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公开(公告)号：CN116072756A
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN202310182509.1
申请日：2023-02-28
Applicant: 西北工业大学
IPC: H01L31/113 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种基于半浮栅结构的低功耗宽光谱光电探测器及其制备方法，属于二维半导体光电探测器件技术领域。本发明公开的一种基于半浮栅结构的低功耗宽光谱光电探测器，采用二维半导体层的一半覆盖在透明二维半金属层上，透明二维半导体层作为器件工作的载流子沟道，其两端分别连接一个金属电极层作为源极和漏极，当底栅电极施加正电压时，在静电场的作用下，透明二维半导体层中会感应出电子，并通过隧穿进入透明二维半金属层中；当撤去栅压后，俘获在透明二维半金属层中的电子由于透明二维介电层的势垒阻挡，滞留在透明二维半金属层中，对覆盖在其上面的透明二维半导体层产生静电掺杂作用，具有低暗电流、高响应度和宽光谱光响应的特点。
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公开(公告)号：CN115323493B
公开(公告)日：2023-10-03
申请号：CN202211166701.3
申请日：2022-09-23
Applicant: 西北工业大学
Abstract: 本发明公开了一种大尺寸层状FeOCl单晶及其制备方法，属于金属氧氯化合物材料制备技术领域。本发明公开的一种大尺寸层状FeOCl单晶的制备方法，采用FeCl3`6H2O制备得到FeOCl粉末，随后将FeOCl粉末通过热端和冷端不同的加热程序的设置进行加热处理，最终得到大尺寸层状FeOCl单晶；由于不使用FeCl3，避免了在制备过程中FeCl3的气化，没有杂质出现，同时制备过程环境压力低，制备条件简单易实现，具有良好的应用前景。采用本发明制备得到的大尺寸层状FeOCl单晶，纯度高、质量好，具有良好的应用价值。
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公开(公告)号：CN115558989A
公开(公告)日：2023-01-03
申请号：CN202211165728.0
申请日：2022-09-23
Applicant: 西北工业大学
Abstract: 本发明公开了一种带隙可调的硫族锗化物单晶的制备方法，属于硫族锗化物材料制备技术领域。本发明公开了一种带隙可调的硫族锗化物单晶的制备方法，基于要得到的硫族锗化物单晶，选择特定的S粉末和Se粉末之一与Ge粉末和I粉末混合，或者将Ge粉末、S粉末、Se粉末和I粉末混合，得到混合粉末，将混合粉末放置在加热设备的原料区中，进行热处理后，得到了GeS1‑xSex单晶，其中0≤x≤1，实现了带隙可调的目的，解决了目前制备方法难以实现GeS/GeSe单晶的带隙可调的制备的技术问题，具有操作步骤简洁、生产成本低、可应用于工业化生产的优势。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116344640A
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202211659301.6
申请日：2022-12-22
Applicant: 西北工业大学
IPC: H01L31/032 , H01L31/113 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种基于二维硒化锗/二硫化钼的偏振光电探测器及其制备方法，属于硒化锗晶体材料的技术领域。本发明公开的一种基于二维硒化锗/二硫化钼的偏振光电探测器，采用二维硒化锗作为各向异性二维半导体层，采用二硫化钼作为二维半导体层，二硫化钼是主要的导电沟道，硒化锗作为顶层光敏材料，所构成的PN结在垂直方向上的内建电场，增强了光生载流子的分离，从而提高光电探测性能。采用气相传输的方法利用锗粉末、硒粉末和结晶碘粉末合成硒化锗晶体作为各向异性二维半导体层的二维硒化锗，具有操作步骤简单，生产成本低，可以用于工业化生产的优点。
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公开(公告)号：CN115506027A
公开(公告)日：2022-12-23
申请号：CN202211165638.1
申请日：2022-09-23
Applicant: 西北工业大学
Abstract: 本发明公开了一种MnPSe3单晶及其制备方法，属于光电材料技术领域。本发明公开的一种MnPSe3单晶的制备方法，将锰粉末、红磷粉末、硒粉末和碘单质混合，置于石英管中，将封闭的石英管置于具有热端和冷端的加热设备中进行升温和降温吗，在真空和高温条件下制备MnPSe3，可以使得制备得到的MnPSe3单晶晶体体积大且纯度高，优于溶液法和低温固相合成法制备的无定形产物；根据相关实验结果证明，采用本发明公开的制备方法制备MnPSe3单晶时，产率可达85％，具备大规模生产的优势。
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公开(公告)号：CN116314427A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310340762.5
申请日：2023-03-31
Applicant: 西北工业大学
IPC: H01L31/111 , H01L31/18 , H01L31/032 , H01L31/0352 , H01L31/0224
Abstract: 本发明公开了一种近理想线性响应的双浮栅光电二极管及其制备方法，属于光电探测器制备技术领域。本发明公开了的近理想线性响应的双浮栅光电二极管，从下到上包括依次设置的SiO2/Si衬底、介电层、作为底部浮栅的第一MoTe2层、作为N端的第一MoS2层、作为P端的第二MoTe2层、作为顶部浮栅的第二MoS2层和设置在表面的一对电极；所公开的结构在MoS2/MoTe2异质结的上、下两侧再形成两个II型范德华异质结构(MoS2/MoTe2和MoTe2/MoS2)，在两侧II型异质结内建电场的作用下，更完全地耗尽了异质结导电沟道中的少子，减弱沟道中的多子与少子发生的相互作用，实现近理想的线性响应。
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公开(公告)号：CN115323493A
公开(公告)日：2022-11-11
申请号：CN202211166701.3
申请日：2022-09-23
Applicant: 西北工业大学
Abstract: 本发明公开了一种大尺寸层状FeOCl单晶及其制备方法，属于金属氧氯化合物材料制备技术领域。本发明公开的一种大尺寸层状FeOCl单晶的制备方法，采用FeCl3`6H2O制备得到FeOCl粉末，随后将FeOCl粉末通过热端和冷端不同的加热程序的设置进行加热处理，最终得到大尺寸层状FeOCl单晶；由于不使用FeCl3，避免了在制备过程中FeCl3的气化，没有杂质出现，同时制备过程环境压力低，制备条件简单易实现，具有良好的应用前景。采用本发明制备得到的大尺寸层状FeOCl单晶，纯度高、质量好，具有良好的应用价值。
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公开(公告)号：CN115558998A
公开(公告)日：2023-01-03
申请号：CN202211165651.7
申请日：2022-09-23
Applicant: 西北工业大学
Abstract: 本发明公开了一种低压下制备MnPS3单晶的方法，属于二维材料生长技术领域。本发明公开的一种低压下制备MnPS3单晶的方法将原料单质锰，单质红磷，单质硫，传输剂碘单质混合，置于石英管中，将封闭的石英管置于双温区马弗炉中，通过程序升温和降温，在真空和高温条件下制备MnPS3，制备所需原料少，工艺简单，可实现大规模生产，为研究MnPS3的性质及应用提供了平台。
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