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公开(公告)号：CN107508580B
公开(公告)日：2020-07-21
申请号：CN201710603571.8
申请日：2017-07-23
Applicant: 西南电子技术研究所(中国电子科技集团公司第十研究所)
IPC: H03K3/353
Abstract: 本发明公开的一种检测集成电路模拟/数字信号上升沿的脉冲生成电路，旨在提供一种够有效检测模拟集成电路中模拟/数字信号上升沿的脉冲生成电路。本发明通过下述技术方案予以实现：晶体管MP1的源端、晶体管MP2的源端、晶体管MP3的源端均连接至电源电压端VDDA；晶体管MN1的源端、晶体管MN3的源端均连接至地电压端；晶体管MP1的栅极、晶体管MP3的栅极、晶体管MN1的栅极和晶体管MN3的栅极均连接至输入端；晶体管MP1的漏极、晶体管MN1的漏极、晶体管MP2的栅极和体管MN2的栅极均连接到的电容MNCAP上极板，电容MNCAP的下极板连接至低电压端；晶体管MP2的漏极、晶体管MP3的漏极和晶体管MN2的漏极相连接后作为脉宽生成电路的输出端。
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公开(公告)号：CN107508580A
公开(公告)日：2017-12-22
申请号：CN201710603571.8
申请日：2017-07-23
Applicant: 西南电子技术研究所(中国电子科技集团公司第十研究所)
IPC: H03K3/353
Abstract: 本发明公开的一种检测集成电路模拟/数字信号上升沿的脉冲生成电路，旨在提供一种够有效检测模拟集成电路中模拟/数字信号上升沿的脉冲生成电路。本发明通过下述技术方案予以实现：晶体管MP1的源端、晶体管MP2的源端、晶体管MP3的源端均连接至电源电压端VDDA；晶体管MN1的源端、晶体管MN3的源端均连接至地电压端；晶体管MP1的栅极、晶体管MP3的栅极、晶体管MN1的栅极和晶体管MN3的栅极均连接至输入端；晶体管MP1的漏极、晶体管MN1的漏极、晶体管MP2的栅极和体管MN2的栅极均连接到的电容MNCAP上极板，电容MNCAP的下极板连接至低电压端；晶体管MP2的漏极、晶体管MP3的漏极和晶体管MN2的漏极相连接后作为脉宽生成电路的输出端。
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公开(公告)号：CN107946718B
公开(公告)日：2020-03-31
申请号：CN201711173293.3
申请日：2017-11-22
Applicant: 西南电子技术研究所(中国电子科技集团公司第十研究所)
IPC: H01P5/16
Abstract: 本发明公开的一种微波大功率合成器，旨在提供一种具备在低频段工作下，体积小并且能够输入输出大功率的功率合成器。本发明通过下述技术方案予以实现：在正方形空心金属的外导体(1)的中央，设有一个正圆形空心金属的内导体(2)，内导体(2)为四分之一波长，且外导体(1)的内边长与内导体(2)的外径之比为1.74±0.1，外导体(1)与内导体(2)长度之比≥2.11，输出连接器(4)的探针直径与内导体(2)外径之比为0.40‑0.42；内导体(2)顶端利用焊接工艺与输入连接器(3)的探针相连，内导体(2)底端利用焊接工艺与输出连接器(4)的探针相连，输入连接器(3)的探针和输出连接器(4)的探针将电场信号直接耦合，能量在由外导体(1)和内导体(2)构成的谐振腔体结构中以准TEM模的形式进行传输。
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公开(公告)号：CN107946718A
公开(公告)日：2018-04-20
申请号：CN201711173293.3
申请日：2017-11-22
Applicant: 西南电子技术研究所(中国电子科技集团公司第十研究所)
IPC: H01P5/16
Abstract: 本发明公开的一种微波大功率合成器，旨在提供一种具备在低频段工作下，体积小并且能够输入输出大功率的功率合成器。本发明通过下述技术方案予以实现：在正方形空心金属的外导体(1)的中央，设有一个正圆形空心金属的内导体(2)，内导体(2)为四分之一波长，且外导体(1)的内边长与内导体(2)的外径之比为1.74±0.1，外导体(1)与内导体(2)长度之比≥2.11，输出连接器(4)的探针直径与内导体(2)外径之比为0.40-0.42；内导体(2)顶端利用焊接工艺与输入连接器(3)的探针相连，内导体(2)底端利用焊接工艺与输出连接器(4)的探针相连，输入连接器(3)的探针和输出连接器(4)的探针将电场信号直接耦合，能量在由外导体(1)和内导体(2)构成的谐振腔体结构中以准TEM模的形式进行传输。
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