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公开(公告)号：CN107561312A
公开(公告)日：2018-01-09
申请号：CN201710523455.5
申请日：2017-06-30
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Abstract: 本申请涉及用于确定磁组件围绕旋转轴的旋转方向的磁传感器设备和方法。其中，所述磁传感器设备包括具有第一半桥和第二半桥的桥电路。第一半桥和第二半桥中的每一个包括至少一个磁阻结构。此外，磁传感器设备包括评估电路，该评估电路被配置成基于第一半桥的输出信号与第二半桥的输出信号之间的相位差来确定磁组件的旋转方向。
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公开(公告)号：CN107561312B
公开(公告)日：2020-10-16
申请号：CN201710523455.5
申请日：2017-06-30
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Abstract: 本申请涉及用于确定磁组件围绕旋转轴的旋转方向的磁传感器设备和方法。其中，所述磁传感器设备包括具有第一半桥和第二半桥的桥电路。第一半桥和第二半桥中的每一个包括至少一个磁阻结构。此外，磁传感器设备包括评估电路，该评估电路被配置成基于第一半桥的输出信号与第二半桥的输出信号之间的相位差来确定磁组件的旋转方向。
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公开(公告)号：CN106066461B
公开(公告)日：2019-11-26
申请号：CN201610246023.X
申请日：2016-04-20
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Inventor： T.韦尔特
IPC: G01R33/09
Abstract: 本发明涉及磁阻装置。磁阻装置能够包括第一和第二传感器。第一和第二传感器中的每个传感器能够被配置为感测第一磁场分量和第二磁场分量。第一磁场分量和第二磁场分量可彼此正交。由第一和/或第二传感器生成的信号能够被用于确定磁场分量的局部或全局差异。第一和/或第二传感器能够各自包括四个磁阻传感器，所述四个磁阻传感器能够以惠斯通电桥配置连接。另外，磁阻装置能够包括磁体，该磁体在其中形成有的腔，其中腔的尺寸被配置为减少在腔附近和/或在腔内的磁场的磁场条件。
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公开(公告)号：CN106066461A
公开(公告)日：2016-11-02
申请号：CN201610246023.X
申请日：2016-04-20
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Inventor： T.韦尔特
IPC: G01R33/09
Abstract: 本发明涉及磁阻装置。磁阻装置能够包括第一和第二传感器。第一和第二传感器中的每个传感器能够被配置为感测第一磁场分量和第二磁场分量。第一磁场分量和第二磁场分量可彼此正交。由第一和/或第二传感器生成的信号能够被用于确定磁场分量的局部或全局差异。第一和/或第二传感器能够各自包括四个磁阻传感器，所述四个磁阻传感器能够以惠斯通电桥配置连接。另外，磁阻装置能够包括磁体，该磁体在其中形成有的腔，其中腔的尺寸被配置为减少在腔附近和/或在腔内的磁场的磁场条件。
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