公开(公告)号：CN100488916C

公开(公告)日：2009-05-20

申请号：CN200710048600.5

申请日：2007-03-09

Applicant: 西南科技大学

Inventor： 唐敬友 ,  寇自力 ,  贺红亮 ,  刘雨生

IPC: C04B35/515 ,  C04B35/584 ,  C04B35/58 ,  C04B35/581 ,  C04B35/565 ,  C04B35/10 ,  C04B35/48 ,  C04B35/5831 ,  C04B35/622

Abstract: 一种含立方氮化硅粉体的陶瓷，其特征是该陶瓷的重量百分组成为：γ-Si3N45%～100%，Al2O3、ZrO2、α或β相Si3N4、SiC、BN、AlN中至少一种0～95%，以及烧结助剂Y2O3、Al2O3、La2O中至少一种0～10%。该陶瓷的制备方法包括：配料研磨、干燥、冷等静压造粒、干压成型、烧结腔体的装配、超高压烧结等步骤。本发明提供的制备方法简单、实用，易于操作，烧结温度低，烧结时间及生产周期短，成本低；陶瓷烧结体的致密度高、显微结构均匀、力学性能优异，可以用于机械、化工、航空航天、光电子等技术领域。

公开(公告)号：CN101050115A

公开(公告)日：2007-10-10

申请号：CN200710048600.5

申请日：2007-03-09

Applicant: 西南科技大学

Inventor： 唐敬友 ,  寇自力 ,  贺红亮 ,  刘雨生

IPC: C04B35/515 ,  C04B35/584 ,  C04B35/58 ,  C04B35/581 ,  C04B35/565 ,  C04B35/10 ,  C04B35/48 ,  C04B35/5831 ,  C04B35/622

Abstract: 一种含立方氮化硅粉体的陶瓷，其特征是该陶瓷的重量百分组成为：γ－Si3N45％～100％，Al2O3、ZrO2、α或β相Si3N4、SiC、BN、AlN中至少一种0～95％，以及烧结助剂Y2O3、Al2O3、La2O中至少一种0～10％。该陶瓷的制备方法包括：配料研磨、干燥、冷等静压造粒、干压成型、烧结腔体的装配、超高压烧结等步骤。本发明提供的制备方法简单、实用，易于操作，烧结温度低，烧结时间及生产周期短，成本低；陶瓷烧结体的致密度高、显微结构均匀、力学性能优异，可以用于机械、化工、航空航天、光电子等技术领域。