-
公开(公告)号：CN119725112A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202411189059.X
申请日：2024-08-28
Applicant: 英特尔公司
IPC: H01L21/60 , H01L23/498 , H01L23/544 , H01L21/68 , H01L21/50
Abstract: 本发明的主题是“带有具有零未对准的自对准结构的IC组合件”。集成电路(IC)管芯结构或IC管芯结构要接合到的主结构的表面包括用于液滴形成和IC管芯结构与衬底的基于液滴的精细对准的亲疏水(biphilic)表面。通过在亲水区域内形成金属化特征的同时在疏水区域内形成前体金属化特征，疏水区域可以与亲疏水表面的亲水区域自对准。然后，疏水区域内的金属化特征可以作为牺牲被至少部分移除，以促进疏水表面的形成。亲水区域内的金属化特征可以被保留并最终接合到另一个IC管芯结构或衬底结构的互补特征。
Search Results
1
records
(took 0.018 seconds)
筛选
AND
AND
过滤
NOT
NOT
Scan to Join
