公开(公告)号：CN105016759A

公开(公告)日：2015-11-04

申请号：CN201510377418.9

申请日：2015-07-01

Applicant: 西北工业大学

Inventor： 刘永胜 ,  门静 ,  张青 ,  王晶 ,  田卓 ,  成来飞 ,  张立同

IPC: C04B35/83 ,  C04B35/565 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明涉及一种快速制备C/SiC复合材料的方法，其特征在于步骤为：1、采用化学气相沉积工艺在薄层碳纤维预制体表面沉积热解碳(PyC)界面；2、沉积PyC界面的薄层碳纤维预制体浸渍聚碳硅烷混合溶液，而后在保护气氛下依次交联固化、裂解，获得薄层C/SiC复合材料；3、重复上一步骤2～3次；4、将多片单层复合材料叠层放入石墨模具内进行放电等离子烧结，最终快速制备得到致密的C/SiC复合材料。本发明充分利用PIP法浸渍薄层时间短以及SPS法烧结迅速的特点，从而实现C/SiC复合材料制备，适用于小型致密构件的致密，比传统CVI法和PIP法可以节省时间95％，并显著提高复合材料致密度，降低复合材料制造成本。

公开(公告)号：CN105152670A

公开(公告)日：2015-12-16

申请号：CN201510377613.1

申请日：2015-07-01

Applicant: 西北工业大学

Inventor： 刘永胜 ,  门静 ,  张青 ,  王晶 ,  田卓 ,  成来飞 ,  张立同

IPC: C04B35/80 ,  C04B35/58 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明涉及一种快速制备纳米线增强SiBCN陶瓷的方法，包括如下步骤：1、保护气氛下将聚硼硅氮烷交联固化、球磨得到SiBCN粉末；2、配置一定比例的SiBCN粉末，SiC纳米线，氧化铝，氧化钇和无水乙醇，混合球磨、干燥；3、将步骤2中得到的粉末在保护气氛下裂解、研磨过筛，得到混合粉料；4、将混合粉料进行放电等离子烧结，得到SiC纳米线增强的SiBCN陶瓷。本发明充分利用先驱体转化法的可设计性，过程简单和温度低，以及SPS法烧结迅速的优点，实现了SiC纳米线增强SiBCN陶瓷的制备，适用于小型致密构件的致密，比传统CVI法和PDC法可以节省时间95％，并显著提高陶瓷材料致密度，降低陶瓷材料制造成本。

公开(公告)号：CN105152670B

公开(公告)日：2017-06-06

申请号：CN201510377613.1

申请日：2015-07-01

Applicant: 西北工业大学

Inventor： 刘永胜 ,  门静 ,  张青 ,  王晶 ,  田卓 ,  成来飞 ,  张立同

IPC: C04B35/80 ,  C04B35/58 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明涉及一种快速制备纳米线增强SiBCN陶瓷的方法，包括如下步骤：1、保护气氛下将聚硼硅氮烷交联固化、球磨得到SiBCN粉末；2、配置一定比例的SiBCN粉末，SiC纳米线，氧化铝，氧化钇和无水乙醇，混合球磨、干燥；3、将步骤2中得到的粉末在保护气氛下裂解、研磨过筛，得到混合粉料；4、将混合粉料进行放电等离子烧结，得到SiC纳米线增强的SiBCN陶瓷。本发明充分利用先驱体转化法的可设计性，过程简单和温度低，以及SPS法烧结迅速的优点，实现了SiC纳米线增强SiBCN陶瓷的制备，适用于小型致密构件的致密，比传统CVI法和PDC法可以节省时间95％，并显著提高陶瓷材料致密度，降低陶瓷材料制造成本。

公开(公告)号：CN105237021A

公开(公告)日：2016-01-13

申请号：CN201510578506.5

申请日：2015-09-11

Applicant: 西北工业大学

Inventor： 刘永胜 ,  田卓 ,  张程煜 ,  万佳佳 ,  董宁 ,  成来飞

IPC: C04B35/80 ,  C04B35/565

Abstract: 本发明涉及一种SiC纳米线改性陶瓷基复合材料界面制备陶瓷基复合材料的方法，将多孔纤维预制体浸渍在催化剂溶液中，然后在CVD炉中，以三氯甲基硅烷MTS为硅源；氩气Ar作为稀释气体，稀释比为30～90；氢气作为载气，进行原位沉积SiC纳米线；再以三氯甲基硅烷MTS为硅源；氩气Ar作为稀释气体，稀释比为9～11，采用CVI工艺制备SiC基体，得到致密SiC纳米线改性的陶瓷基复合材料。本发明利用SiC纳米线的增强增韧机制，提高材料的力学性能。与相同工艺下的PyC界面的复合材料相比，SiC纳米线做界面的复合材料的弯曲强度提高了26.7％(图6)，还可以提高界面的抗氧化性。

公开(公告)号：CN105110808A

公开(公告)日：2015-12-02

申请号：CN201510449732.3

申请日：2015-07-28

Applicant: 西北工业大学

Inventor： 张程煜 ,  张晓 ,  赵蒙蒙 ,  田卓 ,  韩栋 ,  李玫 ,  乔小刚

IPC: C04B35/80 ,  C04B35/565

Abstract: 本发明提出一种提高2D-C/SiC复合材料基体开裂应力的方法，对2D-C/SiC复合材料进行2-3个周期的预蠕变处理，预蠕变温度为1400℃-1600℃，在达到预蠕变温度后，保温0.5-1h，保温结束后，对2D-C/SiC复合材料进行加载，加载应力为σ，σ取0.6～1倍的σmax，σmax为2D-C/SiC复合材料原始基体开裂应力的上限值；加载应力保持时间不小于8小时，而后对2D-C/SiC复合材料卸载并降至室温，降温速率不大于12℃/min。本发明通过对2D-C/SiC复合材料预蠕变处理，使材料的基体开裂应力得到明显提高，从而使材料的蠕变寿命得到显著地提高。