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公开(公告)号：CN115786873B
公开(公告)日：2023-12-26
申请号：CN202211550180.1
申请日：2022-12-05
Applicant: 英诺赛科(珠海)科技有限公司
IPC: C23C16/18 , C23C16/455 , C23C16/458 , C23C16/34 , H01L21/67
Abstract: 本公开提供了一种半导体制造设备、腔体总成、及成长III族氮化物的方法。半导体制造设备包括腔体、流体供应口、多个载体、及第一盖板。流体供应口设置在腔体内。多个载体设置在腔体内且围绕流体供应口。第一盖板环绕流体供应口并设置在流体供应口及载体之间，其中第一盖板具有大体上平坦的表面。
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公开(公告)号：CN117038556A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202310842051.8
申请日：2023-07-10
Applicant: 英诺赛科(珠海)科技有限公司
IPC: H01L21/683 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种用于晶圆外延制造的承载盘、晶圆外延的制造装置和方法，承载盘包括承载基底和可拆卸固定在承载基底上的可更换模块；可更换模块包括卫星盘和盖体；卫星盘和盖体紧密接触；卫星盘的下表面包括设置在边缘区域的凹槽；在卫星盘置于承载基底时，凹槽与承载基底之间形成腔体。通过上述方式，本发明的卫星盘为中空卫星盘，减少了导热材料，通过卫星盘下表面边缘区域的凹槽与承载基底之间形成的腔体，减少了卫星盘和承载基底的接触面积，降低了工作时卫星盘边缘的温度，使得卫星盘的中心温度与边缘温度相同，提高了晶圆外延时温度分布的均匀性，从而提高晶圆制造的成品率。
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公开(公告)号：CN117059548A
公开(公告)日：2023-11-14
申请号：CN202310842504.7
申请日：2023-07-10
Applicant: 英诺赛科(珠海)科技有限公司
IPC: H01L21/683 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供用于晶圆外延制造的承载盘和晶圆外延的制造装置，涉及半导体芯片制造技术领域，承载盘包括承载基底和承载基底上的可更换模块；可更换模块包括卫星盘、盖体和垫片；垫片设置在承载基底上，盖体设置在垫片上；卫星盘设置在承载基底上，且分别与盖体和垫片紧密接触；垫片的覆盖面积和盖体的覆盖面积相同，并且至少一条相邻盖体之间的缝隙设置于垫片上。通过上述方式，本发明通过垫片将盖体和承载基底隔离，至少一条相邻盖体之间的缝隙设置于垫片上，当使用氯气进行清洁时，氯气进入盖体之间的缝隙后会受到垫片的阻挡，无法直接腐蚀承载基底，延长了承载基底的使用寿命，降低设备成本。
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公开(公告)号：CN117038566A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202310842092.7
申请日：2023-07-10
Applicant: 英诺赛科(珠海)科技有限公司
IPC: H01L21/687 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种用于晶圆外延制造的承载盘、晶圆外延的制造装置和方法，涉及半导体芯片制造技术领域，承载盘包括承载基底和承载基底上的可更换模块；可更换模块包括卫星盘和盖体；卫星盘和盖体紧密接触；盖体的下表面包括凹槽；在盖体置于承载基底时，凹槽与承载基底之间形成腔体。通过上述方式，盖体为中空盖体，减少了导热材料，通过盖体下表面的凹槽与承载基底之间形成的腔体，减少盖体和承载基底的接触面积，降低盖体的温度，缩小盖体和卫星盘边缘之间的温度差，使得卫星盘不会受到盖体高温的影响而导致温度不均，提高了晶圆外延时温度分布的均匀性，均匀的晶圆温度可以扩大外延窗口，从而获得良好的外延均匀性和较高的器件良率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115976493B
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202211550178.4
申请日：2022-12-05
Applicant: 英诺赛科(珠海)科技有限公司
IPC: C23C16/455 , C23C16/50 , C23C16/52 , C23C16/34 , C23C16/458 , H01L21/02
Abstract: 本公开提供了一种半导体制造设备、腔体总成、及成长III族氮化物的方法。半导体制造设备包括腔体、流体供应口、多个载体、及多个第一盖板。流体供应口设置在所述腔体内。多个载体设置在所述腔体内且围绕所述流体供应口，其中所述多个载体中任一者包括凹槽和围绕所述凹槽的侧壁及外周缘部。多个第一盖板设置在所述流体供应口及所述多个载体之间，并且环绕所述流体供应口，其中所述多个第一盖板中相邻二者之间包括第一盖板间隙。所述第一盖板间隙设置在所述流体供应口的中心对所述多个载体中任一者的所述侧壁的切线与所述流体供应口的中心对所述多个载体的相邻的另一者的所述侧壁的切线之间。
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公开(公告)号：CN117038500A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202310842059.4
申请日：2023-07-10
Applicant: 英诺赛科(珠海)科技有限公司
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明提供用于晶圆外延制造的承载盘、晶圆外延的制造装置和方法，涉及半导体芯片制造技术领域，承载盘包括承载基底和可更换模块；可更换模块包括卫星盘和盖体；盖体的下表面包括凹槽；凹槽与承载基底之间形成腔体；承载基底位于凹槽的覆盖区域开设有输气通道，通过输入通道为腔体输入气体。通过上述方式，本发明通过输气通道能够为盖体的凹槽与承载基底之间的腔体输入用于降温的气体，进一步降低盖体的温度，使得卫星盘靠近盖体的边缘也不会由于盖体高温的影响而升温，在工作时卫星盘的中心温度和边缘温度可以保持一致，因此提高了晶圆外延时温度分布的均匀性，均匀的晶圆温度可以扩大外延窗口，从而获得良好的外延均匀性和较高的器件良率。
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公开(公告)号：CN115976493A
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202211550178.4
申请日：2022-12-05
Applicant: 英诺赛科(珠海)科技有限公司
IPC: C23C16/455 , C23C16/50 , C23C16/52 , C23C16/34 , C23C16/458 , H01L21/02
Abstract: 本公开提供了一种半导体制造设备、腔体总成、及成长III族氮化物的方法。半导体制造设备包括腔体、流体供应口、多个载体、及多个第一盖板。流体供应口设置在所述腔体内。多个载体设置在所述腔体内且围绕所述流体供应口，其中所述多个载体中任一者包括凹槽和围绕所述凹槽的侧壁及外周缘部。多个第一盖板设置在所述流体供应口及所述多个载体之间，并且环绕所述流体供应口，其中所述多个第一盖板中相邻二者之间包括第一盖板间隙。所述第一盖板间隙设置在所述流体供应口的中心对所述多个载体中任一者的所述侧壁的切线与所述流体供应口的中心对所述多个载体的相邻的另一者的所述侧壁的切线之间。
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公开(公告)号：CN115786873A
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202211550180.1
申请日：2022-12-05
Applicant: 英诺赛科(珠海)科技有限公司
IPC: C23C16/18 , C23C16/455 , C23C16/458 , C23C16/34 , H01L21/67
Abstract: 本公开提供了一种半导体制造设备、腔体总成、及成长III族氮化物的方法。半导体制造设备包括腔体、流体供应口、多个载体、及第一盖板。流体供应口设置在腔体内。多个载体设置在腔体内且围绕流体供应口。第一盖板环绕流体供应口并设置在流体供应口及载体之间，其中第一盖板具有大体上平坦的表面。
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公开(公告)号：CN218345542U
公开(公告)日：2023-01-20
申请号：CN202221930002.7
申请日：2022-07-22
Applicant: 英诺赛科(珠海)科技有限公司
IPC: C23C16/44 , C23C16/458
Abstract: 本实用新型公开一种金属有机化学气相沉积设备及其盖板组件，该金属有机化学气相沉积设备的盖板组件包括外侧盖板与中部盖板，沿金属有机化学气相沉积设备的基座的径向，外侧盖板位于基座的外侧，中部盖板位于外侧盖板的内侧，基座在外侧盖板与中部盖板相交处形成有遮蔽区域；其中，外侧盖板与中部盖板邻接的边缘处密封连接，外侧盖板与中部盖板相接处将遮蔽区域与外部隔绝。该金属有机化学气相沉积设备包括上述的盖板组件。本实用新型能够使得基座不会暴露在氯气环境中，避免氯气对基座的腐蚀，延长金属有机化学气相沉积设备的使用寿命。
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