多电平柔性高压直流输电(VSC-HVDC)功率模块保护与旁路策略

    公开(公告)号:CN103904913A

    公开(公告)日:2014-07-02

    申请号:CN201410148476.X

    申请日:2014-04-14

    Abstract: 本发明提出一种多电平柔性高压直流输电(VSC-HVDC)功率模块保护与旁路策略,旨在解决以上所有问题并保证即便在极端故障状态下功率模块的完整性。具体方案是:采用压装IGBT(PPI)和压装二极管(PPD)来取代塑料封装的IGBT模块PMI,并且在直流电容器两端并联了一个晶闸管撬杠(Th2)。所述的晶闸管与功率器件IGBT及二极管被压装在一起,晶闸管与电容器通过母排相连接。与现有技术相比,本发明有益效果是:当功率模块故障或失灵时,晶闸管Th2被触发从而旁路功率模块。在大电流产生的巨大热量压力下,器件内的硅和钼晶片会融化并成为合金,从而使得器件形成并处于稳定的短路状态。

    多电平柔性高压直流输电功率模块保护与旁路拓扑

    公开(公告)号:CN203967989U

    公开(公告)日:2014-11-26

    申请号:CN201420179384.3

    申请日:2014-04-14

    Abstract: 本实用新型提出一种多电平柔性高压直流输电功率模块保护与旁路拓扑,旨在解决所述所有问题并保证即便在极端故障状态下功率模块的完整性。具体方案是:采用压装IGBT(PPI)和压装二极管(PPD)来取代塑料封装的IGBT模块PMI,并且在直流电容器两端并联了一个晶闸管撬杠(Th2)。所述的晶闸管与功率器件IGBT及二极管被压装在一起,晶闸管与电容器通过母排相连接。与现有技术相比,本实用新型的有益效果是:当功率模块故障或失灵时,晶闸管Th2被触发从而旁路功率模块。在大电流产生的巨大热量压力下,器件内的硅和钼晶片会融化并成为合金,从而使得器件形成并处于稳定的短路状态。

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