公开(公告)号：CN117810260A

公开(公告)日：2024-04-02

申请号：CN202311103006.7

申请日：2023-08-30

Applicant: 英特尔公司

Inventor： A·V·戴维斯 ,  B·扬布拉德 ,  R·巴雅提 ,  S·戈什 ,  M·J·普林斯 ,  J·M·谭

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/423 ,  H01L27/088 ,  H01L21/8234 ,  H05K1/18

Abstract: 本公开的发明名称是“将多遍工序用于深度控制来形成金属栅极切口”。本文中提供了形成半导体器件的技术，该半导体器件包括具有不同宽度(例如，至少1.5倍的宽度差)但基本上相同高度(例如，小于5nm的高度差)的栅极切口。在一个或多个半导体区域之上延伸的给定栅极结构可用任何数量的栅极切口中断，每个栅极切口延伸穿过栅极结构的整个厚度。根据一些实施例，类似的第一宽度的栅极切口经由第一蚀刻工艺形成，而大于第一宽度的类似的第二宽度的栅极切口经由不同于第一蚀刻工艺的第二蚀刻工艺形成。对于不同宽度的栅极切口使用不同的蚀刻工艺为不同宽度的栅极切口保持了类似的高度。

公开(公告)号：CN117790507A

公开(公告)日：2024-03-29

申请号：CN202311092456.0

申请日：2023-08-28

Applicant: 英特尔公司

Inventor： R·巴亚提 ,  M·J·普林斯 ,  A·V·戴维斯 ,  R·古斯廷 ,  P·M·辛哈 ,  O·戈隆茨卡 ,  S·高希 ,  M·夏尔马

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238

Abstract: 本文提供了用以形成半导体器件的技术，所述半导体器件包括一个或多个具有非常高的纵横比(例如，5:1或更大的纵横比，例如，10:1)的栅极切口。在示例中，一种半导体器件包括作为围绕半导体区或者在其他情况下位于半导体区上的晶体管栅极结构的部分的导电材料。例如，半导体区可以是在源极区和漏极区之间延伸的半导体材料的鳍状物，或者可以是在源极区和漏极区之间延伸的半导体材料的一个或多个纳米线或纳米带。可以采用延伸穿过栅极结构的整个厚度的栅极切口使栅极结构在两个晶体管之间中断。可以执行特定的等离子体蚀刻工艺，以形成具有非常高的高度与宽度纵横比的栅极切口，从而实现密集的集成器件。