Patent search ap:("西南大学") AND inv:"任芝君" Page 1

1.

发明公开
一种反转声子激发的异常相变忆阻器、制备方法及应用审中-实审

公开(公告)号：CN117940005A

公开(公告)日：2024-04-26

申请号：CN202311612154.1

申请日：2023-11-29

Applicant: 西南大学

Inventor： 周广东 , 王谨成岩 , 任芝君 , 宋群梁 , 王丽丹 , 段书凯

IPC: H10N70/20 , H10N70/00 , G06N3/065

Abstract: 本发明公开了一种反转声子激发的异常相变忆阻器，一种反转声子激发的异常相变忆阻器、制备方法及应用，其中变忆阻器包括基底层、附着于基底层上的底部电极、附着于底部电极上的功能层、附着于功能层上的顶部电极，所述底部电极的材料为Au，所述功能层为SbSex薄膜，所述顶部电极的材料为Pt。其显著效果是：通过在忆阻器内部直接形成RC电路，从而实现了通过单一忆阻器即可产生有序振荡、有序‑无序振荡、无序振荡等，进而形成混沌电路，实现混沌效果，极大简化了混沌产生电路，且提升了电路质量，其材料工艺相较于现有技术成本更低，器件功耗也更小，集成度更高。

Patent Agency Ranking