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发明公开
一种提高2D-C/SiC复合材料基体开裂应力的方法无效

公开(公告)号：CN105110808A

公开(公告)日：2015-12-02

申请号：CN201510449732.3

申请日：2015-07-28

Applicant: 西北工业大学

Inventor： 张程煜 , 张晓 , 赵蒙蒙 , 田卓 , 韩栋 , 李玫 , 乔小刚

IPC: C04B35/80 , C04B35/565

Abstract: 本发明提出一种提高2D-C/SiC复合材料基体开裂应力的方法，对2D-C/SiC复合材料进行2-3个周期的预蠕变处理，预蠕变温度为1400℃-1600℃，在达到预蠕变温度后，保温0.5-1h，保温结束后，对2D-C/SiC复合材料进行加载，加载应力为σ，σ取0.6～1倍的σmax，σmax为2D-C/SiC复合材料原始基体开裂应力的上限值；加载应力保持时间不小于8小时，而后对2D-C/SiC复合材料卸载并降至室温，降温速率不大于12℃/min。本发明通过对2D-C/SiC复合材料预蠕变处理，使材料的基体开裂应力得到明显提高，从而使材料的蠕变寿命得到显著地提高。

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