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公开(公告)号：CN110045334B
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN201910150916.8
申请日：2019-02-28
Applicant: 西南电子技术研究所(中国电子科技集团公司第十研究所)
Abstract: 本发明提出了一种低副瓣零陷波束形成方法，利用本发明可以降低低副瓣零陷权向量设计复杂度，增加灵活性，便于硬件实现。本发明通过以下技术方案予以实现：基于虚拟子阵分步加权，将实际的均匀直线阵列划分为两个虚拟的均匀直线子阵，且两个子阵仅有一个阵元共用；低副瓣零陷权向量模块利用分步加权对波束图进行零陷约束和低副瓣约束，通过调整虚拟子阵阵元数的分配方式和副瓣电平值使两个虚拟子阵的权向量对应的波束宽度相等，低副瓣零陷权向量模块对低副瓣权向量模块和零陷权向量模块得到的低副瓣权向量和零陷权向量进行卷积，得到低副瓣零陷权向量；然后按照最大副瓣电平小于门限下波束主瓣最窄的原则选取最优权向量，完成低副瓣零陷波束形成。
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公开(公告)号：CN110045334A
公开(公告)日：2019-07-23
申请号：CN201910150916.8
申请日：2019-02-28
Applicant: 西南电子技术研究所(中国电子科技集团公司第十研究所)
Abstract: 本发明提出了一种低副瓣零陷波束形成方法，利用本发明可以降低低副瓣零陷权向量设计复杂度，增加灵活性，便于硬件实现。本发明通过以下技术方案予以实现：基于虚拟子阵分步加权，将实际的均匀直线阵列划分为两个虚拟的均匀直线子阵，且两个子阵仅有一个阵元共用；低副瓣零陷权向量模块利用分步加权对波束图进行零陷约束和低副瓣约束，通过调整虚拟子阵阵元数的分配方式和副瓣电平值使两个虚拟子阵的权向量对应的波束宽度相等，低副瓣零陷权向量模块对低副瓣权向量模块和零陷权向量模块得到的低副瓣权向量和零陷权向量进行卷积，得到低副瓣零陷权向量；然后按照最大副瓣电平小于门限下波束主瓣最窄的原则选取最优权向量，完成低副瓣零陷波束形成。
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公开(公告)号：CN111817766B
公开(公告)日：2023-05-26
申请号：CN202010609903.5
申请日：2020-06-29
Applicant: 西南电子技术研究所(中国电子科技集团公司第十研究所)
Abstract: 本发明提出了一种联合天线阵元方向图的波束形成方法，利用本发明可以增强波束形成阵列天线单元方向图存在不一致时的性能。本发明通过以下技术方案予以实现：针对阵列天线，对阵列天线的各个天线单元进行方向图测试，根据天线测试点方向图，建立该阵列天线方向图数据库；利用天线方向图数据库，采用线性插值、样条插值的内插方式，获得阵列天线在离散化程度更高的方向上响应的精细方向图；对实测天线方向图进行插值获得该阵列天线更细致的方向图，利用该天线方向图对理想阵列天线的导向向量进行修正，修正方法是将内插获得的精细方向图和理想天线导向向量进行哈达玛积Hadamard积，到修正导向向量；然利用线性约束最小方差LCMV等算法得到波束形成权向量。
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公开(公告)号：CN111817766A
公开(公告)日：2020-10-23
申请号：CN202010609903.5
申请日：2020-06-29
Applicant: 西南电子技术研究所(中国电子科技集团公司第十研究所)
Abstract: 本发明提出了一种联合天线阵元方向图的波束形成方法，利用本发明可以增强波束形成阵列天线单元方向图存在不一致时的性能。本发明通过以下技术方案予以实现：针对阵列天线，对阵列天线的各个天线单元进行方向图测试，根据天线测试点方向图，建立该阵列天线方向图数据库；利用天线方向图数据库，采用线性插值、样条插值的内插方式，获得阵列天线在离散化程度更高的方向上响应的精细方向图；对实测天线方向图进行插值获得该阵列天线更细致的方向图，利用该天线方向图对理想阵列天线的导向向量进行修正，修正方法是将内插获得的精细方向图和理想天线导向向量进行哈达玛积Hadamard积，到修正导向向量；然利用线性约束最小方差LCMV等算法得到波束形成权向量。
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