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公开(公告)号：CN107602132B
公开(公告)日：2020-06-19
申请号：CN201710609750.2
申请日：2017-07-25
Applicant: 西南交通大学
IPC: C04B35/58 , C04B35/626
Abstract: 本发明公开了一种MoAlB陶瓷粉体的制备方法，包括以下步骤：(1)MoB粉和Al粉按摩尔配比为1：(1.6～30)比例，混合均匀；(2)将步骤(1)得到的混合粉体在900～1500℃温度、氩气保护条件下反应1～4小时，冷却后得反应产物；(3)将步骤(2)得到的反应产物用盐酸去除过量铝，清洗干燥后得到需要的目标陶瓷粉体；本发明制备工艺简单、成本低、易于工业化推广，MoAlB陶瓷粉体纯度高。
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公开(公告)号：CN106518119A
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：CN201610910480.4
申请日：2016-10-19
Applicant: 西南交通大学
IPC: C04B35/80 , C04B35/56 , C04B35/626 , C04B35/64
CPC classification number: C04B35/806 , C04B35/5618 , C04B35/62615 , C04B35/64 , C04B2235/666 , C04B2235/77 , C04B2235/96
Abstract: 一种致密的Ti2AlC/Al2O3纤维复合材料及其制备方法，采用商业购买的Ti2AlC粉末和Al2O3纤维，通过等离子放电烧结的技术，获得致密的Ti2AlC/Al2O3纤维复合材料。具体的制备方法是：先将Al2O3纤维在200-400℃下进行处理，再手工研磨Al2O3纤维至长度为50-200微米，将纤维与Ti2AlC粉末混合后球磨12-24h，装入等离子放电烧结炉中，在10-100MPa压力下和1000-1500℃的温度下烧结，保温时间为1-60min。本发明与一般的Ti2AlC的复合材料相比，具有更高的强度和断裂韧性，高的致密度，良好的导热率，可满足工业规模生产的要求。
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公开(公告)号：CN106518119B
公开(公告)日：2019-05-10
申请号：CN201610910480.4
申请日：2016-10-19
Applicant: 西南交通大学
IPC: C04B35/80 , C04B35/56 , C04B35/626 , C04B35/64
Abstract: 一种致密的Ti2AlC/Al2O3纤维复合材料及其制备方法，采用商业购买的Ti2AlC粉末和Al2O3纤维，通过等离子放电烧结的技术，获得致密的Ti2AlC/Al2O3纤维复合材料。具体的制备方法是：先将Al2O3纤维在200‑400℃下进行处理，再手工研磨Al2O3纤维至长度为50‑200微米，将纤维与Ti2AlC粉末混合后球磨12‑24h，装入等离子放电烧结炉中，在10‑100MPa压力下和1000‑1500℃的温度下烧结，保温时间为1‑60min。本发明与一般的Ti2AlC的复合材料相比，具有更高的强度和断裂韧性，高的致密度，良好的导热率，可满足工业规模生产的要求。
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公开(公告)号：CN107805071A
公开(公告)日：2018-03-16
申请号：CN201711016918.5
申请日：2017-10-26
Applicant: 西南交通大学
IPC: C04B35/56 , C04B35/185 , C04B35/622
CPC classification number: C04B35/5618 , C04B35/185 , C04B35/622 , C04B2235/3463 , C04B2235/3839 , C04B2235/5436 , C04B2235/602 , C04B2235/656 , C04B2235/6562 , C04B2235/6565 , C04B2235/6567 , C04B2235/658 , C04B2235/663
Abstract: 本发明公开了一种低玻璃润湿性钛三铝碳二/莫来石复合陶瓷的制备方法，包括以下步骤：（1）将Ti3AlC2粉和莫来石粉混合均匀，形成的混合物中莫来石体积分数为1～90%；（2）将步骤（1）中的混合物经模具冷压成胚体；（3）将步骤（2）得到胚体置于流动氩气环境中，在800～1600℃条件下反应0.5～5小时，冷却后既得所需Ti3AlC2/莫来石复合陶瓷；本发明制备工艺简单、生产成本低、易于工业化推广。
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公开(公告)号：CN106848226A
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：CN201710045553.2
申请日：2017-01-20
Applicant: 西南交通大学
Abstract: 本发明公开了一种各向异性氮化钛陶瓷薄膜及其制备方法，由统一晶格取向的单层氮化钛纳米层片晶粒构成，所述层片晶粒的（111）晶面平行于薄膜表面排列堆垛，形成具有织构取向的氮化钛陶瓷薄膜；制备方法包括以下步骤：（1）置于氢氟酸中，腐蚀得Ti3C2陶瓷粉末；（2）将陶瓷粉末清洗后超声剥离，得单层的Ti3C2纳米片；（3）将Ti3C2纳米片经离心，真空抽滤后得到Ti3C2陶瓷薄膜前驱体；（4）干燥后得到Ti3C2陶瓷薄膜；（5）将Ti3C2陶瓷薄膜高温氮化处理得目标产物；本发明通过对Ti3C2陶瓷薄膜前驱体进行热处理，在高温下实现原位氮化，得到导电性能好、硬度高，具有各向异性的氮化钛陶瓷薄膜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108531991B
公开(公告)日：2020-12-18
申请号：CN201810262047.3
申请日：2018-03-28
Applicant: 西南交通大学
Abstract: 本发明公开了一种长针状和薄片状单晶MoAlB的制备方法，包括以下步骤：步骤1：将MoB粉和Al粉按摩尔比为1：（40～100）的比例混合，得到混合粉体；步骤2：将步骤1中得到的混合粉体进行高温固液合成反应，冷却后得到反应产物；步骤3：将步骤2得到的反应产物酸洗去除未反应的铝，清洗和干燥后既得所需长针状和薄片状单晶MoAlB；本发明通过将MoB粉混在超过量的Al粉中，从而在高温下实现MoB粉完全处在熔融的铝液中，可得到纯净的长针状和薄片状单晶MoAlB；制备工艺简单、成本低，易于工业化推广。
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公开(公告)号：CN107805071B
公开(公告)日：2020-12-18
申请号：CN201711016918.5
申请日：2017-10-26
Applicant: 西南交通大学
IPC: C04B35/56 , C04B35/185 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种低玻璃润湿性钛三铝碳二/莫来石复合陶瓷的制备方法，包括以下步骤：（1）将Ti3AlC2粉和莫来石粉混合均匀，形成的混合物中莫来石体积分数为1～90%；（2）将步骤（1）中的混合物经模具冷压成胚体；（3）将步骤（2）得到胚体置于流动氩气环境中，在800～1600℃条件下反应0.5～5小时，冷却后既得所需Ti3AlC2/莫来石复合陶瓷；本发明制备工艺简单、生产成本低、易于工业化推广。
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公开(公告)号：CN106848226B
公开(公告)日：2019-06-07
申请号：CN201710045553.2
申请日：2017-01-20
Applicant: 西南交通大学
Abstract: 本发明公开了一种各向异性氮化钛陶瓷薄膜及其制备方法，由统一晶格取向的单层氮化钛纳米层片晶粒构成，所述层片晶粒的（111）晶面平行于薄膜表面排列堆垛，形成具有织构取向的氮化钛陶瓷薄膜；制备方法包括以下步骤：（1）置于氢氟酸中，腐蚀得Ti3C2陶瓷粉末；（2）将陶瓷粉末清洗后超声剥离，得单层的Ti3C2纳米片；（3）将Ti3C2纳米片经离心，真空抽滤后得到Ti3C2陶瓷薄膜前驱体；（4）干燥后得到Ti3C2陶瓷薄膜；（5）将Ti3C2陶瓷薄膜高温氮化处理得目标产物；本发明通过对Ti3C2陶瓷薄膜前驱体进行热处理，在高温下实现原位氮化，得到导电性能好、硬度高，具有各向异性的氮化钛陶瓷薄膜。
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公开(公告)号：CN108531991A
公开(公告)日：2018-09-14
申请号：CN201810262047.3
申请日：2018-03-28
Applicant: 西南交通大学
Abstract: 本发明公开了一种长针状和薄片状单晶MoAlB的制备方法，包括以下步骤：步骤1：将MoB粉和Al粉按摩尔比为1：（40～100）的比例混合，得到混合粉体；步骤2：将步骤1中得到的混合粉体进行高温固液合成反应，冷却后得到反应产物；步骤3：将步骤2得到的反应产物酸洗去除未反应的铝，清洗和干燥后既得所需长针状和薄片状单晶MoAlB；本发明通过将MoB粉混在超过量的Al粉中，从而在高温下实现MoB粉完全处在熔融的铝液中，可得到纯净的长针状和薄片状单晶MoAlB；制备工艺简单、成本低，易于工业化推广。
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公开(公告)号：CN107602132A
公开(公告)日：2018-01-19
申请号：CN201710609750.2
申请日：2017-07-25
Applicant: 西南交通大学
IPC: C04B35/58 , C04B35/626
Abstract: 本发明公开了一种MoAlB陶瓷粉体的制备方法，包括以下步骤：(1)MoB粉和Al粉按摩尔配比为1：(1.6～30)比例，混合均匀；(2)将步骤(1)得到的混合粉体在900～1500℃温度、氩气保护条件下反应1～4小时，冷却后得反应产物；(3)将步骤(2)得到的反应产物用盐酸去除过量铝，清洗干燥后得到需要的目标陶瓷粉体；本发明制备工艺简单、成本低、易于工业化推广，MoAlB陶瓷粉体纯度高。
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