公开(公告)号：CN119811983A

公开(公告)日：2025-04-11

申请号：CN202411920672.4

申请日：2024-12-25

Applicant: 西北工业大学

Inventor： 刘炜 ,  王迪 ,  言铖瑞 ,  刘泽宇 ,  张耀 ,  宋一凡

IPC: H01L21/02 ,  B81C1/00 ,  H10H20/01 ,  H10H20/812 ,  H10H20/825 ,  H01S5/34 ,  H01S5/343 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种锥形介质阵列InGaN量子点结构及制备方法，包括衬底、GaN模板层、锥形介质阵列层、第一InGaN量子点层、第一GaN势垒层、第二InGaN量子点层、第二GaN势垒层；GaN模板层生长在衬底上；锥形介质阵列层生长在GaN模板层上；第一InGaN量子点层生长在GaN模板层上；第一GaN势垒层均匀生长并完全覆盖在第一InGaN量子点层上；第二InGaN量子点层生长在第一GaN势垒层上；第二GaN势垒层均匀生长并完全覆盖在第二InGaN量子点层上；多个周期排列的InGaN量子点层、GaN势垒层，依次重复生长在第二GaN势垒层上，形成多层InGaN量子点结构。本发明可以实现对量子点的密度、尺寸、分布等的精确调节，生长的InGaN量子点具有工艺简单且晶体质量高的优点。