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公开(公告)号：CN113067112B
公开(公告)日：2021-11-23
申请号：CN202110330206.0
申请日：2021-03-29
Applicant: 西南交通大学
IPC: H01P1/20
Abstract: 本发明公开了一种闭环交叉耦合微带结构的超宽阻带高温超导低通滤波器，其包括五阶低通电路结构、以及分别设置在所述五阶低通电路结构两端的第一闭环交叉耦合微带电路和第二闭环交叉耦合微带电路。本发明采用两个闭环交叉耦合微带电路和一个五阶低通电路结构形成高温超导低通滤波器，利用五阶低通电路结构实现陡峭的带外抑制低通特性，利用闭环交叉耦合微带电路实现超宽阻带特性，解决了上阻带的抑制度和上边带滚降率问题，实现了小型化、超宽阻带、高带外抑制低通滤波器，从而满足射频前端电路系统的应用需求。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113176461B
公开(公告)日：2022-05-10
申请号：CN202110466129.1
申请日：2021-04-28
Applicant: 西南交通大学
Abstract: 本发明公开了一种综合接触和材料非线性的无源互调预测方法，该方法首先对器件的材料成分和所占比重进行确定，能够将器件非线性来源进行预判，然后考虑接触面的两种接触状态和器件中存在的磁性金属，将形成的4种非线性电阻整合到一个等效电路中，能够同时分析接触和材料的非线性效应对无源互调的影响，并采用4个可调比例因子进行优化，从而确定完整的综合了接触和材料非线性影响的无源互调预测模型，能够更加精确地对信号频率、功率对互调产物的影响进行定量研究，同时，也能对高阶的互调产物的功率进行精确预测。
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公开(公告)号：CN113067112A
公开(公告)日：2021-07-02
申请号：CN202110330206.0
申请日：2021-03-29
Applicant: 西南交通大学
IPC: H01P1/20
Abstract: 本发明公开了一种闭环交叉耦合微带结构的超宽阻带高温超导低通滤波器，其包括五阶低通电路结构、以及分别设置在所述五阶低通电路结构两端的第一闭环交叉耦合微带电路和第二闭环交叉耦合微带电路。本发明采用两个闭环交叉耦合微带电路和一个五阶低通电路结构形成高温超导低通滤波器，利用五阶低通电路结构实现陡峭的带外抑制低通特性，利用闭环交叉耦合微带电路实现超宽阻带特性，解决了上阻带的抑制度和上边带滚降率问题，实现了小型化、超宽阻带、高带外抑制低通滤波器，从而满足射频前端电路系统的应用需求。
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公开(公告)号：CN112382661A
公开(公告)日：2021-02-19
申请号：CN202011249384.2
申请日：2020-11-10
Applicant: 西南交通大学
IPC: H01L29/778 , H01L29/40 , H01L29/06
Abstract: 本发明公开了一种耐高击穿电压的GaN HEMT器件，属于GaN HEMT器件技术领域，包括从下至上依次设置有衬底二、GaN缓冲层二、GaN沟道层二、AlGaN势垒层二、栅介质层二和SiO2钝化层二，在GaN缓冲层二上方的两端分别设置有源电极二和漏电极二，在靠近源电极二的栅介质层二上设置有栅电极二，栅介质层二内设置有栅下极化层，且栅下极化层直接与下方的AlGaN势垒层二接触，SiO2钝化层二内设置有第一栅分段场板和第二栅分段场板，可有效解决使用传统栅场板技术的GaN HEMT器件耐击穿电压低的问题。
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公开(公告)号：CN112382661B
公开(公告)日：2021-09-07
申请号：CN202011249384.2
申请日：2020-11-10
Applicant: 西南交通大学
IPC: H01L29/778 , H01L29/40 , H01L29/06
Abstract: 本发明公开了一种耐高击穿电压的GaN HEMT器件，属于GaN HEMT器件技术领域，包括从下至上依次设置有衬底二、GaN缓冲层二、GaN沟道层二、AlGaN势垒层二、栅介质层二和SiO2钝化层二，在GaN缓冲层二上方的两端分别设置有源电极二和漏电极二，在靠近源电极二的栅介质层二上设置有栅电极二，栅介质层二内设置有栅下极化层，且栅下极化层直接与下方的AlGaN势垒层二接触，SiO2钝化层二内设置有第一栅分段场板和第二栅分段场板，可有效解决使用传统栅场板技术的GaN HEMT器件耐击穿电压低的问题。
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公开(公告)号：CN113176461A
公开(公告)日：2021-07-27
申请号：CN202110466129.1
申请日：2021-04-28
Applicant: 西南交通大学
Abstract: 本发明公开了一种综合接触和材料非线性的无源互调预测方法，该方法首先对器件的材料成分和所占比重进行确定，能够将器件非线性来源进行预判，然后考虑接触面的两种接触状态和器件中存在的磁性金属，将形成的4种非线性电阻整合到一个等效电路中，能够同时分析接触和材料的非线性效应对无源互调的影响，并采用4个可调比例因子进行优化，从而确定完整的综合了接触和材料非线性影响的无源互调预测模型，能够更加精确地对信号频率、功率对互调产物的影响进行定量研究，同时，也能对高阶的互调产物的功率进行精确预测。
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