射性石墨的高温自蔓延固化方法。它是首先对放射性石墨的组成及含量进行分析;以石墨、铝、二氧化钛和放射性石墨为原料进行固化体配方设计;再对原料进行混合、细化及预压处理;再在1500~3000℃条件下对成型后的样品引燃,样品自行燃烧后获得放射性石墨固化体而实现固化。该方法操作简单,生产效率高,重复性好,可广泛用于核电站等相关领域所排放出放射性核石墨的大规模处置。
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公开(公告)号:CN101050115A
公开(公告)日:2007-10-10
申请号:CN200710048600.5
申请日:2007-03-09
Applicant: 西南科技大学
IPC: C04B35/515 , C04B35/584 , C04B35/58 , C04B35/581 , C04B35/565 , C04B35/10 , C04B35/48 , C04B35/5831 , C04B35/622
Abstract: 一种含立方氮化硅粉体的陶瓷,其特征是该陶瓷的重量百分组成为:γ-Si3N45%~100%,Al2O3、ZrO2、α或β相Si3N4、SiC、BN、AlN中至少一种0~95%,以及烧结助剂Y2O3、Al2O3、La2O中至少一种0~10%。该陶瓷的制备方法包括:配料研磨、干燥、冷等静压造粒、干压成型、烧结腔体的装配、超高压烧结等步骤。本发明提供的制备方法简单、实用,易于操作,烧结温度低,烧结时间及生产周期短,成本低;陶瓷烧结体的致密度高、显微结构均匀、力学性能优异,可以用于机械、化工、航空航天、光电子等技术领域。
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