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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112142471A
公开(公告)日：2020-12-29
申请号：CN202010998367.2
申请日：2020-09-21
Applicant: 西北工业大学
IPC: C04B35/56 , C04B35/622
Abstract: 本发明涉及一种碳化锆陶瓷前驱体及制备方法，以氧氯化锆作为锆源，聚乙烯醇作为碳源，利用“一锅法”制备而成。制备过程：将聚乙烯醇和H2O混合加热搅拌至聚乙烯醇完全溶解在水中；再滴加ZrOCl2·8H2O和H2O配制成的氧氯化锆溶液，加热搅拌干燥，制得碳化锆陶瓷前驱体。本发明具有原料来源广泛易得到、成本低廉，溶剂无毒性、对环境无污染，制备工艺简单、周期短且可控程度高，对试验设备要求低的特点。
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公开(公告)号：CN114134484A
公开(公告)日：2022-03-04
申请号：CN202111427050.4
申请日：2021-11-28
Applicant: 西北工业大学
IPC: C23C16/455 , C23C16/32 , C04B35/52 , C04B35/622 , C04B35/80
Abstract: 本发明涉及一种化学气相渗透法制备纤维增强复合材料的涡流辅助系统及制备方法，在使用常规CVI方式制备陶瓷基复合材料时，通过涡流辅助系统构造内外两层涡流，使气体通过纤维预制体表面时具备向其内部运动的初速度。从而在致密化过程中气体扩散动力具备涡流的“流动扩散”动力。同时，在使用涡流辅助沉积方式以外辅以机械加工去除外侧封孔层的方式，增加了CVI制备复合材料的致密性和密度均匀性，而且可实现10mm左右的扩散深度，实现大尺寸陶瓷基复合材料的制备，相对密度达到90％以上。
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公开(公告)号：CN108585954B
公开(公告)日：2020-11-06
申请号：CN201810553797.6
申请日：2018-06-01
Applicant: 西北工业大学
IPC: C04B41/89
Abstract: 本发明涉及一种C/C‑Si复合材料表面生长辐射状纳米线及在常温下的制备方法，利用包埋法在真空加热炉中在碳/碳复合材料表面制备硅涂层，然后对C/C‑Si复合材料采用浓硫酸与双氧水混合溶液浸润后，将C/C‑Si复合材料表面放入单分散聚苯乙烯微球溶液中，经干燥后在喷金溅射仪中喷金。随后将C/C‑Si复合材料放入由去离子水，丙三醇，双氧水和氢氟酸按不同体积分数组成的混合溶液中刻蚀不同的时间。获得常温下在C/C‑Si复合材料表面辐射状生长的Si纳米线。本发明的纳米线是从C/C‑Si复合材料表面生长出来的辐射状纳米线，可以提高内涂层与外涂层之间的结合力，缓解热膨胀失配。可以减少碳/碳复合材料多次高温处理造成的力学性能下降，能够有效保护碳/碳复合材料。
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公开(公告)号：CN108585954A
公开(公告)日：2018-09-28
申请号：CN201810553797.6
申请日：2018-06-01
Applicant: 西北工业大学
IPC: C04B41/89
CPC classification number: C04B41/89 , C04B41/009 , C04B41/52 , C04B35/83 , C04B41/5096 , C04B41/4545 , C04B41/526
Abstract: 本发明涉及一种C/C-Si复合材料表面生长辐射状纳米线及在常温下的制备方法，利用包埋法在真空加热炉中在碳/碳复合材料表面制备硅涂层，然后对C/C-Si复合材料采用浓硫酸与双氧水混合溶液浸润后，将C/C-Si复合材料表面放入单分散聚苯乙烯微球溶液中，经干燥后在喷金溅射仪中喷金。随后将C/C-Si复合材料放入由去离子水，丙三醇，双氧水和氢氟酸按不同体积分数组成的混合溶液中刻蚀不同的时间。获得常温下在C/C-Si复合材料表面辐射状生长的Si纳米线。本发明的纳米线是从C/C-Si复合材料表面生长出来的辐射状纳米线，可以提高内涂层与外涂层之间的结合力，缓解热膨胀失配。可以减少碳/碳复合材料多次高温处理造成的力学性能下降，能够有效保护碳/碳复合材料。
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