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公开(公告)号：CN112382661A
公开(公告)日：2021-02-19
申请号：CN202011249384.2
申请日：2020-11-10
Applicant: 西南交通大学
IPC: H01L29/778 , H01L29/40 , H01L29/06
Abstract: 本发明公开了一种耐高击穿电压的GaN HEMT器件，属于GaN HEMT器件技术领域，包括从下至上依次设置有衬底二、GaN缓冲层二、GaN沟道层二、AlGaN势垒层二、栅介质层二和SiO2钝化层二，在GaN缓冲层二上方的两端分别设置有源电极二和漏电极二，在靠近源电极二的栅介质层二上设置有栅电极二，栅介质层二内设置有栅下极化层，且栅下极化层直接与下方的AlGaN势垒层二接触，SiO2钝化层二内设置有第一栅分段场板和第二栅分段场板，可有效解决使用传统栅场板技术的GaN HEMT器件耐击穿电压低的问题。
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公开(公告)号：CN108374318A
公开(公告)日：2018-08-07
申请号：CN201810371786.6
申请日：2018-04-24
Applicant: 西南交通大学
Abstract: 本发明公开了一种钢-超高性能混凝土结合段及其制作方法，所述钢-超高性能混凝土结合段包括结合梁，结合梁的一端与钢梁连接，另一端与混凝土梁连接，结合梁与钢梁的连接部设置有承压板；所述制作方法包括根据设计需求选择钢梁、混凝土梁的截面尺寸，及结合梁的长度、承压板的截面尺寸；本发明能解决现有钢-混凝土结合段构造复杂、刚度过渡不平顺、施工难度大等问题，结构简单，安全可靠。
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公开(公告)号：CN112382661B
公开(公告)日：2021-09-07
申请号：CN202011249384.2
申请日：2020-11-10
Applicant: 西南交通大学
IPC: H01L29/778 , H01L29/40 , H01L29/06
Abstract: 本发明公开了一种耐高击穿电压的GaN HEMT器件，属于GaN HEMT器件技术领域，包括从下至上依次设置有衬底二、GaN缓冲层二、GaN沟道层二、AlGaN势垒层二、栅介质层二和SiO2钝化层二，在GaN缓冲层二上方的两端分别设置有源电极二和漏电极二，在靠近源电极二的栅介质层二上设置有栅电极二，栅介质层二内设置有栅下极化层，且栅下极化层直接与下方的AlGaN势垒层二接触，SiO2钝化层二内设置有第一栅分段场板和第二栅分段场板，可有效解决使用传统栅场板技术的GaN HEMT器件耐击穿电压低的问题。
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公开(公告)号：CN219824874U
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN202320797864.5
申请日：2023-04-12
Applicant: 西南交通大学 , 中国十九冶集团有限公司
IPC: E01D19/00
Abstract: 本实用新型提供一种带限位结构的桥梁钢结构，涉及桥梁钢结构技术领域，包括H型钢A和H型钢B，所述H型钢A靠近H型钢B的一端中间开设有限位槽，所述H型钢A一侧靠近限位槽的位置处固定安装有限位板，所述H型钢B靠近H型钢A的一端中间固定安装有限位块，所述H型钢B一侧靠近限位块的位置处和H型钢A一侧靠近限位槽的位置处均固定安装有限位架。本实用新型中，通过限位块、限位槽和限位板的设置，使桥梁钢结构上的H型钢B在进行安装时，只需把限位块移动至限位槽中，即可使H型钢B在H型钢A一端得到限位，避免了需要多次移动H型钢B，让H型钢B与H型钢A进行对齐的现象产生，使H型钢A和H型钢B之间的拼接安装更加便利。
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公开(公告)号：CN208121542U
公开(公告)日：2018-11-20
申请号：CN201820594102.4
申请日：2018-04-24
Applicant: 西南交通大学
Abstract: 本实用新型公开了一种钢-超高性能混凝土结合段，所述钢-超高性能混凝土结合段包括结合梁，结合梁的一端与钢梁连接，另一端与混凝土梁连接，结合梁与钢梁的连接部设置有承压板；本实用新型能解决现有钢-混凝土结合段构造复杂、刚度过渡不平顺、施工难度大等问题，结构简单，安全可靠。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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