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公开(公告)号：CN115172545A
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN202210792162.8
申请日：2022-07-07
Applicant: 西北工业大学
Abstract: 本申请实施例公开了一种发光二极管及其制备方法。该发光二极管包括：一衬底，该衬底的材料为蓝宝石、硅、碳化硅、氮化镓或砷化镓；一N型模板层，其生长在衬底上；一多量子阱有源区，其生长在N型模板层上；一P型AlGaN电子阻挡层，其生长在多量子阱有源区上；一P型GaN盖层，其生长在P型AlGaN电子阻挡层上；一N电极，其沉积在N型模板层上；一P电极，其沉积在P型GaN盖层上。通过本申请，解决了相关技术中的发光二极管性能较低的技术问题，达到了提升发光二极管性能的技术效果。
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