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公开(公告)号：CN115403784B
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202211023368.0
申请日：2022-08-25
Applicant: 西南大学
Abstract: 本发明公开了一种改性丝素蛋白及其制备方法、忆阻器和应用，其属于光电材料技术领域，该改性丝素蛋白的制备方法包括以下步骤：将5,6‑二羟基吲哚、聚甘油‑3和丝素蛋白溶液进行混合，得到前驱体溶液；将前驱体溶液进行热处理，得到改性丝素蛋白。本发明通过采用5,6‑二羟基吲哚和聚甘油‑3对丝素蛋白进行改性，可以显著提高丝素蛋白的柔韧性和介电性能；将该改性丝素蛋白作为忆阻器的基底，可以根据改性丝素蛋白的正负光电导效应，模拟人脑视皮层给光型和撤光型双极细胞，其具有较强的图像感知、原位存储、预处理和识别方面的能力。
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公开(公告)号：CN116846253A
公开(公告)日：2023-10-03
申请号：CN202310802631.4
申请日：2023-07-03
Applicant: 西南大学
Abstract: 本申请适用于电子技术领域，提供了一种陶土纳米发电器件及其制作方法、忆阻器自驱动系统；其中，所述陶土纳米发电机的制作方法包括：在内置陶土粉末的装置的两端插入金属丝，以作为电极；在所述内置陶土粉末的装置的一端放入经酸溶液处理后的棉线，以使去离子得以通过所述棉线渗透入所述内置陶土粉末的装置内，得陶土发电器件。所制作得到的单个陶土纳米发电器件可以产生1.5μA左右的电流，0.5V左右的电压，在270小时内保持稳定，并且具有制备方法简单、成本低的优点。通过将陶土纳米发电器件与忆阻器集成在一起，实现对忆阻器的自驱动系统。
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公开(公告)号：CN109860389A
公开(公告)日：2019-06-07
申请号：CN201910064700.X
申请日：2019-01-23
Applicant: 西南大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明公开了一种光电双控柔性蛋清忆阻器在数据存算一体化中的应用，步骤1、将0.009-0.011g 5,6-二羟基吲哚,0.29-0.31 g 3聚甘油，9.9-10.1g蛋清溶液和100 mL的去离子水依次混合；步骤2、在室温搅拌3-15h以上，即制备得出前驱体溶液；步骤3、在蛋清柔性衬底上利用磁控溅射溅射120s得到厚度为100±10nm厚的Au电极；步骤4、用制备的蛋清前驱体溶液在室温旋涂厚度为200±50nm的蛋清忆阻器，最后再在阻变层上面制备一层Au电极。本发明为下一代新电子器件，特别是解决冯诺依曼瓶颈提供了技术储备。
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公开(公告)号：CN109705585B
公开(公告)日：2021-01-15
申请号：CN201910059887.4
申请日：2019-01-22
Applicant: 西南大学
Abstract: 本发明适用于材料技术领域，提供了一种高介电蛋清薄膜材料的制备方法以及可穿戴电子器件。该薄膜制备方法包括：从禽蛋中提取出蛋清溶液；按配方称取三聚甘油、5,6‑二羟基吲哚、NaHCO3粉末和蛋清溶液；将三聚甘油加入称好的蛋清溶液中，在室温条件下搅拌2.5～3.5小时，得到第一混合液；向第一混合液加入5,6‑二羟基吲哚和NaHCO3粉末，并搅拌至溶液颜色变为黑紫色，得到第二混合液；将第二混合液均匀滩涂在预先准备好的玻璃板上，并于95℃～99℃保持2.5～3.5小时烘干，取出并冷却至室温后剥离，得到薄膜材料。采用本发明制备方法制得的薄膜材料，采用成本低廉且可生物降解的禽蛋蛋清作为薄膜主要原料，并且制得的薄膜材料具有优异的介电性能，可与目前的使用的HfO2媲美。
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公开(公告)号：CN117940005A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202311612154.1
申请日：2023-11-29
Applicant: 西南大学
Abstract: 本发明公开了一种反转声子激发的异常相变忆阻器，一种反转声子激发的异常相变忆阻器、制备方法及应用，其中变忆阻器包括基底层、附着于基底层上的底部电极、附着于底部电极上的功能层、附着于功能层上的顶部电极，所述底部电极的材料为Au，所述功能层为SbSex薄膜，所述顶部电极的材料为Pt。其显著效果是：通过在忆阻器内部直接形成RC电路，从而实现了通过单一忆阻器即可产生有序振荡、有序‑无序振荡、无序振荡等，进而形成混沌电路，实现混沌效果，极大简化了混沌产生电路，且提升了电路质量，其材料工艺相较于现有技术成本更低，器件功耗也更小，集成度更高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114883489A
公开(公告)日：2022-08-09
申请号：CN202210589118.7
申请日：2022-05-27
Applicant: 西南大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明涉及半导体器件技术领域，具体涉及一种异质结自整流忆阻器及其制备方法。其中，一种异质结自整流忆阻器，包括依次叠加的第一电极层、具有忆阻特性的异质结层和第二电极层，所述第一电极层、具有忆阻特性的异质结层和第二电极层的势垒能够通过能带工程进行调控。其方法包括以下步骤：取基底、第一电极层材料、具有忆阻特性的异质结层材料和第二电极层材料；在所述基底上依次叠加进行第一电极层材料、具有忆阻特性的异质结层材料和第二电极层材料的溅射镀膜，镀膜后形成异质结自整流忆阻器。本发明的目的是解决现有的忆阻器会产生潜行电流，使其电阻值会发生变化，导致其储存的数据失效的问题。
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公开(公告)号：CN109705585A
公开(公告)日：2019-05-03
申请号：CN201910059887.4
申请日：2019-01-22
Applicant: 西南大学
Abstract: 本发明适用于材料技术领域，提供了一种高介电蛋清薄膜材料的制备方法以及可穿戴电子器件。该薄膜制备方法包括：从禽蛋中提取出蛋清溶液；按配方称取三聚甘油、5,6-羟基二甲基、NaHCO3粉末和蛋清溶液；将三聚甘油加入称好的蛋清溶液中，在室温条件下搅拌2.5~3.5小时，得到第一混合液；向第一混合液加入5,6-羟基二甲基和NaHCO3粉末，并搅拌至溶液颜色变为黑紫色，得到第二混合液；将第二混合液均匀滩涂在预先准备好的玻璃板上，并于95℃~99℃保持2.5~3.5小时烘干，取出并冷却至室温后剥离，得到薄膜材料。采用本发明制备方法制得的薄膜材料，采用成本低廉且可生物降解的禽蛋蛋清作为薄膜主要原料，并且制得的薄膜材料具有优异的介电性能，可与目前的使用的HfO2媲美。
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公开(公告)号：CN114883489B
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202210589118.7
申请日：2022-05-27
Applicant: 西南大学
IPC: H10N70/20
Abstract: 本发明涉及半导体器件技术领域，具体涉及一种异质结自整流忆阻器及其制备方法。其中，一种异质结自整流忆阻器，包括依次叠加的第一电极层、具有忆阻特性的异质结层和第二电极层，所述第一电极层、具有忆阻特性的异质结层和第二电极层的势垒能够通过能带工程进行调控。其方法包括以下步骤：取基底、第一电极层材料、具有忆阻特性的异质结层材料和第二电极层材料；在所述基底上依次叠加进行第一电极层材料、具有忆阻特性的异质结层材料和第二电极层材料的溅射镀膜，镀膜后形成异质结自整流忆阻器。本发明的目的是解决现有的忆阻器会产生潜行电流，使其电阻值会发生变化，导致其储存的数据失效的问题。
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公开(公告)号：CN115403784A
公开(公告)日：2022-11-29
申请号：CN202211023368.0
申请日：2022-08-25
Applicant: 西南大学
Abstract: 本发明公开了一种改性丝素蛋白及其制备方法、忆阻器和应用，其属于光电材料技术领域，该改性丝素蛋白的制备方法包括以下步骤：将5,6‑二羟基吲哚、聚甘油‑3和丝素蛋白溶液进行混合，得到前驱体溶液；将前驱体溶液进行热处理，得到改性丝素蛋白。本发明通过采用5,6‑二羟基吲哚和聚甘油‑3对丝素蛋白进行改性，可以显著提高丝素蛋白的柔韧性和介电性能；将该改性丝素蛋白作为忆阻器的基底，可以根据改性丝素蛋白的正负光电导效应，模拟人脑视皮层给光型和撤光型双极细胞，其具有较强的图像感知、原位存储、预处理和识别方面的能力。
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公开(公告)号：CN109678212B
公开(公告)日：2021-04-02
申请号：CN201910049213.6
申请日：2019-01-18
Applicant: 西南大学
Abstract: 本发明适用于材料技术领域，提供了一种Fe2O3纳米材料及其制备方法以及类脑智能芯片，该方法包括：按配方称取氧化石墨烯、氯化铁和氢氧化钠；取氧化石墨烯溶解于20~25mL水中，并于室温搅拌10~14小时，得到氧化石墨烯分散液；将氧化铁和氢氧化钠溶解于氧化石墨烯分散液中，并于49~51℃温度条件下搅拌9~11小时，得到前驱体溶液；将前驱体溶液转移到反应釜中，于199~201℃条件下反应47~49小时，得到反应液；待反应液冷却至室温后，在转速为8000~12000rpm下离心3~5次，得到红棕色粉末；将红棕色粉末在59~61℃条件下烘干即可。采用本发明制备方法制得的材料在光照下，电流从10‑5A降低到10‑11以下，功耗十分低，并且可通过光照与附加偏压获得两种存储状态，尤其适合用作类脑智能芯片底层材料。
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